ZHCSYB3J August   2006  – May 2025 TLE4275-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序图
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源正常状态复位 (RESET)
      2. 7.3.2 可调节电源正常 RESET 延迟计时器 (DELAY)
        1. 7.3.2.1 设置可调电源正常复位延迟
      3. 7.3.3 欠压锁定
      4. 7.3.4 电流限值
      5. 7.3.5 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常运行
      2. 7.4.2 压降运行
      3. 7.4.3 禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入和输出电容器选择
        1. 8.1.1.1 旧芯片电容器选择
        2. 8.1.1.2 新芯片电容器选择
          1. 8.1.1.2.1 输出电容器
          2. 8.1.1.2.2 输入电容器
      2. 8.1.2 压降电压
      3. 8.1.3 反向电流
      4. 8.1.4 功率耗散 (PD)
        1. 8.1.4.1 热性能与铜面积
        2. 8.1.4.2 功率耗散与环境温度之间的关系
      5. 8.1.5 估算结温
      6. 8.1.6 设置可调电源正常复位延迟
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 输入电容器
        2. 8.2.2.2 输出电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.7 典型特性

旧芯片：TA = 25°C；新芯片：在 TJ = –40°C 至 +150°C、VIN = 13.5V、IOUT = 100µA、COUT = 2.2µF、1mΩ < COUT ESR < 2Ω 且 CIN = 1µF 条件下指定（除非另有说明）

TLE4275-Q1 输出电压与结温之间的关系 （旧芯片）
VIN = 6V
图 5-3 输出电压与结温之间的关系
（旧芯片）
TLE4275-Q1 输出精度与温度之间的关系（新芯片）
 
图 5-5 输出精度与温度之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 输出线路调整与 VIN 之间的关系（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 150mA
图 5-7 输出线路调整与 VIN 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 线路调整与 VIN 之间的关系（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 1mA
图 5-9 线路调整与 VIN 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 100mA 时的线路调整（新芯片）
COUT = 10µF，VOUT = 5V
图 5-11 100mA 时的线路调整（新芯片）
TLE4275-Q1 输出电流与结温之间的关系 （旧芯片）
 
图 5-13 输出电流与结温之间的关系
（旧芯片）
TLE4275-Q1 电流消耗与输出电流之间的关系 （旧芯片）
VI = 13.5V
图 5-15 电流消耗与输出电流之间的关系
（旧芯片）
TLE4275-Q1 100mA 时的接地电流（新芯片）
 
图 5-17 100mA 时的接地电流（新芯片）
TLE4275-Q1 压降电压 (Vdo) 与输出电流之间的关系 （旧芯片）
TJ = 25°C
图 5-19 压降电压 (Vdo) 与输出电流之间的关系
（旧芯片）
TLE4275-Q1 压降电压 (VDO) 与 IOUT 之间的关系 （新芯片）
VIN = 20V
图 5-21 压降电压 (VDO) 与 IOUT 之间的关系
（新芯片）
TLE4275-Q1 延迟引脚电流与温度之间的关系 （新芯片）
VDELAY = 1V
图 5-23 延迟引脚电流与温度之间的关系
（新芯片）
TLE4275-Q1 RESET (PG) 阈值与温度之间的关系 （新芯片）
 
图 5-25 RESET (PG) 阈值与温度之间的关系
（新芯片）
TLE4275-Q1 电源纹波抑制与频率之间的关系（旧芯片）
VIN = 13.5V、ILoad = 200mA、COUT = 22µF
图 5-27 电源纹波抑制与频率之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 电源纹波抑制与频率和 IOUT 之间的关系（新芯片）
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 5V
图 5-29 电源纹波抑制与频率和 IOUT 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 噪声与频率之间的关系（新芯片）
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 5V
图 5-31 噪声与频率之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 热阻与铜焊盘面积之间的关系（JEDEC 51-3 低 K 电路板）（旧芯片）
 
图 5-33 热阻与铜焊盘面积之间的关系（JEDEC 51-3 低 K 电路板）（旧芯片）
TLE4275-Q1 ESR 稳定性与负载电流之间的关系（旧芯片）
 
图 5-35 ESR 稳定性与负载电流之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 稳定性、ESR 与 COUT 之间的关系（新芯片）
 
 
图 5-37 稳定性、ESR 与 COUT 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 线路瞬态（新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 100mA、VIN = 5.5V 至 6.5V、
上升时间 = 1µs
图 5-39 线路瞬态（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，100mA 上升沿无负载（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 0mA 至 100mA，压摆率 = 1A/μs，
COUT = 10µF
图 5-41 负载瞬态，100mA 上升沿无负载（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，45mA 至 105mA 上升沿 （新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 45mA 至 105mA、压摆率 = 0.1A/µs、
COUT = 10µF
图 5-43 负载瞬态，45mA 至 105mA 上升沿
（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，150mA 上升沿无负载（新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 0mA 至 150mA、压摆率 = 1A/µs、COUT = 10µF
图 5-45 负载瞬态，150mA 上升沿无负载（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，500mA 无负载 （新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 0mA 至 500mA、压摆率 = 1A/µs、
COUT = 10µF
图 5-47 负载瞬态，500mA 无负载
（新芯片）
TLE4275-Q1 输出电流限制与温度之间的关系（新芯片）
VIN = VOUT + 1V、VOUT = 90% × VOUT(NOM)
图 5-49 输出电流限制与温度之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 欠压锁定 (UVLO) 阈值与温度间的关系（新芯片）
 
图 5-51 欠压锁定 (UVLO) 阈值与温度间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 热关断信息（新芯片）
 
图 5-53 热关断信息（新芯片）
TLE4275-Q1 输出电压与结温之间的关系 （旧芯片）
VI = 28V
图 5-4 输出电压与结温之间的关系
（旧芯片）
TLE4275-Q1 输出电压与输入电压之间的关系（旧芯片）
 
图 5-6 输出电压与输入电压之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 线路调整与 VIN 之间的关系（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 5mA
图 5-8 线路调整与 VIN 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 50mA 时的线路调整（新芯片）
COUT = 10µF，VOUT = 5V
图 5-10 50mA 时的线路调整（新芯片）
TLE4275-Q1 线路调整与 IOUT 之间的关系（新芯片）
VOUT = 5V
图 5-12 线路调整与 IOUT 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 电流消耗与输出电流之间的关系 （旧芯片）
VI = 13.5V
图 5-14 电流消耗与输出电流之间的关系
（旧芯片）
TLE4275-Q1 接地电流 (IGND) 与 IOUT 之间的关系（新芯片）
 
图 5-16 接地电流 (IGND) 与 IOUT 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 500µA 时的接地电流（新芯片）
 
图 5-18 500µA 时的接地电流（新芯片）
TLE4275-Q1 压降电压 (VDO) 与 IOUT 之间的关系 （新芯片）
VIN = 3V
图 5-20 压降电压 (VDO) 与 IOUT 之间的关系
（新芯片）
TLE4275-Q1 充电电流 (ID,C) 与结温之间的关系（旧芯片）
VI = 13.5V、VD = 1V
图 5-22 充电电流 (ID,C) 与结温之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 延迟开关阈值与结温之间的关系（旧芯片）
VI = 13.5V
图 5-24 延迟开关阈值与结温之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 电源纹波抑制与频率之间的关系（旧芯片）
VIN = 13.5V、ILoad = 1mA、COUT = 22µF
图 5-26 电源纹波抑制与频率之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 电源纹波抑制与频率之间的关系（旧芯片）
VIN = 13.5V、ILoad = 400mA、COUT = 22µF
图 5-28 电源纹波抑制与频率之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 电源纹波抑制与频率和 VIN 之间的关系（新芯片）
COUT = 10µF (X7R 50V)、IOUT = 500mA、VOUT = 5V
图 5-30 电源纹波抑制与频率和 VIN 之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 噪声与频率之间的关系（新芯片）
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 3.3V
图 5-32 噪声与频率之间的关系（新芯片）
TLE4275-Q1 各种占空比下的热阻与脉冲持续时间之间的关系（旧芯片）
 
图 5-34 各种占空比下的热阻与脉冲持续时间之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 ESR 稳定性与负载电容之间的关系（旧芯片）
 
图 5-36 ESR 稳定性与负载电容之间的关系（旧芯片）
TLE4275-Q1 线路瞬态（新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 1mA、VIN = 13.5V 至 45V、
压摆率 = 2.7V/µs
图 5-38 线路瞬态（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，100mA 无负载（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 0mA 至 100mA，压摆率 = 1A/μs，
COUT = 10µF
图 5-40 负载瞬态，100mA 无负载（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，45mA 至 105mA（新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 45mA 至 105mA、压摆率 = 0.1A/µs、
COUT = 10µF
图 5-42 负载瞬态，45mA 至 105mA
（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，150mA 无负载 （新芯片）
VOUT = 5V、IOUT = 0mA 至 150mA、压摆率 = 1A/µs、
COUT = 10µF
图 5-44 负载瞬态，150mA 无负载
（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，150mA 至 350mA （新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 150mA 至 350mA，压摆率 = 0.1A/μs，
COUT = 10µF
图 5-46 负载瞬态，150mA 至 350mA
（新芯片）
TLE4275-Q1 负载瞬态，500mA 上升沿无负载（新芯片）
VOUT = 5V，IOUT = 0mA 至 500mA，压摆率 = 1A/μs，
COUT = 10µF
图 5-48 负载瞬态，500mA 上升沿无负载（新芯片）
TLE4275-Q1 启动图浪涌电流
VIN = 13.5V，VOUT = 5V，IOUT = 150mA，COUT = 10µF
图 5-50 启动图浪涌电流
TLE4275-Q1 输出电压与注入电流间的关系 （新芯片）
 
图 5-52 输出电压与注入电流间的关系
（新芯片）