ZHCSWL2 June   2024 DRV8421

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 PWM 电机驱动器
      2. 7.3.2 真值表
      3. 7.3.3 并行运行
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 OCP
        2. 7.3.4.2 TSD
        3. 7.3.4.3 UVLO
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 社区资源
    2. 9.2 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.4.2 TSD

如果内核温度超过安全限值 TTSD，则会禁用 H 桥中的所有 FET。此外，在 DRV8421B 中，nFAULT 引脚被驱动为低电平。裸片温度下降到安全水平后，将自动恢复运行。恢复运行后，DRV8421B 中的 nFAULT 引脚将被释放。