ZHCSXO4 December   2024 LM74681

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入和输出电压
      2. 7.3.2 电荷泵
      3. 7.3.3 栅极驱动器
      4. 7.3.4 启用
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 导通模式
        1. 7.4.1.1 稳压导通模式
        2. 7.4.1.2 完全导通模式
      2. 7.4.2 反向电流保护模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计注意事项
        2. 8.2.2.2 MOSFET 选择
        3. 8.2.2.3 输出电容
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 用于 IEEE 802.3bt 5-8 级 (45W-90W) 系统的供电设备
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 瞬态保护
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.1 应用信息

LM74681 在二极管桥配置中驱动四个外部 N 沟道 MOSFET，非常适合对任何极性的电源进行整流。使用 MOSFET 代替传统二极管，该器件更大限度地减少了导通损耗，提高了热性能和整体系统效率。LM74681 的 OUTP UVLO 特性非常适合以太网供电 (PoE) 应用。图 8-1 中显示了 48V POE PD 应用的原理图，其中 LM74681 驱动二极管桥配置中的高侧 MOSFET Q1、Q2 和低侧 MOSFET Q3、Q4。