ZHCSYB3J August   2006  – May 2025 TLE4275-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序图
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源正常状态复位 (RESET)
      2. 7.3.2 可调节电源正常 RESET 延迟计时器 (DELAY)
        1. 7.3.2.1 设置可调电源正常复位延迟
      3. 7.3.3 欠压锁定
      4. 7.3.4 电流限值
      5. 7.3.5 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常运行
      2. 7.4.2 压降运行
      3. 7.4.3 禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入和输出电容器选择
        1. 8.1.1.1 旧芯片电容器选择
        2. 8.1.1.2 新芯片电容器选择
          1. 8.1.1.2.1 输出电容器
          2. 8.1.1.2.2 输入电容器
      2. 8.1.2 压降电压
      3. 8.1.3 反向电流
      4. 8.1.4 功率耗散 (PD)
        1. 8.1.4.1 热性能与铜面积
        2. 8.1.4.2 功率耗散与环境温度之间的关系
      5. 8.1.5 估算结温
      6. 8.1.6 设置可调电源正常复位延迟
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 输入电容器
        2. 8.2.2.2 输出电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

指定条件为：TJ = –40°C 至 +150°C、VIN = 13.5V、IOUT = 0 mA、COUT = 2.2µF、1mΩ < COUT ESR < 2Ω、CIN = 1µF、典型值为 TJ = 25°
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VOUT 输出电压 VIN = 6V 至 28V，IOUT = 5mA 至 400mA 4.9 5 5.1 V
VIN = 6V 至 40V，IOUT = 5mA 至 200mA 4.9 5 5.1
IO 输出电流限制 450 700 950 mA
ΔVOUT(ΔIOUT) 负载调整（旧芯片） IOUT = 5mA 至 400mA 15 30 mV
负载调整（新芯片） IOUT = 5mA 至 400mA，VIN = 6V 15 30
ΔVOUT(ΔVIN) 线路调整（旧芯片） VIN = 8V 至 32V，IOUT = 5mA -15 5 15 mV
线路调整（新芯片） VIN = 6V 至 40V，IOUT = 5mA -15 5 15
IQ 电流消耗，IQ = IIN – IOUT（旧芯片） IOUT = 1mA TJ = 25ºC 150 200 µA
TJ ≤ 85ºC 150 220
电流消耗，IQ = IIN – IOUT（新芯片） TJ = 25ºC 28 50
TJ ≤ 85ºC 28 55
电流消耗，IQ = IIN – IOUT IOUT = 250mA 5 10 mA
IOUT = 400mA 12 22
VDO 压降电压 IOUT = 300mA，VDO = VIN – VOUT 250 500 mV
VUVLO(RISING) 上升输入电源 UVLO（新芯片） VIN 上升 2.6 2.7 2.82 V
VUVLO(FALLING) 下降输入电源 UVLO（新芯片） VIN 下降 2.38 2.5 2.6 V
VUVLO(HYST) V UVLO(IN) 迟滞（新芯片） 230 mV
PSRR 电源抑制比 频率 = 100Hz，Vr = 0.5 Vpp 60 dB
ΔVOUT/ΔT 温度输出电压漂移： 0.5 mV/K
VRESET(OL) RESET (PG) 引脚低电平输出电压（旧芯片） Rext ≥ 5kΩ，VOUT > 1V 0.2 0.4 V
RESET (PG) 引脚低电平输出电压（新芯片） Rext ≥ 5kΩ，1V ≤ VOUT < 4.5V 0.2 0.4
VOUT(RT) RESET (PG) 开关阈值（旧芯片） 4.5 4.65 4.8 V
RESET (PG) 开关阈值（新芯片） VOUT 上升 4.25 4.75
IROH RESET 输出漏电流 VROH = 5V 0 10 µA
IDLY(CHARGE) RESET 充电电流（旧芯片） DELAY 引脚的电压 = 1V 3 5.5 9 µA
RESET 充电电流（新芯片） 1 1.5 2
VDELAY_U (TH) RESET 时序阈值上限（旧芯片） DELAY 引脚上升时的电压 1.5 1.8 2.2 V
RESET 时序阈值上限（新芯片） DELAY 引脚上升时的电压 1.17 1.21 1.25
VDELAY_RL (TH) RESET 时序阈值下限（旧芯片） DELAY 引脚上升时的电压 0.2 0.4 0.7 V
TSD(SHUTDOWN) 结关断温度（新芯片） 175 °C
TSD(HYST) 热关断迟滞（新芯片） 20 °C