ZHCSZE7A December 2025 – June 2026 CC3501E
PRODUCTION DATA
CC35xx 器件支持片上及片外存储器。存储器用于执行、数据及非易失性存储器。片上存储器包括 SRAM，支持的片外存储器包括串行闪存（外部连接或在器件封装内堆叠）和可选的串行 PSRAM（堆叠在器件封装内）。
SRAM 用于执行与数据。它分为指令和数据分区，以及安全和非安全分区。指令存储器分区被拆分成指令紧耦合存储器 (ITCM) 和指令高速缓存存储器 (I-Cache)。I-Cache 允许从闪存和 PSRAM 执行（请参阅当前软件开发套件 (SDK) 以获得支持）。数据存储器分为数据紧耦合存储器 (DTCM)、数据非紧耦合存储器 (DMEM) 及数据高速缓存存储器（D 高速缓存）。D 高速缓存用于访问 PSRAM。
闪存是用于执行以及数据存储的非易失性存储器。PSRAM 主要用作数据存储。
每个存储器都可通过 M33 MCU、主机 DMA 和 μDMA 来访问。主机 DMA 用于外设与器件片上 SRAM 之间的数据传输。μDMA 用于外部闪存/PSRAM 和片上 SRAM 之间的数据传输。