ZHCSVS9G November 2008 – October 2026 TPS2552 , TPS2552-1 , TPS2553 , TPS2553-1
PRODUCTION DATA
N 通道 MOSFET 的低导通电阻允许大电流通过小型表面贴装封装。估算功率耗散和结温是一种良好的设计实践。在以下分析中,根据封装中的功率耗散计算结温的近似值。但是,需要注意的是,热分析在很大程度上取决于其他系统级因素。此类因素包括气流、电路板布局布线、覆铜厚度和表面积,以及与其他功率耗散器件的接近程度。良好的热设计实践除了涉及单个元件分析外,还必须考虑所有系统级因素。
从确定与输入电压和运行温度相关的 N 通道 MOSFET 的 rDS(导通)开始。开始估算时,使用感兴趣的最高运行环境温度并从典型特征图中读取 rDS(导通)值。使用该值,功率耗散可以用 方程式 10 来计算。
其中
最后计算结温:
其中
将计算得出的结温与初始估算值进行对比。如果差异较大,使用之前计算中得到的精确 rDS(on) 作为全新的估算值进行重复计算。通常,二次或三次迭代就足以达到所需结果。最终的结温在很大程度上取决于热阻 θJA,而热阻在很大程度上取决于独立封装和电路板布局布线。热性能信息表针对特定封装和电路板布局提供了热阻示例。