ZHCSZD0A December   2025  – December 2025 ESD752

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - IEC 规格
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 应用和实施
    1. 6.1 应用信息
    2. 6.2 典型应用
      1. 6.2.1 详细设计过程
  8. 7 布局
    1. 7.1 布局指南
    2. 7.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）(1)
参数 测试条件 封装 最小值 典型值 最大值 单位
VRWM 反向关断电压 所有封装 -24 24 V
VBRF 正向击穿电压(2) IIO = 10mA，IO 至 GND 所有封装 25.5 35.5 V
VBRR 反向击穿电压(2) IIO = -10mA、IO 至 GND 所有封装 -35.5 -25.5 V
VCLAMP 钳位电压(3) IPP = 最大值，tp = 8/20µs，IO 至 GND 所有封装 37 V
钳位电压(4) IPP = 16A，TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO SOT-23 和 SC-70 35 V
DFN1110-3 38 V
ILEAK 漏电流 VIO = ±24V、IO 至 GND 所有封装 -50 5 50 nA
RDYN 动态电阻(4) IO 至 GND 和 GND 至 IO SOT-23 和 SC-70 0.35 Ω
DFN1110-3 0.43 Ω
CL 线路电容(5) VIO = 0V，f = 1MHz，Vpp = 30mV 所有封装 3 5 pF
(1) 在每个 IO 通道上进行的测量。
(2) VBRF 和 VBRR 被定义为在器件锁存到快速复位状态之前，分别在正向或负向方向上施加 +/-10mA 的电压。
(3) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力。
(4) 非重复电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；方波脉冲；ANSI / ESD STM5.5.1-2008
(5) 在每个通道上从 IO 测量到 GND。