ZHCSY76A May   2025  – September 2025 UCC25661-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入功率比例控制
        1. 7.3.1.1 电压前馈
      2. 7.3.2 VCR 合成器
        1. 7.3.2.1 TSET 编程
      3. 7.3.3 反馈链(控制输入)
      4. 7.3.4 自适应死区时间
      5. 7.3.5 输入电压检测
        1. 7.3.5.1 过压和欠压阈值以及选项
        2. 7.3.5.2 输出 OVP 和外部 OTP
      6. 7.3.6 谐振回路电流检测
    4. 7.4 保护功能
      1. 7.4.1 零电流开关 (ZCS) 保护
      2. 7.4.2 软启动期间的最小电流关断
      3. 7.4.3 逐周期电流限制和短路保护
      4. 7.4.4 过载保护 (OLP)
      5. 7.4.5 VCC OVP 保护
    5. 7.5 器件功能模式
      1. 7.5.1 启动
        1. 7.5.1.1 有 HV 启动
        2. 7.5.1.2 无 HV 启动
      2. 7.5.2 软启动斜坡
        1. 7.5.2.1 启动到调节的转换
      3. 7.5.3 轻负载管理
        1. 7.5.3.1 工作模式(突发模式)
        2. 7.5.3.2 模式转换管理
        3. 7.5.3.3 突发模式阈值编程
        4. 7.5.3.4 PFC 开/关
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  LLC 功率级要求
        2. 8.2.2.2  LLC 增益范围
        3. 8.2.2.3  ‌选择 Ln 和 Qe
        4. 8.2.2.4  确定等效负载电阻
        5. 8.2.2.5  确定 LLC 谐振电路的元件参数
        6. 8.2.2.6  LLC 初级侧电流
        7. 8.2.2.7  LLC 次级侧电流
        8. 8.2.2.8  LLC 变压器
        9. 8.2.2.9  LLC 谐振电感器
        10. 8.2.2.10 LLC 谐振电容器
        11. 8.2.2.11 LLC 初级侧 MOSFET
        12. 8.2.2.12 自适应死区时间的设计注意事项
        13. 8.2.2.13 LLC 整流器二极管
        14. 8.2.2.14 LLC 输出电容器
        15. 8.2.2.15 HV 引脚串联电阻器
        16. 8.2.2.16 BLK 引脚分压器
        17. 8.2.2.17 ISNS 引脚微分器
        18. 8.2.2.18 TSET 引脚
        19. 8.2.2.19 OVP/OTP 引脚
        20. 8.2.2.20 突发模式编程
        21. 8.2.2.21 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 VCCP 引脚电容器
      2. 8.3.2 引导电容器
      3. 8.3.3 V5P 引脚电容器
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

布局指南

  • 除了储能电解电容器以外,还应在 VCCP 引脚上连接一个 2.2µF 陶瓷电容器。将 2.2µF 陶瓷电容器放置在尽可能靠近 VCCP 引脚的位置。
  • 最小引导电容器 (CB) 建议为 0.1µF。根据最小突发频率确定引导电容器的最小值。确保引导电容器足够大,以便在最低突发频率期间保持自举电压。请参阅电气表中的 IBOOT_LEAK(引导泄漏电流)。
  • 单点连接信号接地和电源接地。建议将电源接地连接到 LLC 转换器输入大容量电容器的负端子。
  • 将 ISNS (100pF)、BLK (10nF)、LL (330pF)、TSET (220pF)、OVP/OTP (100pF) 的滤波器电容器尽可能靠近各自的引脚放置。
  • FB 迹线应尽可能短,并使 FB 迹线远离高 dv/dt 迹线。
  • 为使 ISNS 电容器实现低失真,请使用薄膜电容器或 C0G、NP0 陶瓷电容器。
  • 在 VCCP 引脚上增加必要的滤波电容器,以过滤掉偏置绕组波形上的高峰值。
  • 保持必要的高电压间隙和爬电距离。
  • 如果 HV 引脚上需要 2kV HBM ESD 等级,则在 HV 引脚到接地之间放置一个 100pF 电容器以传递高达 2kV 的 HBM ESD。