ZHCSZ16A October 2025 – August 2026 BQ25692-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态电流 | ||||||
| IQ_BAT | 静态电池电流 (ISRN + ISRP + ISYS) | VSRP = VSRN = VSYS = 20V、VIN = 0V、TJ < 105°C | 6.5 | 16 | µA | |
| IHIZ_VIN | 高组态模式输入电流 (IACP + IACN + IVIN) | EN_HIZ = 1、VIN = 12V | 11 | 30 | µA | |
| IQ_VIN | 静态输入电流 (IACP + IACN + IVIN) | 不进行开关 | 250 | 300 | µA | |
| 开关,ISYS = ICHG = 0A | 700 | µA | ||||
| IQ_REV | 反向模式下的静态电池电流 (ISRN + ISRP + ISYS) | 不进行开关 | 320 | 370 | µA | |
| 开关 | 700 | µA | ||||
| VIN/VBAT 电源 | ||||||
| VVIN_OP | VIN 工作范围 | VBAT >3.2V | 2.5 | 34 | V | |
| VBAT < 3.2V | 3.2 | 34 | V | |||
| VVIN_OK | VIN 转换器启用阈值 | VIN 上升,无电池 | 2.9 | V | ||
| VVIN_OKZ | VIN 转换器禁用阈值 | VIN 下降,无电池 | 2.35 | V | ||
| VVIN_OVP | VIN 过压上升阈值 | VIN 上升 | 35.5 | 36.3 | 37 | V |
| VIN 内部过压下降阈值 | VIN 下降 | 33.8 | 34.5 | 35.2 | V | |
| VBAT_OK | 允许 OTG 运行的电池电压 | VSRN 上升,无输入 | 2.8 | V | ||
| VBAT_OKZ | 禁用 OTG 运行的电池电压 | VSRN 下降,无输入 | 2.4 | V | ||
| VSYS_SHORT | VSYS 短路电压上升阈值 | 2.085 | 2.2 | 2.3 | V | |
| VSYS 短路电压下降阈值 | 1.9 | 2.0 | 2.1 | V | ||
| 电池充电器 | ||||||
| VREG_RANGE | 典型充电电压调节范围 | 2.4 | 33.0 | V | ||
| VREG_STEP | 典型充电电压步长 | 10 | mV | |||
| VREG_ACC | 充电电压调节精度 | 1 节至 7 节电池、TJ = 0°C 至 85°C | -0.55 | 0.5 | % | |
| 1 节至 7 节电池、TJ = -40°C 至 125°C | -1.15 | 0.9 | % | |||
| 充电电压调节精度、4.2V/节 | 1 节,TJ = 0°C 至 85°C | 4.1769 | 4.2 | 4.221 | V | |
| 2 节,TJ = 0°C 至 85°C | 8.358 | 8.4 | 8.442 | V | ||
| 3 节,TJ = 0°C 至 85°C | 12.537 | 12.6 | 12.663 | V | ||
| 4 节,TJ = 0°C 至 85°C | 16.716 | 16.8 | 16.884 | V | ||
| 5 节,TJ = 0°C 至 85°C | 20.895 | 21.0 | 21.105 | V | ||
| 6 节,TJ = 0°C 至 85°C | 25.074 | 25.2 | 25.326 | V | ||
| 7 节,TJ = 0°C 至 85°C | 29.253 | 29.4 | 29.547 | V | ||
| ICHG_RANGE | 典型充电电流调节范围 | 40 | 3300 | mA | ||
| ICHG_STEP | 典型充电电流步长 | 20 | mA | |||
| ICHG_ACC | 充电电流调节精度 VBAT = 4V/节、RBAT_SNS = 10mΩ | VBAT = 12V、20V、28V。ICHG = 1.5A | 1425 | 1500 | 1575 | mA |
| VBAT = 12V、20V、28V。ICHG = 0.5A | 450 | 500 | 550 | mA | ||
| ITERM_RANGE | 典型终止电流范围 | 20 | 620 | mA | ||
| ITERM_STEP | 典型终止电流阶跃 | 20 | mA | |||
| ITERM_ACC | 终止电流精度、VBAT = 4.2V/节、RBAT_SNS = 10mΩ | VBAT = 12.6V、21V、29.4V。ITERM = 160mA | 140 | 160 | 176 | mA |
| VBAT = 12.6V、21V、29.4V。ITERM = 80mA | 60 | 80 | 120 | mA | ||
| IPRECHG | 典型预充电电流范围 | VBAT < VBAT_LOWV | 20 | 620 | mA | |
| IPRECHG_STEP | 典型预充电电流步长 | 20 | mA | |||
| IPRECHG_ACC | 预充电电流精度、VBAT = 2.5V/节、RBAT_SNS = 10mΩ | VBAT = 7.5V、12.5V、17.5V。IPRECHG = 300mA | 250 | 300 | 330 | mA |
| VBAT = 7.5V、12.5V、17.5V。IPRECHG = 160mA | 110 | 160 | 190 | mA | ||
| IBAT_SHORT | 锂离子电池的涓流充电电流精度 | VBAT < VBAT_SHORT | 100 | mA | ||
| VBAT_SHORT | 涓流充电至预充电转换(1 节-2 节) | VBAT 上升、每节的阈值 | 2.15 | V | ||
| 预充电至涓流充电转换(1 节-2 节) | VBAT 下降、每节的阈值 | 1.85 | V | |||
| 涓流充电至预充电转换(3 节-7 节) | VBAT 上升、每节的阈值 | 2.2 | V | |||
| 预充电至涓流充电转换(3 节-7 节) | VBAT 下降、每节的阈值 | 2.0 | V | |||
| VBAT_LOWV | 预充电至快速充电转换 | VBAT 上升(以 VREG 的百分比表示),VBAT_LOWV = 3 | 69.0 | 71.4 | 73.8 | % |
| VBAT 上升(以 VREG 的百分比表示),VBAT_LOWV = 2 | 64.3 | 66.7 | 69.0 | % | ||
| VBAT 上升(以 VREG 的百分比表示),VBAT_LOWV = 1 | 52 | 55 | 58 | % | ||
| VBAT 上升(以 VREG 的百分比表示),VBAT_LOWV = 0 | 27 | 30 | 33 | % | ||
| VBAT_LOWV_HYS | BAT_LOWV 迟滞 | 5 | % | |||
| VRECHG | 电池充电阈值 | VBAT 下降(以 VREG 的百分比表示),VRECHG = 3 | 97 | % | ||
| VBAT 下降(以 VREG 的百分比表示),VRECHG = 2 | 95.5 | % | ||||
| VBAT 下降(以 VREG 的百分比表示),VRECHG = 1 | 94.1 | % | ||||
| VBAT 下降(以 VREG 的百分比表示),VRECHG = 0 | 92.7 | % | ||||
| ISYS_LOAD | 系统 (SYS) 放电负载电流 | FORCE_ISYS_DSCHG = 1 | 20 | mA | ||
| IVIN_LOAD | 输入 (VIN) 放电负载电流 | FORCE_VIN_DSCHG = 1 | 20 | mA | ||
| 电池保护 | ||||||
| VBAT_OVP | 电池过压阈值 | VBAT 上升,以 VREG 的百分比表示 | 102 | 104 | 105.5 | % |
| VBAT 下降,以 VREG 的百分比表示 | 100 | 102 | 103.5 | % | ||
| 输入电压/电流调节 | ||||||
| VINDPM_RANGE | 输入电压 DPM 调节范围 | 2.5 | 34 | V | ||
| VINDPM_STEP | 典型的输入电压 DPM 调节阶跃 | 20 | mV | |||
| VINDPM_ACC | 输入电压 DPM 调节精度 | VINDPM = 20V | 19.6 | 20 | 20.4 | V |
| VINDPM = 12V | 11.76 | 12 | 12.24 | V | ||
| VINDPM = 4.3V | 4.17 | 4.3 | 4.43 | V | ||
| VINDPM = 3V | 2.85 | 3 | 3.15 | V | ||
| VINDPM_MPPT | 由 MPPT 算法设置的 VINDPM | VOC = 18V、VOC_PCT = 000b (62.5%) | 11.250 | V | ||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 001b (68.75%) | 12.375 | V | ||||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 010b (75%) | 13.500 | V | ||||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 011b (78.125%) | 14.063 | V | ||||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 100b (81.25%) | 14.625 | V | ||||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 101b (84.375%) | 15.188 | V | ||||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 110b (87.5%) | 15.750 | V | ||||
| VOC = 18V、VOC_PCT = 111b (93.75%) | 16.875 | V | ||||
| IINDPM_RANGE | 输入电流压 DPM 调节范围 | 40 | 3300 | mA | ||
| IINDPM_STEP | 典型输入电流 DPM 调节步长 | 20 | mA | |||
| IINDPM_ACC | 输入电流 DPM 调节精度 | IINDPM = 3000mA | 2700 | 2850 | 3000 | mA |
| IINDPM = 1500mA | 1350 | 1425 | 1500 | mA | ||
| IINDPM = 900mA | 810 | 855 | 900 | mA | ||
| IINDPM = 500mA | 450 | 475 | 500 | mA | ||
| KILIM | 输入电流限制比例因子 (IIN_MAX = KILIM / RILIM) | IIN_MAX = 1.6A、1A、0.5A | 2890 | 3333 | 3780 | A x Ω |
| VIH_ILIM_HIZ | 进入高阻态模式的 ILIM_HIZ 输入高电平阈值 | VILIM_HIZ 上升 | 1.77 | V | ||
| 热调节和热关断 | ||||||
| TREG | 结温调节精度 | TREG = 120°C | 120 | °C | ||
| TREG = 80°C | 80 | °C | ||||
| TSHUT | 热关断上升阈值 | 温度上升 | 165 | °C | ||
| TSHUTZ | 热关断下降阈值 | 温度下降 | 130 | °C | ||
| 开关转换器 | ||||||
| FSW | 开关频率 | FSW = 1 | 382.5 | 450 | 517.5 | kHZ |
| FSW = 2 | 425 | 500 | 575 | kHZ | ||
| FSW = 3 | 467.5 | 550 | 632.5 | kHZ | ||
| FSW = 4 | 510 | 600 | 690 | kHZ | ||
| FSW = 5 | 595 | 700 | 805 | kHZ | ||
| FSW = 6 | 1020 | 1200 | 1380 | kHZ | ||
| FSW = 7 | 1870 | 2200 | 2530 | kHZ | ||
| RQ1_ON | VIN 至到 SW1 MOSFET 导通电阻 | 37 | 67 | mΩ | ||
| RQ2_ON | SW1 至 GND MOSFET 导通电阻 | 77 | 140 | mΩ | ||
| RQ3_ON | SW2 至 GND MOSFET 导通电阻 | 77 | 140 | mΩ | ||
| RQ4_ON | SYS 至到 SW2 MOSFET 导通电阻 | 37 | 67 | mΩ | ||
| 旁路模式 | ||||||
| VBYPDRV_REG | 外部旁路 FET 驱动电压 | VIN = 4V、VBYP_DRV - VSRN、VIN > VBAT、EN_BYPASS = 1、EN_EXT_BYPASS = 1 | 4.18 | V | ||
| IBYPDRV_REG | 外部旁路 FET 电荷泵电流限制 | VBYPDRV - VSYS = 5V | 16 | 23 | µA | |
| IBYPDRV_OFF | 外部旁路 FET 关断电流 | 460 | µA | |||
| IEXTBYP_OCP | 退出旁路模式的外部旁路过流限制 | EN_BYPASS = 1、EN_EXT_BYPASS = 1。RAC_SNS = 10mΩ | 5.35 | 5.5 | A | |
| IBYP_OCP | 退出旁路模式的内部旁路过流限制。 | EN_BYPASS = 1、EN_EXT_BYPASS = 0、高于 IINDPM 设置的百分比。 RAC_SNS = 10mΩ | 15 | % | ||
| IBYP_LL | 退出旁路模式的旁路轻负载电流限制 | EN_BYPASS = 1、电流下降。 RAC_SNS = 10mΩ | 130 | mA | ||
| IREV_EXTBYP_OCP | 退出旁路模式的外部反向旁路过流限制 | EN_REV = 1、EN_BYPASS = 1、EN_EXT_BYPASS = 1。RAC_SNS = 10mΩ | 5.35 | 5.5 | A | |
| IREV_BYP_OCP | 退出旁路模式的内部反向旁路过流限制 | EN_REV = 1、EN_BYPASS = 1、EN_EXT_BYPASS = 0、高于 IIN_REV 设置的百分比。 RAC_SNS = 10mΩ | 15 | % | ||
| IREV_BYP_LL | 退出旁路模式的反向旁路轻负载电流限制 | EN_BYPASS = 1、EN_EXT_BYPASS = 0、反向电流下降。 RAC_SNS = 10mΩ | 122 | mA | ||
| 反向模式电压和电流调节 | ||||||
| VINREV_RANGE | VIN 处的反向模式电压调节范围 | 3.5 | 34 | V | ||
| VINREV_STEP | VIN 处的反向模式电压调节步长 | 20 | mV | |||
| VINREV_ACC | VIN 处的反向模式电压调节 | VIN_REV = 20V | 19.8 | 20 | 20.2 | V |
| VIN_REV = 15V | 14.8 | 15 | 15.2 | V | ||
| VIN_REV = 9V | 8.8 | 9 | 9.2 | V | ||
| VIN_REV = 5V | 4.8 | 5 | 5.2 | V | ||
| VINREV_BACKUP | 触发反向备用模式的 VIN 下降阈值。定义为 VINDPM 的百分比 | VIN_BACKUP = 100%、VINDPM = 15V | 93.5 | 100 | 106.5 | % |
| VIN_BACKUP = 80%、VINDPM = 15V | 75 | 80 | 85 | % | ||
| VIN_BACKUP = 60%、VINDPM = 15V | 56 | 60 | 64 | % | ||
| VIN_BACKUP = 50%、VINDPM = 15V | 46 | 50 | 54 | % | ||
| IIN_REV_RANGE | ACP/ACN 之间的反向模式电流调节范围 | 40 | 3300 | mA | ||
| IIN_REV_STEP | ACP/ACN 之间的反向模式电流调节步长 | 20 | mA | |||
| IIN_REV_ACC | ACP/ACN 之间上的反向模式电流调节精度 | IIN_REV = 3000mA | 2680 | 2850 | 3000 | mA |
| IIN_REV = 1500mA | 1300 | 1425 | 1500 | mA | ||
| IIN_REV = 900mA | 750 | 855 | 930 | mA | ||
| IIN_REV = 500mA | 380 | 475 | 560 | mA | ||
| IBATREV_ACC | SRP/SRN 之间的反向模式电池放电电流调节精度 | IBAT_REV = 3.56A | 3410 | 3560 | 3710 | mA |
| IBAT_REV = 2.28A | 2130 | 2280 | 2430 | mA | ||
| IBAT_REV = 1A | 850 | 1000 | 1150 | mA | ||
| VINREV_OV | 反向模式 VIN 上升阈值 | VIN 上升,以 VIN_REV 的百分比表示 | 110 | % | ||
| VINREV_UV | 停止转换器的反向模式 VIN 下降阈值 | VIN 下降 | 2.95 | V | ||
| IREV_TERM | 用于触发 REV_TERM_STAT 的反向模式 IBUS 阈值 | ITERM = 500mA | 1028.4 | mA | ||
| ITERM = 100mA | 234.8 | mA | ||||
| ITERM = 20mA | 76.9 | mA | ||||
| IREV_TERMZ | 用于复位 REV_TERM_STAT 的反向模式 IBUS 阈值 | ITERM = 500mA | 1101.2 | mA | ||
| ITERM = 100mA | 307.5 | mA | ||||
| ITERM = 20mA | 147.8 | mA | ||||
| 电池组 NTC 监控器(充电模式) | ||||||
| VT1_RISE | TS 引脚电压上升 T1 阈值,高于该电压时充电暂停。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH1 = 0°C(带 103AT) | 72.0 | 73.3 | 74.2 | % |
| VT1_FALL | TS 引脚电压下降 T1 阈值,低于该电压时重新启用充电。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH1 = 0°C(带 103AT) | 71.0 | 72 | 73.5 | % |
| VT2_RISE | TS 引脚电压上升 T2 阈值,高于该电压时重新充电至降低的 ICHG | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH2 = 10°C(带 103AT) | 67.0 | 68.25 | 69.25 | % |
| VT2_FALL | TS 引脚电压下降 T2 阈值。低于该电压时重新充电至正常状态 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH2 = 10°C(带 103AT) | 66.0 | 66.95 | 68.5 | % |
| VT3_FALL | TS 引脚电压下降 T3 阈值,低于该电压时重新充电至降低的 VREG。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH3 = 45°C(带 103AT) | 43.75 | 44.75 | 45.75 | % |
| VT3_RISE | TS 引脚电压上升 T3 阈值。高于该电压时重新充电至正常状态。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH3 = 45°C(带 103AT) | 45.0 | 46.05 | 46.55 | % |
| VT5_FALL | TS 引脚电压下降 T5 阈值,低于该电压时充电暂停 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH5 = 60°C(带 103AT) | 33.5 | 34.375 | 34.875 | % |
| VT5_RISE | TS 引脚电压上升 T5 阈值。高于该电压时以降低的 VREG 充电。 | 以 REGN 的百分比表示,TS_TH5 = 60°C(带 103AT) | 34.5 | 35.5 | 36 | % |
| 电池包 NTC 监控器(反向模式) | ||||||
| VTS_REV_COLD_RISE | TS 引脚电压上升 TS COLD 阈值。高于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_COLD = –20°C,带 103AT) | 78.0 | 80 | 81.0 | % |
| 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_COLD= –10°C,带 103AT) | 75.0 | 77.15 | 78.0 | % | ||
| VTS_REV_COLD_FALL | TS 引脚电压下降 TS COLD 阈值。低于该电压时反向模式恢复 | 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_COLD= –20°C,带 103AT) | 77.5 | 78.7 | 80.0 | % |
| 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_COLD= –10°C,带 103AT) | 74.5 | 75.6 | 77.0 | % | ||
| VTS_REV_HOT_FALL | TS 引脚电压下降 TS HOT 阈值。低于该电压时反向模式暂停 | 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_HOT = 55°C,带 103AT) | 36.5 | 37.7 | 38.2 | % |
| 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_HOT = 60°C,带 103AT) | 33.5 | 34.375 | 34.875 | % | ||
| 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_HOT = 65°C,带 103AT) | 30.5 | 31.25 | 31.75 | % | ||
| VTS_REV_HOT_RISE | TS 引脚电压上升 TS HOT 阈值。高于该电压时反向模式恢复 | 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_HOT = 55°C,带 103AT) | 38.5 | 39 | 39.95 | % |
| 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_HOT = 60°C,带 103AT) | 34.5 | 35.5 | 36 | % | ||
| 以 REGN 的百分比表示(TS_REV_HOT = 65°C,带 103AT) | 31.5 | 32.5 | 33 | % | ||
| REGN LDO | ||||||
| VREGN | REGN LDO 输出电压 | VIN = 5V、IREGN = 20mA | 4.6 | 4.8 | V | |
| VIN = 15V、IREGN = 20mA | 4.8 | 5 | 5.2 | V | ||
| IREGN | REGN LDO 电流限制 | VIN = 5V、VREGN = 4.5V | 26 | mA | ||
| I2C 接口(SCL、SDA) | ||||||
| VIH | 输入高阈值电平 | 1.3 | V | |||
| VIL | 输入低阈值电平 | 0.4 | V | |||
| VOL | SDA 输出低阈值电平 | 0.4 | V | |||
| IIN_BIAS | 高电平漏电流 | 1 | µA | |||
| 逻辑输入引脚 (CE) | ||||||
| VIH | 输入高阈值电平 | 1.3 | V | |||
| VIL | 输入低阈值电平 | 0.4 | V | |||
| IIN_BIAS | 高电平漏电流 | 上拉电源轨 1.8V | 1 | µA | ||
| 逻辑输出引脚 (INT, STAT) | ||||||
| VOL | 输出低阈值电平 | 灌电流 = 5mA | 0.4 | V | ||
| IOUT_BIAS | 高电平漏电流 | 上拉电源轨 1.8V | 2 | µA | ||