ZHCSYO4 July   2025 TPSM81299

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  升压控制操作
      2. 7.3.2  版本检测
      3. 7.3.3  欠压锁定
      4. 7.3.4  开关频率
      5. 7.3.5  平均输入电流限制
      6. 7.3.6  启用和禁用
      7. 7.3.7  软启动时序
      8. 7.3.8  向下计数模式
      9. 7.3.9  直通操作
      10. 7.3.10 输出接地短路保护
      11. 7.3.11 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 快速负载瞬态模式和正常模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用 - 锂离子电池至 5V 升压转换器（正常模式下）
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 最大输出电流
        2. 8.2.2.2 输出电容器选型
        3. 8.2.2.3 输入电容器选型
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
    5. 8.5 热性能信息
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.9 直通操作

当输入电压接近或高于输出电压时，TPSM81299 采用降压模式和直通运行。

在降压模式运行期间，即使输入电压高于输出电压，该器件也会将输出电压调节到目标电压。控制电路通过将其栅极拉至输入电压而非地来控制对 P 沟道 MOSFET 进行整流的操作。这样，P 沟道 MOSFET 两端的压降增加至足以调节输出电压的程度。

在直通模式下，TPSM81299 停止开关并打开高侧 P 沟道 MOSFET。输出电压等于输入电压减去电感器 DCR 与 P 沟道 MOSFET 的导通电阻 (RDS(on)) 两端的压降。在直通运行期间，该器件会禁用输入电流限制功能、反向电流保护和热关断。

对于输入电流限制等于或高于 250mA 的版本，当输入电压逐渐上升时，器件会在 AVIN > VOUT-35mV 时进入降压模式。器件会保持在降压模式，直至 AVIN > VOUT+100mV，然后自动进入直通运行。在直通运行时，输出电压跟随输入电压。TPSM81299 退出直通运行，并在输出电压降至低于设置目标电压减去 75mV 时恢复为升压模式。

对于输入电流限制等于或低于 100mA 的版本，当输入电压逐渐上升时，器件会在 AVIN > VOUT-35mV(Vboost_down) 时进入降压模式。器件会保持在降压模式，直至 AVIN > VOUT+38mV(Vdown_pass)，然后自动进入直通运行。在直通运行时，输出电压跟随输入电压。TPSM81299 退出直通运行，并在输出电压降至低于设置目标电压减去 78mV(Vpass_boost)device 时恢复为升压模式。

TPSM81299 针对 250mA 及更高输入电流限制版本的模式转换图 7-4 针对 250mA 及更高输入电流限制版本的模式转换
TPSM81299 针对 100mA 及更低输入电流限制版本的模式转换
图 7-5 针对 100mA 及更低输入电流限制版本的模式转换