ZHCSXR3A January 2025 – December 2025 LMG3650R070
PRODMIX
将 LMG365xR070 的导通转换速率从大约 10V/ns 调整到 100V/ns,并将最大关断转换速率限制从 10V/ns 调整为无限(仅由 Ids 控制)。有关详细信息,请参阅驱动强度调整。
压摆率从以下方面影响 GaN 器件的性能:
通常,高压摆率可实现低开关损耗,但高压摆率也会产生较高的电压过冲、噪声耦合和 EMI 发射。遵循此数据表中的设计建议可缓解由高压摆率引发的挑战。LMG365xR070 让电路设计人员能够灵活地选择合适的压摆率,从而使应用实现卓越的性能。