ZHCT493 产品概述 | 德州仪器 TI.com.cn

主要特性和优势

保护套件
- 在断开状态和导通状态下进行负载诊断，以检测开路负载和短路
- 电源 (VM) 上的电压监控
- 过流保护 (OCP)
- 过热保护
nFAULT 引脚控制模式上的故障指示
- 使用 PWM 或 PH/EN 模式实现单全桥
- 使用独立模式实现两个半桥
操作
- PWM 工作频率高达 25kHz
- 可配置压摆率
- 展频
- 菊花链 SPI
电流
- 集成电流检测（无需使用分流电阻器）
- IPROPI 引脚上的比例负载电流输出
- 可配置的电流调节
封装
- 16 (3.5mm × 5.5mm) VQFN-HR (HotRod) 封装
- 要了解有关 TI HotRod 技术的更多信息，请参阅：
型号
- HW、SPI、P

DRV824x-Q1 和 DRV814X-Q1 系列器件分别是完全集成的 H 桥和半桥驱动器，适用于多种汽车应用。这些 H 桥器件可配置为单路全桥驱动器或两个独立的半桥驱动器。该单片功率封装器件系列采用 BiCMOS 大功率工艺技术节点设计，提供了出色的电源处理能力和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。该系列提供相同的引脚功能和可扩展的 R_ON（电流能力），可支持不同的负载。

关键应用

	资源：软件和产品页面
	适用于 H 桥的热结估算器（下载）
	适用于半桥的热结估算器（下载）
	EVM/GUI
	封装优化 – HotRod 和增强型 HotRod QFN 封装（视频）
	如何有效驱动汽车系统中的 12V 和 24V 发动机负载
	保护汽车电机驱动系统免受反极性情况的影响（修订版 A）

引脚和封装选项

TI.com 选择工具

型号	(LS + HS) R_ON	I_OUT MAX	封装	封装尺寸
DRV8242-Q1	200mΩ	6A	VQFN (20)	3.5mm x 4.5mm
DRV8243-Q1	84mΩ	12A	VQFN-HR (14)	3mm × 4.5mm
DRV8243-Q1	98mΩ	12A	HVSSOP (28)	3mm x 7.3mm
DRV8244-Q1	47mΩ	21A	VQFN-HR (16)	3mm × 6mm
DRV8244-Q1	60mΩ	21A	HVSSOP (28)	3mm x 7.3mm
DRV8245-Q1	32mΩ	32A	VQFN-HR (16)	3.5mm × 5mm
DRV8245-Q1	40mΩ	32A	HTSSOP (28)	4.4mm x 9.7mm

型号	(LS + HS) R_on	I_OUT MAX	封装	封装尺寸
DRV8143-Q1	42mΩ	20A	VQFN-HR (14)	3mm × 4.5mm
DRV8143-Q1	49mΩ	20A	HVSSOP (28)	3mm x 7.3mm
DRV8144-Q1	23.6mΩ	30A	VQFN-HR (16)	3mm × 6mm
DRV8145-Q1	16mΩ	46A	VQFN-HR (16)	3mm × 5.5mm
DRV8145-Q1	19mΩ	46A	HTSSOP (28)	4.4mm x 9.7mm

SPI 型号与 HW 型号比较

功能	HW (H) 型号	SPI (S) 型号	SPI (P) 型号
电桥控制	仅引脚	单个引脚“和/或”寄存器位以及引脚状态指示（请参阅寄存器引脚控制）
睡眠功能	通过 nSLEEP 引脚提供		不可用
器件的外部逻辑电源	不支持	不支持	通过 VDD 引脚支持
清除故障命令	nSLEEP 引脚上的复位脉冲	SPI CLR_FAULT 命令
压摆率	6 级	8 级
过流保护 (OCP)	固定在最高等级设置	阈值有 3 个选项，滤波器时间有 4 个选项
ITRIP 调节	5 级，具有禁用和固定 TOFF 时间	7 级，具有禁用和指示，具有可编程 TOFF 时间
重试或锁存行为之间的单个故障反应配置	不支持，要么全部锁存，要么全部重试	支持
详细的故障记录和器件状态反馈	不支持，需要 nFAULT 引脚监测	支持，可选 nFAULT 引脚监测
VM 过压	固定	4 个阈值选项
导通状态（有源）诊断	不支持	支持高侧负载
展频时钟 (SSC)	不支持	支持
PWM 模式下的其他驱动器状态	不支持	支持
用于独立模式下的单个半桥的高阻态	不支持	支持（仅限 SPI 寄存器）

瞬态电流能力

DRV824X-Q1 和 DRV814x-Q1 系列器件可以根据电流进行扩展。TI 的多种驱动器均支持进行扩展，从而满足您的系统负载需求。下表展示了有无开关损耗情况下随时间变化的驱动器能力。

以下电流能力基于在 85°C 环境温度下采用 40mm × 40mm × 1.6mm、4 层 PCB 进行的热仿真。

器件型号	封装	TYP LS + HS R_DS(on)	热阻 R_θJA				电流能力 – 无开关损耗				有开关损耗
		TYP LS + HS R_DS(on)	0.1s	1s	10s	DC	0.1s	1s	10s	DC	10s	DC
		MΩ	(°C/W)	(°C/W)	(°C/W)	(°C/W)	(A)	(A)	(A)	(A)	(A)	(A)
DRV8242-Q1	VQFN (20)	250.0	15.7	23.9	28.5	54.3	3.2	2.6	2.4	2.1	2.0	1.6
DRV8243-Q1	VQFN-HR (14)	84.0	7.3	13	17.5	34.2	7.5	5.6	4.8	3.5	4.4	3.0
DRV8243-Q1	HVSSOP	98.0	5.8	10.5	15.3	32.4	7.8	5.8	4.8	3.3	4.4	2.9

DRV8244-Q1	VQFN-HR (16)	47.0	5.1	10	14.4	31.2	11.9	8.5	7.1	4.8	6.3	4.0
DRV8244-Q1	HVSSOP	60.0	4.2	8.7	13.5	30.3	11.7	8.1	6.5	4.3	5.8	3.7

DRV8245-Q1	VQFN-HR (16)	32.0	4.3	9.2	13.6	30.3	15.8	10.8	8.9	5.9	7.7	4.8
DRV8245-Q1	HTSSOP	40.0	3.3	7.1	12.2	29.1	16.1	11.0	8.4	5.4	7.4	4.5

DRV8143-Q1	VQFN-HR (14)	42.0	6.6	12.4	16.9	33.4	15.7	11.5	9.8	7.0	8.0	5.3
DRV8143-Q1	HVSSOP	49.0	5.0	9.8	14.7	31.7	16.7	11.9	9.7	6.6	8.2	5.2
DRV8144-Q1	VQFN-HR (16)	23.5	4.6	9.5	13.9	30.5	25.2	17.5	14.5	9.8	11.4	6.8
DRV8144-Q1	HVSSOP	30.0	3.6	8.1	13.0	29.6	25.2	16.8	13.2	8.8	10.8	6.4
DRV8145-Q1	VQFN-HR	16.0	3.8	8.8	13.1	29.7	33.5	22.0	18.1	12.0	13.6	7.9
DRV8145-Q1	HTSSOP	20.0	2.6	6.5	11.5	28.3	36.3	22.9	17.2	11.0	13.6	7.6

注：

驱动器 OCP 最小电流限制在 0.1s 时约为 2.5 × I，因此 OCP 不会由容性负载瞬态触发
PWM 会增加开关损耗（取决于 VM 电压、PWM 频率和压摆率），从而降低了电流能力
开关损耗约为 $V M \times I (l o a d) \times \frac{V M}{S R} \times f (P W M)$
其中
1. VM = 13.5V
2. f(PWM) = 20kHz
3. SR = 23V/µs