ZHCST40B September   2023  – May 2025 LMG3626

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 GaN 功率 FET 开关参数
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 GaN 功率 FET 开关能力
      2. 7.3.2 导通压摆率控制
      3. 7.3.3 电流检测仿真
      4. 7.3.4 输入控制引脚（EN、IN）
      5. 7.3.5 AUX 电源引脚
        1. 7.3.5.1 AUX 上电复位
        2. 7.3.5.2 AUX 欠压锁定 (UVLO)
      6. 7.3.6 过流保护
      7. 7.3.7 过热保护
      8. 7.3.8 故障报告
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 导通压摆率设计
        2. 8.2.2.2 电流检测设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 焊点应力消除
        2. 8.4.1.2 信号接地连接
        3. 8.4.1.3 CS 引脚信号
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 11.1 机械数据

5.6 开关特性

1) 符号定义：ID = D 到 S 电流；IS = S 到 D 电流；ICS(src) = 从 CS 输出的电流；2) 除非另有说明，否则电压、电阻和电容均以 AGND 为基准；–40°C ≤ TJ ≤ 125°C；VDS = 520V；10V ≤ VAUX ≤ 26V；VEN = 5V；VIN = 0V；RRDRV = 0Ω；RCS = 100Ω
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
GaN 功率 FET
td(on)(Idrain) 漏极电流导通延迟时间 LMG3626，从 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 25mA，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A，采用以下转换率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
压摆率设置 0（最慢） 77 ns
压摆率设置 1 34
压摆率设置 2 28
压摆率设置 3（最快） 23
td(on) 导通延迟时间 LMG3626，从 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A，采用以下转换率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
压摆率设置 0（最慢） 97 ns
压摆率设置 1 44
压摆率设置 2 35
压摆率设置 3（最快） 26
td(off) 关断延迟时间 从 VIN < VIN,IT– 到 VDS > 80V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 32 ns
tf(off) 关断下降时间 从 VDS > 80V 到 VDS > 320V，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A（与压摆率设置无关），请参阅 GaN 功率 FET 开关参数 24 ns
导通压摆率 LMG3626，从 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 1A，采用以下转换率设置，请参阅 GaN 功率 FET 开关参数
压摆率设置 0（最慢） 20 V/ns
压摆率设置 1 50
压摆率设置 2 75
压摆率设置 3（最快） 150
CS
tr 上升时间 从 ICS(src) > 0.2 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，启用至 1A 负载 35 ns
EN
EN 唤醒时间 从 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V 1.5 µs