ZHCSYG9 June   2025 TPD4S201-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - JEDEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 ESD 等级 - ISO 规格
    5. 5.5 建议运行条件
    6. 5.6 热性能信息
    7. 5.7 电气特性
    8. 5.8 时序要求
    9. 5.9 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 4 通道 VBUS 短路过压保护（CC1、CC2、SBU1、SBU2 引脚或 CC1、CC2、DP、DM 引脚）：可耐受 28VDC
      2. 6.3.2 4 通道 IEC 61000-4-2 ESD 保护（CC1、CC2、SBU1、SBU2 引脚）
      3. 6.3.3 可处理最高 600mA 电流的 CC1 和 CC2 过压保护 FET 支持 VCONN 电源电流通过
      4. 6.3.4 集成 CC 无电电池电阻器用于处理移动设备中的电池无电用例
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
        1. 7.2.1.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VBIAS 电容器选型
        2. 7.2.2.2 CC 线路电容
        3. 7.2.2.3 FLT 引脚运行
        4. 7.2.2.4 电池无电运行
        5. 7.2.2.5 参考
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.1 VBIAS 电容器选型

如节 5.5 表中所述，VBIAS 引脚需使用额定电压至少为 50VBUS 电容器，建议选用 50VBUS 的电容器。VBIAS 电容器与 TPD4S201-Q1 内部集成的中央二极管钳位并联。正向偏置隐藏二极管将 VBIAS 引脚连接到 C_CCx 和 C_SBUx 引脚。因此，当发生 20V 的 VBUS 短路事件时，VBIAS 引脚将暴露于 20VBUS 减去正向偏置二极管压降后的电压。此外，在 VBUS 短路事件期间，振铃可能导致电压达到 20V 稳定电压的两倍，从而可能导致 C_CCx 和 C_SBUx 引脚暴露于 40V 电压。因此，至少需要 50V 电容器，以确保 VBIAS 电容器在 VBUS 短路事件期间不会出现损坏。

建议使用 50V X7R 电容器来进一步提高电容器的降额性能。当实际电容器上的电压增加时，电容值会下降。电容器降额越多，VBUS 短路时 RLC 电路中的振铃就越大。50V X7R 电容器具有出色的降额性能，从而确保 TPD4S201-Q1 在 VBUS 短路期间具有出色的性能。