ZHCSXZ9D July   1995  – April 2025 TPIC6B595

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 串行输入接口
      2. 7.3.2 清除寄存器
      3. 7.3.3 输出控制
      4. 7.3.4 级联应用
      5. 7.3.5 电流限制功能
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 在 V(VCC) < 4.5（最小 V(VCC)）的情况下运行
      2. 7.4.2 工作电压范围为 5.5 V < V(VCC) < 6 V
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 支持资源
    2. 9.2 商标
    3. 9.3 静电放电警告
    4. 9.4 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

3 说明

TPIC6B595 器件是一款单片、高压、中等电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。

当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 50V，连续灌电流能力为 150mA。在 TC = 25°C 时，每个输出可提供 500mA 的典型电流限。电流限制会随着结温的升高而降低，以实现额外的器件保护。

TPIC6B595 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。

器件信息(1)
器件型号 封装 本体尺寸（标称值）
TPIC6B595 SOIC (20) 12.80mm × 7.50mm
PDIP (20) 25.40mm × 6.35mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。