ZHCSXO4 December   2024 LM74681

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入和输出电压
      2. 7.3.2 电荷泵
      3. 7.3.3 栅极驱动器
      4. 7.3.4 启用
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 导通模式
        1. 7.4.1.1 稳压导通模式
        2. 7.4.1.2 完全导通模式
      2. 7.4.2 反向电流保护模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计注意事项
        2. 8.2.2.2 MOSFET 选择
        3. 8.2.2.3 输出电容
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 用于 IEEE 802.3bt 5-8 级 (45W-90W) 系统的供电设备
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 瞬态保护
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.5.1 布局指南

  • 将去耦电容器靠近 OUTP 引脚和 IC GND 引脚放置。
  • 对于顶部 MOSFET，将 LM74681 的 INx、TGx 和 OUTP 引脚连接到靠近 MOSFET 的 SOURCE、GATE 和 DRAIN 引脚的位置。
  • 大电流路径会通过 MOSFET，因此务必为 MOSFET 的源极和漏极使用粗而短的布线，以便更大限度地降低电阻损耗。
  • 必须用较短的布线将 LM74681 的 TGx 引脚和 BGx 引脚分别连接到 MOSFET 栅极。
  • 将瞬态抑制元件放置在靠近 LM74681 的位置。
  • 使用替代布局方案也许能够获得可接受的性能；不过，节 8.5.2中显示的布局可用作指南，且效果良好。