ZHCSUD0C November   2024  – June 2025 TPSM82866C

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 接口时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 节能模式
      2. 7.3.2 强制 PWM 模式
      3. 7.3.3 优化了从 PWM 至 PSM 运行的瞬态性能
      4. 7.3.4 低压降运行（100% 占空比）
      5. 7.3.5 使能和软启动斜坡
      6. 7.3.6 开关电流限制和 HICCUP 短路保护
      7. 7.3.7 欠压锁定
      8. 7.3.8 热警告和热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 启用和禁用 (EN)
      2. 7.4.2 启动输出电压和 I2C 目标地址选择 (VSET)
      3. 7.4.3 选择输出电压寄存器 (VID)
      4. 7.4.4 输出放电
      5. 7.4.5 电源正常 (PG)
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行接口说明
      2. 7.5.2 标准模式、快速模式和快速+ 模式协议
      3. 7.5.3 HS 模式协议
      4. 7.5.4 I2C 更新序列
      5. 7.5.5 I2C 寄存器复位
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 目标地址字节
    2. 8.2 寄存器地址字节
    3. 8.3 VOUT 寄存器 1
    4. 8.4 VOUT 寄存器 2
    5. 8.5 CONTROL 寄存器
    6. 8.6 STATUS 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 输入和输出电容器选择
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
        1. 9.4.2.1 散热注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.4.2 启动输出电压和 I2C 目标地址选择 (VSET)

在启用延迟 (tDelay) 期间，启动输出电压和器件 I2C 目标地址由通过内部 R2D（电阻器至数字）转换器连接到 VSET/VID 或 VSET/PG 引脚的外部电阻器来设置。器件 VOUT 寄存器 1 也根据启动电压进行设置。表 7-1 展示了允许的电阻值。节 6.3 展示了允许的电阻器容差。

表 7-1 启动输出电压和 I2C 目标地址选项
VSET/VID 上的电阻器（E96 系列，±1% 精度）TPSM8286xxx1 启动输出电压TPSM8286xxx2 启动输出电压TPSM8286xxx3 启动输出电压I2C 目标地址
249kΩ0.575V1.15V2.30V1000 110 (0x46)
205kΩ0.550V1.10V2.20V1000 101 (0x45)
162kΩ0.525V1.05V2.10V1000 100 (0x44)
133kΩ0.500V1.00V2.00V1000 011 (0x43)
105kΩ0.475V0.95V1.90V1000 010 (0x42)
86.6kΩ0.450V0.90V1.80V1000 001 (0x41)
68.1kΩ0.425V0.85V1.70V1001 000 (0x48)
56.2kΩ0.400V0.80V1.60V1001 001 (0x49)
44.2kΩ0.375V0.75V1.50V1001 010 (0x4A)
36.5kΩ0.350V0.70V1.40V1001 011 (0x4B)
28.7kΩ0.325V0.65V1.30V1001 100 (0x4C)
23.7kΩ0.300V0.60V1.20V1001 101 (0x4D)
18.7kΩ0.275V0.55V1.10V1001 110 (0x4E)
15.4kΩ0.250V0.50V1.00V1001 111 (0x4F)
12.1kΩ0.225V0.45V0.90V1000 000 (0x40)
10kΩ0.200V0.40V0.80V1000 111 (0x47)
GND 或 < 1kΩ0.720V0.90V1.80V1000 110 (0x46)

R2D 转换器具有一个通过外部电阻施加电流的内部电流源，以及一个可回读电压电平结果的内部 ADC。根据电平设置正确的启动输出电压和 I2C 目标地址。此 R2D 转换完成后，关闭电流源以避免电流流过外部电阻器。确保在 R2D 转换期间从该引脚到 GND 没有额外的电流路径或大于 30pF 的电容。否则会设置为错误的值。

有关更多详细信息，请参阅在超低电源中使用电阻至数字转换器的优势白皮书。

在斜升周期 (tRamp) 期间，输出电压首先斜升至由 VSET 设置的目标值，然后当输出寄存器的值由 I2C 接口命令更改时，斜升或斜降至新值。