ZHCSY02A March   2025  – December 2025 DRV8001-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 RHA 封装
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 加热器 MOSFET 驱动器
        1. 7.4.1.1 加热器 MOSFET 驱动器控制
        2. 7.4.1.2 加热器 MOSFET 驱动器保护
          1. 7.4.1.2.1 加热器 SH_HS 内部二极管
          2. 7.4.1.2.2 加热器 MOSFET VDS 过流保护 (HEAT_VDS)
          3. 7.4.1.2.3 加热器 MOSFET 开路负载检测
      2. 7.4.2 高侧驱动器
        1. 7.4.2.1 高侧驱动器控制
          1. 7.4.2.1.1 高侧驱动器 PWM 发生器
          2. 7.4.2.1.2 恒流模式
          3. 7.4.2.1.3 OUTx HS ITRIP 行为
          4. 7.4.2.1.4 高侧驱动器 - 并行输出
        2. 7.4.2.2 高侧驱动器保护电路
          1. 7.4.2.2.1 高侧驱动器内部二极管
          2. 7.4.2.2.2 高侧驱动器短路保护
          3. 7.4.2.2.3 高侧驱动器过流保护
          4. 7.4.2.2.4 高侧驱动器开路负载检测
      3. 7.4.3 电致变色玻璃驱动器
        1. 7.4.3.1 电致变色驱动器控制
        2. 7.4.3.2 电致变色驱动器保护
      4. 7.4.4 半桥驱动器
        1. 7.4.4.1 半桥控制
        2. 7.4.4.2 OUT1 和 OUT2 高侧驱动器模式
        3. 7.4.4.3 半桥寄存器控制
        4. 7.4.4.4 半桥 ITRIP 调节
        5. 7.4.4.5 半桥保护和诊断
          1. 7.4.4.5.1 半桥关断状态诊断 (OLP)
          2. 7.4.4.5.2 半桥开路负载检测
          3. 7.4.4.5.3 半桥过流保护
      5. 7.4.5 检测输出 (IPROPI)
      6. 7.4.6 保护电路
        1. 7.4.6.1 故障复位 (CLR_FLT)
        2. 7.4.6.2 DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        3. 7.4.6.3 PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
        4. 7.4.6.4 PVDD 电源过压监测器 (PVDD_OV)
        5. 7.4.6.5 VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        6. 7.4.6.6 热仪表组
        7. 7.4.6.7 看门狗计时器
        8. 7.4.6.8 故障检测和响应汇总表
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI)
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 时序图
  9. 8  DRV8001-Q1 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8000-Q1_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8000-Q1_CNFG 寄存器
    3. 8.3 DRV8000-Q1_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
    3. 9.3 初始化设置
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 确定大容量电容器的大小
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
7.4.4.5.3 半桥过流保护

当半桥处于激活状态时，每个 MOSFET 上的模拟电流保护电路会在硬短路事件期间关断 MOSFET。如果输出电流超过过流阈值 IOCP_OUTX 且持续时间超过 tDG_OCP_HB，则会检测到过流故障。相应的输出为 Hi-Z（锁存行为），故障被锁存到寄存器 (HB_STAT1) 中。如果 VPVDD > 在 PVDD_OV_MODE 中配置的 VPVDD_OV，则会禁用半桥。

对于半桥驱动器的过流抗尖峰脉冲时间 tDG_OCP_HB，下表汇总了四个过流抗尖峰脉冲选项。

表 7-36 半桥过流抗尖峰脉冲
OUTx_OCP_DG 电压限值 抗尖峰脉冲时间
00b VPVDD < VPVDD_OV 6μs
01b VPVDD < VPVDD_OV 10μs
10b VPVDD < VPVDD_OV 15μs
11b VPVDD < 20V 60μs
VPVDD > 20V 15μs

要重新激活驱动器，必须首先由 MCU 通过读取状态寄存器在寄存器中清除故障。下图显示了半桥的过流行为：

DRV8001-Q1 半桥的过流行为图 7-16 半桥的过流行为