ZHCSYA1A May   2025  – February 2026 LM50-Q1 , LM50HV-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性：LM50-Q1
    6. 6.6 电气特性：LM50HV-Q1
    7. 6.7 典型特性（LM50-Q1）
    8. 6.8 典型特性 (LM50HV-Q1)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 传递函数
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 全量程摄氏温度传感器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 电容旁路和负载
          2. 8.2.1.2.2 LM50HV-Q1 自热
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
      3. 8.5.3 散热注意事项
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1.      相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
8.2.1.2.1 电容旁路和负载

LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 器件能够很好地处理电容负载。LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 无需任何特殊的预防措施，即可驱动高达 1μF 的电容负载。这些器件具有标称 2kΩ 输出阻抗（如 功能方框图 所示）。输出电阻器的温度系数约为 1300ppm/°C。考虑到该温度系数和电阻器的初始容差，器件的输出阻抗不会超过 4kΩ。在噪声极大的环境中，可能需要添加滤波以更大限度地减少噪声拾取。TI 建议在 +VS 和 GND 之间添加一个 CBy-pass = 0.1µF 电容器以旁路电源电压，如 图 8-3 所示。可能需要在 VO 和接地端之间添加一个电容器 (CLoad)。具有 4kΩ 输出阻抗的 1µF 输出电容器形成一个 40Hz 的低通滤波器。由于 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 的热时间常数比 RC 形成的 25ms 时间常数慢得多，因此器件的整体响应时间不会受到显著影响。对于更大的电容器，这种额外的时间滞后会增加 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 的总体响应时间。

LM50-Q1 LM50HV-Q1 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 电容负载无需去耦图 8-2 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1 电容负载无需去耦
LM50-Q1 LM50HV-Q1 具有滤波器且适用于噪声环境的 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1图 8-3 具有滤波器且适用于噪声环境的 LM50-Q1 和 LM50HV-Q1

为了避免启动电源（输入）响应的出现干扰，尤其是当 LM50-Q1（新芯片）和 LM50HV-Q1 器件上未使用 CBy-pass 时（如图 6-20、图 8-4 和图 8-5 所示），必须在 VO 和接地之间放置最小 CLoad，特别是当在比较器电路中使用 LM50-Q1（新芯片）和 LM50HV-Q1 器件时。

LM50-Q1 LM50HV-Q1 +VS = 3.3V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs、无 CLoad 和 CBy-pass 时）图 8-4 +VS = 3.3V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs、无 CLoad 和 CBy-pass 时）
LM50-Q1 LM50HV-Q1 +VS = 36V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs，无 CLoad 和 CBy-pass 时）图 8-5 +VS = 36V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs，无 CLoad 和 CBy-pass 时）

最小 CLoad 电容器随不同的工作温度范围和电源斜升速率而变化，如表 8-2 所示。请注意，上升时间 (tr) 可通过以下公式转换为电源 (SR) 的斜升速率：SR (V/μs) = 0.8 × +VS (V) / tr (μs)。

表 8-2 避免电源启动阶跃响应出现干扰过冲所需的最小 CLoad（无 CBy-pass）

负载电容

+VS = 3.3V+VS = 5V+VS = 36V
tr = 0.1μstr = 1μstr = 0.1μstr = 1μstr = 0.1μstr = 1μs
CLoad（最小值）
TA = -40°C 时		0.33nF0.33nF0.47nF0.47nF10nF10nF
CLoad（最小值）
TA = 25°C 时		0.02nF不适用0.05nF0.05nF0.68nF0.68nF
CLoad（最小值）
TA = 150°C 时		不适用不适用不适用不适用0.12nF0.12nF

图 8-6 和图 8-7 显示斜升速率约为 3.3V/μs 时 3.3V 和 36V 电源的启动阶跃响应（不使用 CBy-pass）。各图显示消除干扰过冲时空载和所需最小 CLoad 的输出响应。工作温度为 –40°C 时会发生最坏情况（如表 8-2 所示）。

LM50-Q1 LM50HV-Q1 SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 3.3V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 0.33nF）图 8-6 SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 3.3V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 0.33nF）
LM50-Q1 LM50HV-Q1 SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 36V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 10nF）图 8-7 SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 36V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 10nF）

注： TI 建议添加一个最小 0.1µF CBy-pass（在 +VS 和 GND 之间）和/或 0.1µF CLoad（在 VO 和 GND 之间）电容器，以避免电源噪声和干扰过冲。