ZHCSYB3J August   2006  – May 2025 TLE4275-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序图
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源正常状态复位 (RESET)
      2. 7.3.2 可调节电源正常 RESET 延迟计时器 (DELAY)
        1. 7.3.2.1 设置可调电源正常复位延迟
      3. 7.3.3 欠压锁定
      4. 7.3.4 电流限值
      5. 7.3.5 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常运行
      2. 7.4.2 压降运行
      3. 7.4.3 禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入和输出电容器选择
        1. 8.1.1.1 旧芯片电容器选择
        2. 8.1.1.2 新芯片电容器选择
          1. 8.1.1.2.1 输出电容器
          2. 8.1.1.2.2 输入电容器
      2. 8.1.2 压降电压
      3. 8.1.3 反向电流
      4. 8.1.4 功率耗散 (PD)
        1. 8.1.4.1 热性能与铜面积
        2. 8.1.4.2 功率耗散与环境温度之间的关系
      5. 8.1.5 估算结温
      6. 8.1.6 设置可调电源正常复位延迟
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 输入电容器
        2. 8.2.2.2 输出电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.2.3 应用曲线

旧芯片：IOUT = 200mA、CIN = 22µF 且 COUT = 10µF；新芯片：在 TJ = –40°C 至 +150°C、VIN = 13.5V、IOUT = 100µA、COUT = 2.2µF、1mΩ < COUT ESR < 2Ω 且 CIN = 1µF 条件下指定（除非另有说明）

TLE4275-Q1 上电波形（旧芯片）
通道 1 = VOUT、通道 2 = VIN、通道 3 = VRESET
图 8-6 上电波形（旧芯片）
TLE4275-Q1 电源纹波抑制与频率和 IOUT 之间的关系（新芯片）
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 5V
图 8-8 电源纹波抑制与频率和 IOUT 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 启动图浪涌电流
VIN = 13.5V，VOUT = 5V，IOUT = 150mA，COUT = 10µF
图 8-10 启动图浪涌电流
TLE4275-Q1 断电波形（旧芯片）
通道 1 = VOUT、通道 2 = VIN、通道 3 = VRESET
图 8-7 断电波形（旧芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，150mA 至 350mA（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 150mA 至 350mA，压摆率 = 0.1A/μs，
COUT = 10µF
图 8-9 负载瞬态，150mA 至 350mA（新芯片）