ZHCSZ16A October 2025 – August 2026 BQ25692-Q1
PRODUCTION DATA
该器件支持旁路模式,允许 VSYS = VIN(无需调节)并实现出色效率。在该运行模式下,降压和升压高侧 FET(Q1 和 Q4)均导通,而降压和升压低侧 FET(Q2 和 Q3)保持关断。输入功率直接通过功率级传递到输出。MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗被消除,从而提供出色效率。通过将 EN_BYPASS 寄存器位设置为 1 启用旁路模式。旁路模式需要 RAC_SNS 电阻器来检测过流和轻负载条件。
将 USB-PD 可编程电源 (PPS) 用作输入适配器时,可以利用旁路模式在电池快速充电周期中实现闪充。通过启用闪充,可以使用更大的充电电流进一步提高充电效率。在预充电和恒压 (CV) 充电阶段,充电器可以返回降压/升压模式。
当器件处于旁路模式时,流过 RAC_SNS 的电流受到监测并与 IINDPM 寄存器设置进行比较。如果输入电流超过 IBYP_OCP(比 IINDPM 设置高 15%)且持续时间达到 tBYP_OCP,则器件自动退出旁路模式并返回到 PWM 调节模式(开关功率级已启用)。EN_BYPASS 位清零,BYPASS_FLAG 位设置,并且 INT 脉冲被置为有效以向主机表明 BYPASS_MASK 是否被清除。
当 VSYS 电压处于 VIN 电压的 0.5V 以内时,方可进入旁路模式,以避免浪涌电流误触发旁路电路的过流保护。
若要使 Q1 和 Q4 保持持续导通,SRN/SRP 的电压必须与 VIN/VSYS 的电压相差在大约 2V 以内。如果 VSYS-VBAT > 2V,则会进行自举刷新。
除了内部旁路模式,该器件还提供外部旁路模式,可实现最高效率且电流高达 5A。在这种情况下,BYPDRV 引脚驱动外部背对背 MOSFET,以便将 VIN 直接连接到 SYS。可以通过设置 EN_EXT_BYPASS = 1 以及 EN_BYPASS = 1 来启用外部旁路模式。如果在 EN_BYPASS = 0 时 EN_EXT_BYPASS = 1,则不会进入旁路模式。EN_BYPASS 位决定是否启用旁路模式。如果 EN_BYPASS = 1,则 EN_EXT_BYPASS 决定是否启用外部旁路。在器件通过 EN_BYPASS 进入旁路模式之前或之后设置 EN_EXT_BYPASS。
当器件处于外部旁路模式时,流经 RAC_SNS 的电流受到监测。如果 RAC_SNS 电流超过 IEXTBYP_OCP 且持续时间达到 tBYP_OCP,器件自动退出外部旁路模式并返回到 PWM 调节模式(开关功率级已启用)。EN_BYPASS 位清零,BYPASS_FLAG 位设置,并且 INT 脉冲被置为有效以向主机表明 BYPASS_MASK 是否被清除。请注意 EN_EXT_BYPASS 位不变。
充电器处于旁路模式时为防止在移除输入源后发生反向升压,提供了轻负载旁路自动退出功能。充电器进行监测直到输入电流降至 IBYP_LL 以下,此时充电器会自动退出旁路模式并返回 PWM 调节模式。在内部和外部旁路模式下,该保护功能均处于活动状态活。通过设置 EN_BYPASS_LL_EXIT = 0 禁用该保护功能。EN_BYPASS 位清零,BYPASS_FLAG 位设置,并且 INT 脉冲被置为有效以向主机表明 BYPASS_MASK 是否被清除。