ZHCSY02A March   2025  – December 2025 DRV8001-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 RHA 封装
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 加热器 MOSFET 驱动器
        1. 7.4.1.1 加热器 MOSFET 驱动器控制
        2. 7.4.1.2 加热器 MOSFET 驱动器保护
          1. 7.4.1.2.1 加热器 SH_HS 内部二极管
          2. 7.4.1.2.2 加热器 MOSFET VDS 过流保护 (HEAT_VDS)
          3. 7.4.1.2.3 加热器 MOSFET 开路负载检测
      2. 7.4.2 高侧驱动器
        1. 7.4.2.1 高侧驱动器控制
          1. 7.4.2.1.1 高侧驱动器 PWM 发生器
          2. 7.4.2.1.2 恒流模式
          3. 7.4.2.1.3 OUTx HS ITRIP 行为
          4. 7.4.2.1.4 高侧驱动器 - 并行输出
        2. 7.4.2.2 高侧驱动器保护电路
          1. 7.4.2.2.1 高侧驱动器内部二极管
          2. 7.4.2.2.2 高侧驱动器短路保护
          3. 7.4.2.2.3 高侧驱动器过流保护
          4. 7.4.2.2.4 高侧驱动器开路负载检测
      3. 7.4.3 电致变色玻璃驱动器
        1. 7.4.3.1 电致变色驱动器控制
        2. 7.4.3.2 电致变色驱动器保护
      4. 7.4.4 半桥驱动器
        1. 7.4.4.1 半桥控制
        2. 7.4.4.2 OUT1 和 OUT2 高侧驱动器模式
        3. 7.4.4.3 半桥寄存器控制
        4. 7.4.4.4 半桥 ITRIP 调节
        5. 7.4.4.5 半桥保护和诊断
          1. 7.4.4.5.1 半桥关断状态诊断 (OLP)
          2. 7.4.4.5.2 半桥开路负载检测
          3. 7.4.4.5.3 半桥过流保护
      5. 7.4.5 检测输出 (IPROPI)
      6. 7.4.6 保护电路
        1. 7.4.6.1 故障复位 (CLR_FLT)
        2. 7.4.6.2 DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        3. 7.4.6.3 PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
        4. 7.4.6.4 PVDD 电源过压监测器 (PVDD_OV)
        5. 7.4.6.5 VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        6. 7.4.6.6 热仪表组
        7. 7.4.6.7 看门狗计时器
        8. 7.4.6.8 故障检测和响应汇总表
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI)
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 时序图
  9. 8  DRV8001-Q1 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8000-Q1_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8000-Q1_CNFG 寄存器
    3. 8.3 DRV8000-Q1_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
    3. 9.3 初始化设置
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 确定大容量电容器的大小
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.4.6.6 热仪表组

由于该器件上有多个多种类型的驱动器，因此芯片上有多个专用热传感器用于监控芯片上的关键模块温度。这些称为热仪表组的传感器中的每一个都可以测量特定器件模块的本地裸片温度。这些测量值可转换为 IPROPI 引脚上的输出电流，用于触发温度警告或关断超出可接受温度范围的特定仪表组或关断整个器件。

可以使用 IC_CNFG1 寄存器中的 OTSD_MODE 位来配置器件对热仪表组警告的响应：

  • 默认模式 (OTSD_MODE = 0b)：如果任何仪表组达到热关断阈值的时间超过 tOTSD_DG，则关断整个器件。
  • 仪表组模式 (OTSD_MODE = 1b)：如果仪表组达到热关断阈值的时间超过 tOTSD_DG，则只关断该仪表组。

如下面的表和图中所示，有四个使用热仪表组定义的区域：

DRV8001-Q1 热传感器区域图 7-18 热传感器区域
表 7-40 热仪表组位置
热仪表组 1 热仪表组 2 热仪表组 3 热仪表组 4
OUT5、OUT1 和 OUT2 OUT3、OUT4 和 OUT6 高侧驱动器 全局驱动器和剩余驱动器

每个区域都有针对两个温度点的基于比较器的警告，即 120°C（低温）和 140°C（高温）。位 ZONEX_OTW_X（L 或 H）会被锁存到寄存器 IC_STAT2 中。每个警告都可以通过寄存器 IC_CNFG2 中的 ZONEX_OTW_X_DIS 位单独禁用。如果发生过热关断，则 ZONEX_OTSD 位会被锁存到寄存器 IC_STAT2 中。