ZHCSYJ0AA April   1999  – October 2025 SN74LVC1G14

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性：-40°C 至 85°C
    7. 5.7 开关特性：-40°C 至 125°C
    8. 5.8 工作特性
    9. 5.9 典型特性
  7.   参数测量信息
  8. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 平衡型高驱动 CMOS 推挽式输出
      2. 6.3.2 CMOS 施密特触发输入
      3. 6.3.3 钳位二极管
      4. 6.3.4 局部断电 (Ioff)
      5. 6.3.5 过压容限输入
    4. 6.4 器件功能模式
  9. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  10. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  11. 9 修订历史记录
  12. 10机械、封装和可订购信息

6.3.2 CMOS 施密特触发输入

标准 CMOS 输入为高阻抗，通常建模为与输入电容并联的电阻器，如 电气特性 中所示。最坏情况下的电阻是根据 绝对最大额定值 中给出的最大输入电压和 电气特性 中给出的最大输入漏电流，使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。

施密特触发输入架构可提供由 电气特性 中指定的磁滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。慢速驱动输入还会增加器件的动态电流消耗。