ZHCSYT4 August   2025 LMKDB1202 , LMKDB1204

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SMBus 时序要求
    7. 6.7 SBI 时序要求
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入特性
        1. 8.3.1.1 在器件断电时运行输入时钟
        2. 8.3.1.2 失效防护输入
        3. 8.3.1.3 输入配置
          1. 8.3.1.3.1 用于时钟输入的内部端接
          2. 8.3.1.3.2 交流耦合或直流耦合时钟输入
      2. 8.3.2 灵活的电源序列
        1. 8.3.2.1 PWRDN# 置为有效和置为无效
        2. 8.3.2.2 OE# 置为有效和置为无效
        3. 8.3.2.3 器件电源关闭时的时钟输入和 PWRGD/PWRDN# 行为
      3. 8.3.3 LOS 和 OE
        1. 8.3.3.1 同步 OE
        2. 8.3.3.2 OE 控制
          1. 8.3.3.2.1 OE 映射
        3. 8.3.3.3 自动输出禁用
        4. 8.3.3.4 LOS 检测
      4. 8.3.4 输出特性
        1. 8.3.4.1 输出组
        2. 8.3.4.2 双端接
        3. 8.3.4.3 可编程输出压摆率
          1. 8.3.4.3.1 通过 SMBus 进行压摆率控制
        4. 8.3.4.4 可编程输出摆幅
        5. 8.3.4.5 准确的输出阻抗
        6. 8.3.4.6 可编程输出阻抗
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 SMBus 模式
      2. 8.4.2 SBI 模式
      3. 8.4.3 引脚模式
  10. 9 寄存器映射
    1. 9.1 LMKDB12xx 寄存器
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 应用曲线
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

9.1 LMKDB12xx 寄存器

表 9-1 列出了 LMKDB1204 寄存器的存储器映射寄存器。表 9-1 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不得修改寄存器内容。

表 9-1 LMKDB12xx 寄存器
偏移首字母缩写词寄存器名称部分
0hR0CLK2 和 CLK3 的输出使能控制节 9.1.1
1hR1CLK0 和 CLK1 的输出使能控制节 9.1.2
2hR2CLK2 和 CLK3 的 OE 引脚回读节 9.1.3
3hR3CLK0 和 CLK1 的 OE 引脚回读节 9.1.4
4hR4CLKIN1 AOD 使能控制节 9.1.5
5hR5器件信息节 9.1.6
6hR6器件信息（续）节 9.1.7
7hR7SMBus 字节计数器节 9.1.8
11hR17输出幅度节 9.1.9
12hR18输入配置、在 PD 中保存配置、SMB SDATA 监测和 LOS 回读节 9.1.10
14hR20CLK2 和 CLK3 的输出压摆率选择 MSB节 9.1.11
15hR21CLK0 和 CLK1 的输出压摆率选择 MSB节 9.1.12
24hR36CLKIN0 AOD 使能控制节 9.1.13
26hR38不可清除的 SMBUS 写入锁定节 9.1.14
27hR39LOS 事件状态和可清除的 SMBus 写入锁定节 9.1.15
2BhR43CLKIN 源选择节 9.1.16
5BhR91压摆率速度选项 1 和 2 分配节 9.1.17
5ChR92压摆率速度选项 3 和 4 分配节 9.1.18
5DhR93CLKIN0 交流/直流耦合选择节 9.1.19
62hR98CLK0 和 CLK1 的输出压摆率选择 LSB节 9.1.20
63hR99CLK2 和 CLK3 的输出压摆率选择 LSB节 9.1.21

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 9-2 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 9-2 LMKDB12xx 访问类型代码
访问类型代码说明
读取类型
RR读取
写入类型
WW写入
W1CW
1C		写入
1 以清零
复位或默认值
-n复位后的值或默认值

9.1.1 R0 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = 28h]

R0 如表 9-3 所示。

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表 9-3 R0 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留
5CLK_EN_1R/W1hCLK1 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
4RESERVEDR0h保留
3CLK_EN_0R/W1hCLK0 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
2:0RESERVEDR0h保留

9.1.2 R1 寄存器（偏移 = 1h）[复位 = 14h]

R1 如表 9-4 所示。

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表 9-4 R1 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:5RESERVEDR0h保留
4CLK_EN_3R/W1hCLK3 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
3RESERVEDR0h保留
2CLK_EN_2R/W1hCLK2 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
1:0RESERVEDR0h保留

9.1.3 R2 寄存器（偏移 = 2h）[复位 = 00h]

R2 如表 9-5 所示。

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表 9-5 R2 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留
5RB_OEb_1R0hOEb1 的状态
4RESERVEDR0h保留
3RB_OEb_0R0hOEb0 的状态
2:0RESERVEDR0h保留

9.1.4 R3 寄存器（偏移 = 3h）[复位 = 00h]

R3 如表 9-6 所示。

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表 9-6 R3 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:5RESERVEDR0h保留
4RB_OEb_3R0hOEb3 的状态
3RESERVEDR0h保留
2RB_OEb_2R0hOEb2 的状态
1:0RESERVEDR0h保留

9.1.5 R4 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = 10h]

R4 如表 9-7 所示。

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表 9-7 R4 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:5RESERVEDR0h保留
4CLKIN1_AOD_ENABLER/W1h当检测到 LOS 事件时，启用 CLKIN1 的自动输出禁用 (AOD)，切换到低电平/低电平。有关详细信息，请参阅“自动输出禁用”部分。
0h = 不活动
1h = 活动
3:0RESERVEDR0h保留

9.1.6 R5 寄存器（偏移 = 5h）[复位 = 0Ah]

R5 如表 9-8 所示。

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表 9-8 R5 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4REV_IDR0h修订 ID
3:0VENDOR_IDRAh供应商 ID

9.1.7 R6 寄存器（偏移 = 6h）[复位 = 24h]

R6 如表 9-9 所示。

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表 9-9 R6 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:0DEV_IDR24h器件 ID

9.1.8 R7 寄存器（偏移 = 7h）[复位 = 07h]

R7 如表 9-10 所示。

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表 9-10 R7 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:5RESERVEDR0h保留
4:0SMBUS_BCR/W7hSMBUS 块读取字节计数

9.1.9 R17 寄存器（偏移 = 11h）[复位 = 66h]

R17 如表 9-11 所示。

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表 9-11 R17 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4AMP_BANK1R/W6h全局差分输出控制，约 0.6V 至 1V 25mV/步长（默认值 = 0.75V）
0h = 600mV
1h = 625mV
2h = 650mV
3h = 675mV
4h = 700mV
5h = 725mV
6h = 750mV
7h = 775mV
8h = 800mV
9h = 825mV
Ah = 850mV
Bh = 875mV
Ch = 900mV
Dh = 925mV
Eh = 950mV
Fh = 975mV
3:0AMP_BANK0R/W6h全局差分输出控制，约 0.6V 至 1V 25mV/步长（默认值 = 0.75V）
0h = 600mV
1h = 625mV
2h = 650mV
3h = 675mV
4h = 700mV
5h = 725mV
6h = 750mV
7h = 775mV
8h = 800mV
9h = 825mV
Ah = 850mV
Bh = 875mV
Ch = 900mV
Dh = 925mV
Eh = 950mV
Fh = 975mV

9.1.10 R18 寄存器（偏移 = 12h）[复位 = 0Ah]

R18 如表 9-12 所示。

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表 9-12 R18 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7RX_CLKIN1_EN_AC_INPUTR/W0h当 CLKIN1 是交流耦合时启用接收器偏置
0h = 直流耦合输入
1h = 交流耦合输入
6RX_CLKIN1_EN_RTERMR/W0h启用 CLKIN1 上的端接电阻器
0h = 输入端接未激活
1h = 输入端接激活
5RX_CLKIN0_EN_RTERMR/W0h启用 CLKIN0 上的端接电阻器
0h = 输入端接未激活
1h = 输入端接激活
4RESERVEDR0h保留
3PD_RESTOREBR1h断电时保存配置
0h = 配置已清除
1h = 配置已保存
2RESERVEDR0h保留
1SDATA_TIMEOUT_ENR1h启用 SMBus SDATA 超时监控
0h = 禁用 SDATA 超时
1h = 启用 SDATA 超时
0LOSb_RBR0h实时回读丢失检测块输出
0h = 检测到 LOS 事件
1h = 未检测到 LOS 事件

9.1.11 R20 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = 28h]

R20 如表 9-13 所示。

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表 9-13 R20 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留
5SLEWRATE_SEL_CLK1_MSBR/W1hMSB CLK1 压摆率选择
4RESERVEDR0h保留
3SLEWRATE_SEL_CLK0_MSBR/W1hMSB CLK0 压摆率选择
2:0RESERVEDR0h保留

9.1.12 R21 寄存器（偏移 = 15h）[复位 = 14h]

R21 如表 9-14 所示。

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表 9-14 R21 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:5RESERVEDR0h保留
4SLEWRATE_SEL_CLK3_MSBR/W1hMSB CLK3 压摆率选择
3RESERVEDR0h保留
2SLEWRATE_SEL_CLK2_MSBR/W1hMSB CLK2 压摆率选择
1:0RESERVEDR0h保留

9.1.13 R36 寄存器（偏移 = 24h）[复位 = 09h]

R36 如表 9-15 所示。

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表 9-15 R36 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4RESERVEDR0h保留
3CLKIN0_AOD_ENABLER/W1h当检测到 LOS 事件时，启用 CLKIN0 的自动输出禁用 (AOD)，切换到低电平/低电平。有关详细信息，请参阅“自动输出禁用”部分。
0h = 不活动
1h = 活动
2:0RESERVEDR0h保留

9.1.14 R38 寄存器（偏移 = 26h）[复位 = 00h]

R38 如表 9-16 所示。

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表 9-16 R38 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:1RESERVEDR0h保留
0WRITE_LOCKR0h不可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时，无法写入 SMBus 控制寄存器。该位只能通过下电上电来清除。
0h = SMBus 未进行写入锁定
1h = SMBus 已进行写入锁定

9.1.15 R39 寄存器（偏移 = 27h）[复位 = 00h]

R39 如表 9-17 所示。

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表 9-17 R39 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:2RESERVEDR0h保留
1LOS_EVTR0hLOS 事件状态。处于高电平时，指示检测到 LOS 事件。可通过写入 1 来清除。
0h = 未检测到 LOS 事件
1h = 检测到 LOS 事件
0WRITE_LOCK_RW1CR/W1C0h可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时，无法写入 SMBus 控制寄存器。可通过向该位写入 1 来清除该位。
0h = SMBus 未进行写入锁定
1h = SMBus 已进行写入锁定

9.1.16 R43 寄存器（偏移 = 2Bh）[复位 = 00h]

R43 如表 9-18 所示。

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表 9-18 R43 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留
5:4CLKIN_SELR/W0hCLKIN 源选择
0h = 所有输出都来自 CLKIN0
1h = CLKIN0 输入转到 BANK0，CLKIN1 输入转到 BANK1
2h = 无效
3h = 所有输出都来自 CLKIN1
3:0RESERVEDR0h保留

9.1.17 R91 寄存器（偏移 = 5Bh）[复位 = 60h]

R91 如表 9-19 所示。

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表 9-19 R91 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4SLEWRATE_OPT_2R/W6h有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 2 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。
0h = 0（最快）
1h = 1
2h = 2
3h = 3
4h = 4
5h = 5
6h = 6
7h = 7
8h = 8
9h = 9
Ah = 10
Bh = 11
Ch = 12
Dh = 13
Eh = 14
Fh = 15（最慢）
3:0SLEWRATE_OPT_1R/W0h有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 1 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。
0h = 0（最快）
1h = 1
2h = 2
3h = 3
4h = 4
5h = 5
6h = 6
7h = 7
8h = 8
9h = 9
Ah = 10
Bh = 11
Ch = 12
Dh = 13
Eh = 14
Fh = 15（最慢）

9.1.18 R92 寄存器（偏移 = 5Ch）[复位 = FAh]

R92 如表 9-20 所示。

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表 9-20 R92 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4SLEWRATE_OPT_4R/WFh有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 4 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。
0h = 0（最快）
1h = 1
2h = 2
3h = 3
4h = 4
5h = 5
6h = 6
7h = 7
8h = 8
9h = 9
Ah = 10
Bh = 11
Ch = 12
Dh = 13
Eh = 14
Fh = 15（最慢）
3:0SLEWRATE_OPT_3R/WAh有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 3 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。
0h = 0（最快）
1h = 1
2h = 2
3h = 3
4h = 4
5h = 5
6h = 6
7h = 7
8h = 8
9h = 9
Ah = 10
Bh = 11
Ch = 12
Dh = 13
Eh = 14
Fh = 15（最慢）

9.1.19 R93 寄存器（偏移 = 5Dh）[复位 = 00h]

R93 如表 9-21 所示。

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表 9-21 R93 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:1RESERVEDR0h保留
0RX_CLKIN0_EN_AC_INPUTR/W0h当 CLKIN0 是交流耦合时启用接收器偏置
0h = 直流耦合输入
1h = 交流耦合输入

9.1.20 R98 寄存器（偏移 = 62h）[复位 = 00h]

R98 如表 9-22 所示。

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表 9-22 R98 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留
5SLEWRATE_SEL_CLK2_LSBR/W0hLSB CLK2 压摆率控制
4SLEWRATE_SEL_CLK3_LSBR/W0hLSB CLK3 压摆率控制
3:0RESERVEDR0h保留

9.1.21 R99 寄存器（偏移 = 63h）[复位 = 00h]

R99 如表 9-23 所示。

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表 9-23 R99 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7RESERVEDR0h保留
6SLEWRATE_SEL_CLK0_LSBR/W0hLSB CLK0 压摆率控制
5:3RESERVEDR0h保留
2SLEWRATE_SEL_CLK1_LSBR/W0hLSB CLK1 压摆率控制
1:0RESERVEDR0h保留