ZHCSXV2A February   2025  – September 2025 DRV8163-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 HW 型号
    2. 5.2 SPI 型号
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 电气特性
    5. 6.5 时序要求
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 热性能信息
      1. 6.7.1 瞬态热阻抗和电流能力
    8. 6.8 开关波形
      1. 6.8.1 输出开关瞬态
        1. 6.8.1.1 高侧再循环
        2. 6.8.1.2 低侧再循环
      2. 6.8.2 唤醒瞬态
        1. 6.8.2.1 HW 型号
        2. 6.8.2.2 SPI 型号
      3. 6.8.3 故障反应瞬态
        1. 6.8.3.1 重试设置
        2. 6.8.3.2 锁存设置
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部组件
        1. 7.3.1.1 HW 型号
        2. 7.3.1.2 SPI 型号
      2. 7.3.2 电桥控制
        1. 7.3.2.1 寄存器 - 引脚控制 - 仅限 SPI 型号
      3. 7.3.3 器件配置
        1. 7.3.3.1 压摆率 (SR)
        2. 7.3.3.2 IPROPI
        3. 7.3.3.3 ITRIP 调节
        4. 7.3.3.4 DIAG
          1. 7.3.3.4.1 HW 型号
          2. 7.3.3.4.2 SPI 型号
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.4.2 过热警告 (OTW) - 仅限 SPI 型号
        3. 7.3.4.3 过热保护 (TSD)
        4. 7.3.4.4 关断状态诊断 (OLP)
        5. 7.3.4.5 导通状态诊断 (OLA) - 仅限 SPI 型号
        6. 7.3.4.6 VM 过压监测器 - 仅限 SPI 型号
        7. 7.3.4.7 VM 欠压监视器
        8. 7.3.4.8 上电复位 (POR)
        9. 7.3.4.9 事件优先级
      5. 7.3.5 器件功能模式
        1. 7.3.5.1 休眠状态
        2. 7.3.5.2 待机状态
        3. 7.3.5.3 唤醒至待机状态
        4. 7.3.5.4 运行状态
        5. 7.3.5.5 nSLEEP 复位脉冲（HW 型号，仅限锁存设置）
      6. 7.3.6 编程 - 仅限 SPI 型号
        1. 7.3.6.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.6.2 标准帧
        3. 7.3.6.3 用于多个外设的 SPI
          1. 7.3.6.3.1 用于多个外设的菊花链帧
      7. 7.3.7 寄存器映射 - 仅限 SPI 型号
        1. 7.3.7.1 用户寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 负载概要
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 HW 型号
      2. 8.2.2 SPI 型号
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.4 电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 65V，-40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源 (VM、VDD)
IVDD 处于运行状态下的 VDD 电流 禁用内核温度读数 2 3.5 mA
IVMS 待机状态下的 VM 电流 VVM = 48V，驱动器高阻态，禁用内核温度读数 1 1.8 mA
IVMQ 处于休眠状态下的 VM 电流 VVM = 48V，VnSLEEP = 0V 或 VVDD < PORVDD_FALL 7 30 µA
tRESET ‌RESET 脉冲滤波时间 HW 型号 nSLEEP 引脚上的复位信号 5 35 µs
tSLEEP 休眠命令滤波时间 HW 型号 nSLEEP 引脚上的休眠信号 40 120 µs
tSLEEP_SPI 休眠命令滤波时间 SPI 型号 nSLEEP 引脚上的休眠信号 5 20 µs
tCOM 通过 VM 或 VDD 引脚唤醒或上电后可进行通信的时间 nSLEEP 引脚上的唤醒信号或下电上电（VVM > VMPOR_RISE 或 VVDD > VDDPOR_RISE） 0.2 ms
tREADY 通过 nSLEEP 引脚唤醒或通过 VM 或 VDD 引脚上电后，驱动器准备进行驱动的时间 nSLEEP 引脚上的唤醒信号或下电上电（VVM > VMPOR_RISE 或 VVDD > VDDPOR_RISE） 1.2 ms
控制器（nSLEEP、DRVOFF、EN/IN1、PH/IN2、IN）和 SPI 输入（SDI、nSCS、SCLK）
VIL 输入逻辑低电平电压 所有引脚 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 所有引脚 1.5 5.5 V
VHYS 输入迟滞 除 nSLEEP 外的所有引脚 0.1 V
VHYS_nSLEEP nSLEEP 引脚上的输入迟滞 0.15 V
RPU DRVOFF 和 nSCS 引脚上的内部上拉电阻 在最低 VIH 电平下测得 150 450 kΩ
RPD IN、SDI、SCLK 上的输入下拉电阻 在最高 VIL 电平下测得 150 450 kΩ
RPD_nSLEEP nSLEEP 至 GND 的输入下拉电阻 在最高 VIL 电平下测得 160 400 kΩ
三电平输入 (MODE)
RLVL1 1 级 连接到 GND 10 Ω
RLVL2 2 级 +/- 10% 接地电阻 8 16 24 kΩ
RLVL3 3 级 高阻态（无连接） 249 kΩ
四电平输入 (SR)
RLVL1 1 级 连接到 GND 10 Ω
RLVL2 2 级 +/-10% 接地电阻 8 16 24 kΩ
RLVL3 3 级 +/-10% 接地电阻 45 75 110 kΩ
RLVL4 4 级 高阻态（无连接） 249 kΩ
6 电平输入（ITRIP、DIAG）
RLVL1 1 级 连接到 GND 10 Ω
RLVL2 2 级 +/-10% 电阻器 8 9 10 kΩ
RLVL3 3 级 +/-10% 电阻器 22 24 26 kΩ
RLVL4 4 级 +/-10% 电阻器 45 48 51 kΩ
RLVL5 5 级 +/-10% 电阻器 90 100 110 kΩ
RLVL6 6 级 高阻态（无连接） 249 kΩ
推挽和控制输出（SDO、nFAULT）
VOL_SDO SDO 输出逻辑低电平电压 0.5mA 灌电流 0.1 0.2 V
VOH_SDO SDO 输出逻辑高电平电压 0.5mA 拉电流，VVDD = 5V 4.7 4.9 V
ISDO SDO 漏电流 VVM > 6V -2 2 µA
VOL nFAULT 输出逻辑低电平电压 IO = 5mA 0.3 V
IOH nFAULT 输出逻辑高电平漏电流 -1 1 µA
驱动器输出 (OUTx)
RHS_DS(on) 高侧 MOSFET 导通电阻，DRV8163 IO = -6A，TJ = 25°C 21 25 mΩ
RHS_DS(on) 高侧 MOSFET 导通电阻，DRV8163 IO = -6A，TJ = 150°C 35 42 mΩ
RLS_DS(on) 低侧 MOSFET 导通电阻，DRV8163 IO = 6A，TJ = 25°C 22 26 mΩ
RLS_DS(on) 低侧 MOSFET 导通电阻，DRV8163 IO = 6A，TJ = 150°C 36 43 mΩ
VSD 体二极管正向电压 IO = -4A (8263)，-6A (8163) 0.4 0.8 1.2 V
IHIZ_SLP 睡眠状态下 OUTx 至 GND 的漏电流 V(OUTx) = VM = 48V，每个 OUT 引脚 140 µA
IHIZ_STBY 待机状态下 OUTx 至 GND 的漏电流 V(OUTx) = VM = 48V，每个 OUT 引脚 1 21 mA
SRLS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 00b 或 LVL1，高侧再循环 146 192 237 V/µs
SRLS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 00b 或 LVL1，高侧再循环 130 160 204 V/µs
SRLS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 01b 或 LVL2，高侧再循环 73 99 124 V/µs
SRLS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 01b 或 LVL2，高侧再循环 67 83 107 V/µs
SRLS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 10b 或 LVL3，高侧再循环 32 46 60 V/µs
SRLS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 10b 或 LVL3，高侧再循环 26 38 52 V/µs
SRLS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 11b 或 LVL4，高侧再循环 11 18 25 V/µs
SRLS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 11b 或 LVL4，高侧再循环 8 14.5 21.5 V/µs
tPD_LSOFF 输出电压上升期间的传播延迟 SR = 00b 或 01b 或 LVL1 或 LVL2，高侧再循环 0.3 µs
tPD_LSOFF 输出电压上升期间的传播延迟 SR = 10b 或 11b 或 LVL3 或 LVL4，高侧再循环 0.5 µs
tPD_LSON 输出电压下降期间的传播延迟 SR = 00b 或 01b 或 LVL1 或 LVL2，高侧再循环 0.26 µs
tPD_LSON 输出电压下降期间的传播延迟 SR = 10b 或 11b 或 LVL3 或 LVL4，高侧再循环 0.33 µs
tDEAD_LSOFF 输出电压上升期间的死区时间 SR = 00b 或 01b 或 LVL1 或 LVL2，高侧再循环 0.95 µs
tDEAD_LSOFF 输出电压上升期间的死区时间 SR = 10b 或 LVL3，高侧再循环 0.83 µs
tDEAD_LSOFF 输出电压上升期间的死区时间 SR = 11b 或 LVL4，高侧再循环 1.06 µs
tDEAD_LSON 输出电压下降期间的死区时间 SR = 00b 或 01b 或 LVL1 或 LVL2，高侧再循环 0.5 µs
tDEAD_LSON 输出电压下降期间的死区时间 SR = 10b 或 LVL3，高侧再循环 0.53 µs
tDEAD_LSON 输出电压下降期间的死区时间 SR = 11b 或 LVL4，高侧再循环 0.62 µs
SRHS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 00b 或 LVL1，低侧再循环 89 130 185 V/µs
SRHS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 00b 或 LVL1，低侧再循环 140 180 230 V/µs
SRHS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 01b 或 LVL2，低侧再循环 50 71 98 V/µs
SRHS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 01b 或 LVL2，低侧再循环 70 94 122 V/µs
SRHS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 10b 或 LVL3，低侧再循环 23 33 47 V/µs
SRHS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 10b 或 LVL3，低侧再循环 31 45 59 V/µs
SRHS 输出电压上升压摆率，10% - 90%，VVM = 48V SR = 11b（仅 SPI），低侧再循环 7 13 21 V/µs
SRHS 输出电压下降压摆率，90% - 10%，VVM = 48V SR = 11b（仅 SPI），低侧再循环 13 19 26 V/µs
tPD_HSON 输出电压上升期间的传播延迟 SR = 00b 或 01b 或 LVL1 或 LVL2，低侧再循环 0.35 µs
tPD_HSON 输出电压上升期间的传播延迟 SR = 10b 或 11b 或 LVL3 或 LVL4，低侧再循环 0.68 µs
tPD_HSOFF 输出电压下降期间的传播延迟 SR = 00b 或 01b 或 LVL1 或 LVL2，低侧再循环 0.27 µs
tPD_HSOFF 输出电压下降期间的传播延迟 SR = 10b 或 LVL3，低侧再循环 0.33 µs
tPD_HSOFF 输出电压下降期间的传播延迟 SR = 11b 或 LVL4，低侧再循环 0.38 µs
tDEAD_HSON
输出电压上升期间的死区时间

 SR = 00b 或 LVL1，低侧再循环 0.46 µs
tDEAD_HSON
输出电压上升期间的死区时间

 SR = 01b 或 LVL2，低侧再循环 0.52 µs
tDEAD_HSON
输出电压上升期间的死区时间

 SR = 10b 或 LVL3，低侧再循环 0.60 µs
tDEAD_HSON
输出电压上升期间的死区时间

 SR = 11b 或 LVL4，低侧再循环 0.60 µs
tDEAD_HSOFF 输出电压下降期间的死区时间 所有 SR，低侧再循环 0.1 µs
tBLANK 电流调节消隐时间（仅对 LS 再循环有效） TBLK = 0b。仅适用于 HW。 2.4 µs
tBLANK 电流调节消隐时间（仅对 LS 再循环有效） TBLK = 1b 3.4 µs
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
AIPROPI 电流镜增益 202 µA/A
AERR 电流镜比例误差 IOUT > 2A -4 4 %
AERR 电流镜比例误差 0.5A < IOUT ≤ 2A -10 10 %
AERR 电流镜比例误差 0.2A < IOUT ≤ 0.5A -25 25 %
AERR_M 两个半桥之间的电流匹配 IOUT > 2A -3 3 %
VIPROPI_LIM IPROPI 上的内部钳位电压 3.4 5.5 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 001b 或 LVL2 1.08 1.2 1.3 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 010b（仅限 SPI） 1.31 1.44 1.55 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 011b（仅限 SPI） 1.53 1.67 1.81 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 100b 或 LVL3 1.83 2 2.16 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 101b 或 LVL4 2.14 2.34 2.52 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 110b 或 LVL5 2.44 2.67 2.88 V
VITRIP_LVL 对 VIPROPI 的电压限制，旨在触发 TOFF 周期以进行 ITRIP 调节 S_ITRIP = 111b 或 LVL6 2.74 3 3.24 V
tOFF ITRIP 调节关断时间 TOFF = 00b 9 20 35 µs
tOFF ITRIP 调节关断时间 TOFF = 01b。仅适用于 HW。 15 30 45 µs
tOFF ITRIP 调节关断时间 TOFF = 10b 20 40 60 µs
tOFF ITRIP 调节关断时间 TOFF = 11b 25 50 70 µs
保护电路
VVMOV 上升时的 VM 过压阈值 OVSEL = 0b（仅限 SPI） 59.5 64.5 V
VVMOV_HYS
VM 过压迟滞

 0.7 V
tVMOV
VM 过压抗尖峰脉冲时间

 4 12 19 µs
VVMUV VM 欠压 VM 下降 4.1 4.25 4.4 V
VVMUV VM 欠压 VM 上升 4.15 4.3 4.45 V
VVMUV_HYS VM UV 迟滞 上升至下降阈值 0.065 V
tVMUV VM UV 抗尖峰脉冲时间 3 12 20 µs
VPOR_FALL 器件进入 POR 时的 VDD 电压
 		 2.7 V
VPOR_RISE 器件退出 POR 时的 VDD 电压
 		 2.8 V
IOCP 过流保护阈值，DRV8163 OCP_SEL = 11b，仅适用于 HW 56 94 A
IOCP 过流保护阈值，DRV8163 OCP_SEL = 10b 44 75 A
IOCP 过流保护阈值，DRV8163 OCP_SEL = 01b 29 52 A
IOCP 过流保护阈值，DRV8163 OCP_SEL = 00b 15 29.5 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 TOCP = 0b 0.5 1 1.65 µs
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 TOCP = 1b，仅适用于 HW 0.6 2 3.5 µs
tRETRY 过流保护重试时间 故障反应设置为重试（RETRY） 2.6 5 6.7 ms
tCLEAR 从过流事件中自动清除的无故障运行时间 故障反应设置为重试（RETRY） 70 140 µs
TTSD 热关断温度 内核温度 TJ 155 170 185 °C
THYS 热关断迟滞 内核温度 TJ 20 °C
tTSD 热关断抗尖峰脉冲时间 7 12 18 µs
tCLEAR_TSD 从过热事件中自动清除的无故障运行时间 故障反应设置为重试（RETRY） 3.6 5 6.4 ms
TOTW 过热警告阈值 内核温度 TJ，OTW_SEL = 0b 125 140 155 °C
TOTW 过热警告阈值 内核温度 TJ，OTW_SEL = 1b 105 120 135 °C
THYS_OTW 过热警告迟滞 内核温度 TJ 20 °C
tOTW 过热警告抗尖峰脉冲时间 7 12 18 µs
TDIE 内核温度测量范围 内核温度 TJ -40 185 °C
IIPROPI_DIE 用于内核温度测量的 IPROPI 电流范围 0.5 1.5 mA
TDIE_ACC 内核温度测量精度 相对于理想 IPROPI 电流的误差 -10 10 %
ROPEN_LS_High 检测为开路的输出电阻范围 OUTx-GND 电阻，低侧负载 1 ∞ kΩ
ROPEN_LS_X 具有不确定检测的输出电阻范围（可能会被检测为任一状态） OUTx-GND 电阻，低侧负载 0.4 1 kΩ
ROPEN_LS_Low 检测为正常的输出电阻范围 OUTx-GND 电阻，低侧负载 0 0.4 kΩ
ROPEN_HS_High 检测为开路的输出电阻范围 OUTx-VM 电阻，高侧负载，VVM = 48V 13 ∞ kΩ
ROPEN_HS_X 具有不确定检测的输出电阻范围（可能会被检测为任一状态） OUTx-VM 电阻，高侧负载，VVM = 48V 6.5 13 kΩ
ROPEN_HS_Low 检测为正常的输出电阻范围 OUTx-VM 电阻，高侧负载，VVM = 48V 0 6.5 kΩ
VOLP_REFH OLP 比较器基准电平高 2.7 V
VOLP_REFL OLP 比较器基准电平低 2.2 V
ROLP_PU OLP 期间 OUT 至内部 5V 的内部上拉电阻 VOUTx = VOLP_REFH + 0.1V 0.5 kΩ
ROLP_PD OLP 期间 OUT 至 GND 的内部下拉电阻 VOUTx = VOLP_REFL - 0.1V 0.5 kΩ
IPD_OLA 高侧再循环死区期间 OUTx 至 GND 的内部灌电流，220V/us 压摆率 10 24 mA
IPD_OLA 高侧再循环死区期间 OUTx 至 GND 的内部灌电流，110V/us 压摆率 5 12 mA
IPD_OLA 高侧再循环死区期间 OUTx 至 GND 的内部灌电流，50V/us 压摆率 2.3 6 mA
IPD_OLA 高侧再循环死区期间 OUTx 至 GND 的内部灌电流，20V/us 压摆率 0.8 2.6 mA
VOLA_REF 用于 OLA 的 VM 的比较器基准 0.28 V