ZHCSY33A April   2025  – September 2025 TPUL2G123

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2.   2
  3. 1 特性
  4. 2 应用
  5. 3 说明
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序特性
    7.     14
    8. 5.7 开关特性
    9. 5.8 典型特性
  8. 6 参数测量信息
  9. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1 状态机说明
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 命名约定
      2. 7.3.2 可重触发单稳态触发器
      3. 7.3.3 时序机制和精度
      4. 7.3.4 平衡 CMOS 推挽式输出
      5. 7.3.5 CMOS 施密特触发输入
      6. 7.3.6 具有已知上电状态的锁存逻辑
      7. 7.3.7 局部断电 (Ioff)
      8. 7.3.8 钳位二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断状态运行
      2. 7.4.2 启动操作
      3. 7.4.3 导通状态运行
  10. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用 - 边沿检测器
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 时序元件
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
        4. 8.2.1.4 电源注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 典型应用 - 延迟脉冲发生器
      1. 8.3.1 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  11. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  12. 10修订历史记录
  13. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

5.7 开关特性

在自然通风条件下的工作温度范围内；典型值在 TA = 25°C 时测得（除非另有说明）。请参阅参数测量信息。
参数 从（输入） 至（输出） 测试条件 VCC 最小值 典型值 最大值 单位
CL = 15pF
tpd T、T 或 CLR Q 或 Q CL = 15pF 1.5V 13 28.6 64 ns
1.65V 10 23.1 51 ns
2.3V 6 13.7 28 ns
3V 5 9.8 20 ns
4.5V 3 7.1 14 ns
5.5V 3 6.3 13 ns
tt Q 或 Q CL = 15pF 1.5V 4.3 8.3 ns
1.65V 3.9 7 ns
2.3V 3 5.6 ns
3V 2.5 5 ns
4.5V 2.4 4.9 ns
5.5V 2.7 5.8 ns
CL = 50pF
tpd T、T 或 CLR Q 或 Q CL = 50pF 1.5V 13 31.8 72 ns
1.65V 10 24.8 57 ns
2.3V 6 14.3 32 ns
3V 5 10.8 23 ns
4.5V 3 7.9 16 ns
5.5V 3 7 14 ns
two(1) Q 或 Q Rext = 10kΩ；Cext = 0；CL = 50pF 1.5V 129 405 ns
1.65V 116 311 ns
2.3V 87 161 ns
3V 75 118 ns
4.5V 62 96 ns
5.5V 58 88 ns
Rext = 10kΩ；Cext = 0.1µF；CL = 50pF 1.5V 814 996 µs
1.65V 815 997 µs
2.3V 815 997 µs
3V 815 997 µs
4.5V 805 985 µs
5.5V 793 971 µs
Δtwo(2) Q 或 Q CL = 50pF 1.5V 至 5.5V ±1 ±10 %
tt Q 或 Q CL = 50pF 1.5V 8.2 34.4 ns
1.65V 7 28 ns
2.3V 4.5 24.6 ns
3V 3.9 17.4 ns
4.5V 3.1 12.6 ns
5.5V 2.9 8.7 ns
Cpd(3) CLR T = VCC，T = GND，fI = 10MHz，CL = 50pF，Cext = 0pF，Rext = 1MΩ 1.5V 42 pF
1.65V 41 pF
2.3V 40 pF
3V 32 pF
4.5V 35 pF
5.5V 38 pF
(1) 输出脉冲宽度
(2) 与 K 系数典型特性相比输出脉冲宽度的变化，不包括外部时序元件的变化。仅适用于建议的运行条件。
(3) 功率耗散电容的计算依据的是 CMOS 功耗与 Cpd 计算。