ZHCSWL2 June 2024 DRV8421
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 (VM) | ||||||
| VVM | VM 工作电压 | 4 | 18 | V | ||
| IVM | VM 工作电源电流 | VVM = 12V，不包括绕组电流 | 1.2 | 1.35 | 1.5 | mA |
| IVMQ | VM 睡眠模式电源电流（仅限 2 线输入） | VVM = 12V，EN = 0（仅限 2 线输入） | 0.5 | 1.2 | 3 | μA |
| tSLEEP | 睡眠时间（仅限 2 线输入） | EN = 1 至睡眠模式（仅限 2 线输入） | 1 | ms | ||
| tWAKE | 唤醒时间（仅限 2 线输入） | EN = 0 至输出切换（仅限 2 线输入） | 1 | ms | ||
| tON | 加电时间 | VVM > VUVLO 上升至输出切换 | 1 | ms | ||
| 逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、EN | ||||||
| VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.7 | V | ||
| VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.6 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 输入逻辑迟滞 | 100 | mV | |||
| IIL | 输入逻辑低电平电流 | VI = 0V | -1 | 1 | µA | |
| IIH | 输入逻辑高电平电流 | VI = 5V | 1 | 30 | µA | |
| RPD | 下拉电阻（2 线输入版本） | IN1 | 200 | kΩ | ||
| IN2 | 170 | kΩ | ||||
| RPD | 下拉电阻（4 线输入版本） | IN1/IN2 | 200 | kΩ | ||
| IN3/IN4 | 170 | kΩ | ||||
| RPD | 下拉电阻 | EN（仅限 2 线输入） | 500 | kΩ | ||
| tDEG | 输入抗尖峰脉冲时间 | INx | 200 | ns | ||
| tPROP | 传播延迟 | INx 边沿到输出更改 | 400 | ns | ||
| 控制输出 (NFAULT) | ||||||
| VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| IOH | 输出逻辑高电平漏电流 | VO = 3.3 V | -1 | 1 | µA | |
| 电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4） | ||||||
| RDS(ON) | 高侧 FET 导通电阻 | VVM = 12V、IO = 0.5A、TJ = 25°C | 550 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 高侧 FET 导通电阻 | VVM = 12 V、IO = 0.5 A, TJ = 85°C(1) | 660 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 低侧 FET 导通电阻 | VVM = 12V、IO = 0.5A、TJ = 25°C | 350 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 低侧 FET 导通电阻 | VVM = 12 V、IO = 0.5 A, TJ = 85°C(1) | 420 | mΩ | ||
| IOFF | 关断状态漏电流 | VVM = 5V、TJ = 25°C（仅限 2 线输入） | -1 | 1 | μA | |
| tRISE | 输出上升时间 | 60 | ns | |||
| tFALL | 输出下降时间 | 60 | ns | |||
| tDEAD | 输出死区时间 | 内部死区时间 | 200 | ns | ||
| 保护电路 | ||||||
| VUVLO | VM 欠压锁定 | VVM 下降；UVLO 报告 | 2.9 | V | ||
| VVM 上升；UVLO 恢复 | 3 | V | ||||
| IOCP | 过流保护跳变电平 | 2 | A | |||
| tDEG | 过流抗尖峰时间 | 2.8 | µs | |||
| tOCP | 过流保护周期 | 1.6 | ms | |||
| TTSD(1) | 热关断温度 | 内核温度 TJ | 150 | 160 | 180 | °C |
| THYS(1) | 热关断迟滞 | 内核温度 TJ | 35 | °C | ||