ZHCSXP8A December   2024  – December 2025 LMG3650R035

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3656R035）
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3650R035 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3651R035 功能方框图
      3. 7.2.3 LMG3656R035 功能方框图
      4. 7.2.4 LMG3657R035 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 驱动强度调整
      2. 7.3.2 GaN 功率 FET 开关能力
      3. 7.3.3 VDD 电源
      4. 7.3.4 过流和短路保护
      5. 7.3.5 过热保护
      6. 7.3.6 UVLO 保护
      7. 7.3.7 故障报告
      8. 7.3.8 辅助 LDO（仅限 LMG3651R035）
      9. 7.3.9 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3656R035）
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
        1. 8.2.1.1 压摆率选择
        2. 8.2.1.2 信号电平转换
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 使用隔离式电源
      2. 8.3.2 使用自举二极管
        1. 8.3.2.1 二极管选型
        2. 8.3.2.2 管理自举电压
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点可靠性
        2. 8.4.1.2 电源环路电感
        3. 8.4.1.3 信号接地连接
        4. 8.4.1.4 旁路电容器
        5. 8.4.1.5 开关节点电容
        6. 8.4.1.6 信号完整性
        7. 8.4.1.7 高电压间距
        8. 8.4.1.8 热建议
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 11.1 卷带包装信息
    3.     70

7.3.2 GaN 功率 FET 开关能力

由于硅 FET 长期占据功率开关技术的主导地位，许多设计人员没有意识到铭牌漏源电压不能用作跨技术比较器件的等效点。硅 FET 的铭牌漏源电压由雪崩击穿电压决定。GaN FET 的铭牌漏源电压是根据对数据表规格的长期遵从性设定的。

超过硅 FET 的铭牌漏源电压可能会立即导致损坏或造成永久性损坏。同时，GaN FET 的击穿电压远高于铭牌漏源电压。例如，LMG365xR035 GaN 功率 FET 的击穿漏源电压超过 800V，这使得 LMG365xR035 能够在超过相同铭牌额定硅 FET 的条件下运行。

LMG365xR035 GaN 功率 FET 开关功能借助 GaN 功率 FET 开关功能一文进行了说明。该图显示了在开关应用中，LMG365xR035 GaN 功率 FET 在四个不同开关周期内的漏源电压随时间的变化情况。不对开关频率或占空比进行任何声明。前两个周期显示正常运行，后两个周期显示在罕见的输入电压浪涌下运行。LMG365xR035 GaN 功率 FET 旨在在零电压开关 (ZVS) 或不连续导通模式 (DCM) 开关条件下开启。


LMG3650R035 LMG3651R035 LMG3656R035 LMG3657R035 GaN 功率 FET 开关能力

图 7-2 GaN 功率 FET 开关能力

FET 处于导通状态时，每个周期都在 t0 之前开始。在 t0 时，GaN FET 关断，寄生元件导致漏源电压以高频振铃。高频振铃已经减弱了 t1。在 t1 和 t2 之间，FET 漏源电压由开关应用的特性响应设置。特性以一条平坦的线（平坦区）显示，但可以有其他响应。在 t2 时，GaN FET 导通。正常运行时，瞬态振铃电压限制为 650V，平坦电压限制为 520V。对于罕见的浪涌事件，瞬态环电压限制为 800V，平坦电压限制为 720V。