10 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLJune 15, 2023 to October 31, 2025 (from RevisionB (JUNE 2023)to RevisionC (OCTOBER 2025))

通篇：删除了对工业功能安全的引用Go
通篇：更新了 10 个时序部分中的介绍性句子。Go
（特性）：在“媒体和数据存储“”中的多媒体卡/安全数字项目符号中添加了 "/SDIO"Go
（特性）：从“高速接口”中删除了“支持通过 USB 进行跟踪“”要点Go
通篇：将“修订历史记录”部分移至文档的后面Go
（说明）：删除了应用列表并更正了印刷错误Go
（说明）：删除了描述封装选项的语句Go
（封装信息）：为 AM625-Q1 和 AM620-Q1 添加了 13mm×13mm ALW 封装选项。Go
（器件比较）：将器件中可用外部通用 I/O 的总数从 170 更新为 168Go
（器件比较）：更新了 JTAG 用户 ID 寄存器的名称Go
（器件比较）：将通用内存控制器说明中的“高达 1GB“更改为“高达 128MB“Go
（器件比较）：将显示子系统说明中的“LVDS“”更改为“OLDI (LVDS)”Go
（器件比较）：添加了指示 GTC 支持的行Go
（相关产品）：添加了产品链接以说明设计完成Go
（ALW FCCSP 引脚图）：将图从底视图更改为了顶视图Go
（AMC FCBGA 引脚图）：将图从底视图更改为了顶视图Go
（EPWM0 信号说明）：更新了 EHRPWM0_SYNCO 说明Go
（MMC2 信号说明）：添加了注释 2 到 MMC2_SDCD 和 MMC2_SDWP 信号Go
（电源信号说明）：更新了与 CAP_VDDSx 引脚相关的表注，以阐明电容降额的必要性并介绍其他连接选项Go
（电源信号说明）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
（MCU 系统信号说明）：更新了 MCU_PORz 信号功能的说明Go
（UART1 信号说明）：更正了 UART1_DCDn 的说明Go
（引脚连接要求）：更新了 MCU_I2C0 和 WKUP_I2C0 焊球的连接要求说明，以便在选择 GPIO 信号功能时连接外部下拉电阻器Go
（连接要求）：更新了 CSI0 焊球的连接要求说明，明确了未使用全部四条通道时的连接要求Go
（引脚连接要求）：更新了 VMON_3P3_SOC 连接要求Go
（绝对最大额定值）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
（ESD 等级）：在 ESD 等级一节中，添加了符合 AEC-Q100 标准的器件的 ALW 转角引脚Go
（建议运行条件）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
（I2C 开漏和失效防护电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（I2C 开漏和失效防护电气特性）：将输入漏电流测试条件拆分为两行Go
（失效防护复位电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（失效防护复位电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（高频振荡器电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（高频振荡器电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（低频振荡器电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（低频振荡器电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（SDIO 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（SDIO 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（SDIO 电气特性）：更改了 VDDSHV5 电源轨名称（如适用，这些名称用于通过引用通用电源轨名称 (VDD) 来定义 V_IL/V_ILSS/V_IH/V_IHSS/V_OL/V_OH 参数值），并添加了相关的表注Go
（LVCMOS 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（LVCMOS 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（建议的 OTP 电子保险丝编程操作条件）：删除了 VDD_CORE 参数说明中的 OPP NOM (BOOT) 引用，并更改了 VPP 压摆率说明以阐明它仅适用于上电Go
（对硬件保修的影响）：更新/更改了段落中的“因此，TI 将没有…”句子Go
（热阻特性）：添加的注释Go
（ALW 和 AMC 封装的热阻特性）：更新了不符合 AEC-Q100 标准的 ALW 封装热参数值，并添加了符合 AEC-Q100 标准的 ALW 封装热参数值Go
（温度传感器特性）：添加了新的一节来定义电压和温度模块 (VTM) 片上温度传感器特性Go
（上电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
（上电时序）：在“上电时序 — 电源/信号分配”表中向波形 C 添加了缺少的 VDDA_1P8_OLDI0 电源轨Go
（下电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
（下电时序）：在“下电时序 — 电源/信号分配”表中向波形 C 添加了缺少的 VDDA_1P8_OLDI0 电源轨Go
（下电时序 – 电源/信号分配）：将表注 4 中的 VDDSHV_CANUART 更改为 VDD_CANUARTGo
（下电时序）：更新了下电序列图，以便说明在关闭器件电源管理解决方案时系统电源保持开启的用例。还包括一个支持 IO 电源轨的斜降持续到最后一个内核电源轨斜降且可以在电源开始定序关闭之前将 MCU_PORz 置为有效的选项Go
（复位时序条件）：更改了 VDD = 1.8V 和 VDD = 3.3V 的输入压摆率最小值（交换了原始值）Go
（BOOTMODE 时序要求）：更新了参数 RST23 和 RST24 的说明Go
（输入时钟/振荡器）：添加了 VOUT0_EXTPCLKINGo
（MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源）：添加了其他注释和新的“MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源要求”表Go
（WKUP_LFOSC0 晶体电气特性）包括一个新参数，该参数定义了最大晶体频率稳定性和容差。Go
(PLL)：更新了 PLL 名称，以便包含 TRM 中使用的编号参考Go
（CPSW3G MDIO 时序）：将最小建立时间值（参数 MDIO1）从“90”更改为“45”。还将最小和最大输出延迟时间值（参数 MDIO7）分别从“-150”和“150”更改为“-10”和“10”Go
（CPSW3G MDIO 时序条件）：添加了传播延迟和传播延迟不匹配时序参数Go
（CPSW3G RMII 时序条件）：更改了两个工作电压的最大输入压摆率Go
（CPSW3G RGMII 时序条件）：向“输入压摆率”参数添加了工作电压条件以便在 1.8V 下运行时实现宽松的压摆率Go
(CPTS)：更新了时序表下方所引用的 TRM 部分名称。Go
(CSI-2)：在注释中包含了一条注释以说明端口实例名称关系，并删除了第一段，因为该段不包含与时序和开关特性相关的任何信息Go
（ECAP – 时序要求和开关特性）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
（EPWM – 时序要求和开关特性）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
（EQEP – 时序要求）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
（GPIO 时序条件）：更新了“输入压摆率”参数以包含具有宽松最小值的工作电压，并更正了在 3.3V 下运行的 I2C OD FS 缓冲器类型的最大值印刷错误。先前 0.8V/ns 的最大值应为 0.08V/ns，以便其等于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的最大值 8E+7Go
（GPIO 时序要求）：删除了“模式”列中的电压条件，并更改了最小值以适应“GPIO 时序条件”表中减小的最小输入压摆率值Go
（GPMC 和 NOR 闪存时序要求 - 同步模式）：删除了 GPMC_FCLK=100MHz 的列时序值及 GPMC_FCLK=133MHz 对应的 not_div_by_1_mode 时序值。简化了几个参数说明。此外删除了两条表注：一条关于 GPMC_FCLK 选择的寄存器配置，另一条关于 div_by_1_mode 的寄存器配置Go
（GPMC 和 NOR 闪存开关特性 - 同步模式）：删除了 GPMC_FCLK=100MHz 的列时序值及 GPMC_FCLK=133MHz 对应的 not_div_by_1_mode 时序值。简化了几个参数说明。将参数 F3 和 F11 中的时序变量更改为“D”。从 F15 和 F17 参数中删除了“J”时序变量。更新了表注Go
（GPMC 和 NOR 闪存时序要求 - 异步模式）：删除了 MODE 列和描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注。为参数 FA21 添加了正确的表注Go
（GPMC 和 NOR 闪存开关特性 - 异步模式）：删除了 MODE 列和冗余行。还删除了描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注Go
（GPMC 和 NAND 闪存时序要求 - 异步模式）：删除了 MODE 列和描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注Go
（GPMC 和 NAND 闪存开关特性 - 异步模式）：删除了 MODE 列和描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注。为时序变量 B、C、D、E、F、G、H、I、K、L 和 M 添加了表注和相关参考链接Go
(I2C)：将最大压摆率值从 0.8V/ns 更改为 0.08V/ns，并添加了“在 3.3V 下运行时”以阐明该例外情况不适用于 1.8V 运行情况Go
(I2C)：更改了支持的速度和异常说明，以便根据 IO 缓冲器类型而非 I2C 端口实例对其进行整理Go
(MCAN)：更新了时序表下 TRM 部分的参考名称。Go
(MCASP)：更改了 IOSET 注释，该注释说明了与有效引脚组合相关的时序限制Go
(MCSPI)：更改了 IOSET 注释，该注释说明了与有效引脚组合相关的时序限制Go
（MCSPI 开关特性 - 控制器模式）：用新的表注 2、3、4 和 5 替换了之前的表注 2 和 3Go
（MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口）：说明了默认速度、高速、UHS-I SDR12 和 UHS-I SDR25 模式仅可用于连接到嵌入式 SDIO 器件，删除了 UHS-I SDR50、UHS-I DDR50 和 UHS-I SDR104 模式Go
（所有时序模式的 MMC0 DLL 延迟映射）：更改了寄存器名称，更改了旧 SDR、高速 SDR、默认速度和高速模式下的 OTAPDLYENA 和 OTAPDLYSEL 值，并删除了 CLKBUFSEL 列，因为该寄存器位字段不提供任何函数Go
（HS200 模式）：添加了“MMC0 时序要求”Go
（所有时序模式的 MMC1/MMC2 DLL 延迟映射）：更改了寄存器名称，并更改了默认速度和高速模式的 OTAPDLYENA 和 OTAPDLYSEL 值Go
（所有时序模式的 MMC1/MMC2 DLL 延迟映射）：删除了 CLKBUFSEL 列，因为该寄存器位字段不起任何作用Go
（OLDI0 开关特性）：更改了参数 OLDI5 到 OLDI11 中的公式Go
（用于 PHY 数据训练的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
（OSPI0 时序要求 – PHY 数据训练）：添加了三个新的时序参数。两个用于定义与具有外部电路板环回的 SRD 相关的时序参数，另一个用于定义每种模式的最小输入数据有效窗口。此外，还更新了注释 1 以阐明新数据有效窗口参数的用途Go
（OSPI0 时序要求 – PHY 数据训练，带外部电路板环回的 SDR）：为具有外部电路板环回的 SDR 添加了新的时序要求图Go
（OSPI 开关特性 – PHY 数据训练）：添加了七个新的时序参数。六个用于定义与具有外部电路板环回的 SRD 相关的时序参数，另一个用于定义每种模式的最大输出数据有效窗口。Go
（OSPI 开关特性 – PHY 数据训练）：更正了与时序参数 O5 和 O11 相关的公式Go
（OSPI0 开关特性 – PHY SDR 数据训练）：为具有外部电路板环回的 SDR 添加了新的开关特性图Go
（PHY SDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
（OSPI0 开关特性 – PHY SDR 模式）：更正了与时序参数 O10 和 O11 相关的公式Go
（PHY DDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
（OSPI0 开关特性 – PHY DDR 模式）：更正了与时序参数 O4 和 O5 相关的公式Go
（概述）：删除了应用列表并更正了印刷错误Go
（概述）：删除了描述封装选项的语句Go
（详细说明 - A53SS）：增加了关于器件支持的 A53SS 特性的说明。Go
（详细说明—DMSS）：为 TRM 添加了参考资料，以确保与数据手册中其他章节的结构和格式保持一致。Go
（详细说明—PDMA）：增加了有关器件支持的 PDMA 特性的说明Go
（详细说明—CPSW3G）：增加了关于器件支持的 CPSW3G 特性的说明。Go
（详细说明 – DDRSS）：添加了有关器件支持的 DDRSS 功能的说明。Go
（详细说明—ECAP）：增加了关于器件支持的 ECAP 特性的说明。Go
（详细说明 – ELM）：添加了有关器件支持的 ELM 功能的说明。Go
（详细描述—EPWM）：增加了关于器件支持的 EPWM 特性的说明。Go
（详细说明—EQEP）：增加了关于器件支持的 EQEP 特性的说明Go
（详细说明—GPIO）：增加了有关器件支持的 GPIO 特性的说明。Go
（详细说明—GTC）：增加了有关器件支持的 GTC 特性的说明Go
（详细说明 - I2C）更新了第一句，以确保与数据手册中其他章节的结构和格式保持一致，并更新了 I/O 缓冲器的引用Go
（详细说明—MCAN）：增加了有关器件支持的 MCAN 特性的说明。Go
（详细说明 – McASP）：删除了第一句，以确保与文档中其他部分的结构和格式相一致Go
（详细说明—MCSPI）：增加了关于器件支持的 MCSPI 特性的说明Go
（详细说明—MMCSD）：增加了关于器件支持的 MMCSD 特性的说明。Go
（详细说明—OSPI）：增加了关于器件支持的 OSPI 特性的说明。Go
（详细说明 – 计时器）：添加了有关器件支持的计时器特性的阐述Go
（详细说明—UART）：增加了有关器件支持的 UART 特性的说明Go
（详细说明 – USBSS）：添加了有关该器件支持的 USBSS 功能的阐述Go
（USB VBUS 设计指南）：将 3.5kΩ 电阻器阻值更改为 3.48kΩ，因为 3.5kΩ 不是 1% 电阻器的标准值Go
（时钟布线指南）：新增了新的部分Go
（器件命名约定）：添加了器件修订版本 BGo
（工具与软件）：添加了有关 SysConfig 功能的说明Go