ZHCSQL8C June   2022  – October 2025 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 终端配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      11
      2.      12
    3. 5.3 信号说明
      1.      14
      2. 5.3.1  CPSW3G
        1. 5.3.1.1 MAIN 域
          1.        17
          2.        18
          3.        19
          4.        20
      3. 5.3.2  CPTS
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
          1.        23
      4. 5.3.3  CSI-2
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
          1.        26
      5. 5.3.4  DDRSS
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
          1.        29
      6. 5.3.5  DSS
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
          1.        32
      7. 5.3.6  ECAP
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
          1.        35
          2.        36
          3.        37
      8. 5.3.7  仿真和调试
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
          1.        40
        2. 5.3.7.2 MCU 域
          1.        42
      9. 5.3.8  EPWM
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
          1.        45
          2.        46
          3.        47
          4.        48
      10. 5.3.9  EQEP
        1. 5.3.9.1 MAIN 域
          1.        51
          2.        52
          3.        53
      11. 5.3.10 GPIO
        1. 5.3.10.1 MAIN 域
          1.        56
          2.        57
        2. 5.3.10.2 MCU 域
          1.        59
      12. 5.3.11 GPMC
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
          1.        62
      13. 5.3.12 I2C
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
          1.        65
          2.        66
          3.        67
          4.        68
        2. 5.3.12.2 MCU 域
          1.        70
        3. 5.3.12.3 WKUP 域
          1.        72
      14. 5.3.13 MCAN
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
          1.        75
        2. 5.3.13.2 MCU 域
          1.        77
          2.        78
      15. 5.3.14 MCASP
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
          1.        81
          2.        82
          3.        83
      16. 5.3.15 MCSPI
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
          1.        86
          2.        87
          3.        88
        2. 5.3.15.2 MCU 域
          1.        90
          2.        91
      17. 5.3.16 MDIO
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
          1.        94
      18. 5.3.17 MMC
        1. 5.3.17.1 MAIN 域
          1.        97
          2.        98
          3.        99
      19. 5.3.18 OLDI
        1. 5.3.18.1 MAIN 域
          1.        102
      20. 5.3.19 OSPI
        1. 5.3.19.1 MAIN 域
          1.        105
      21. 5.3.20 电源
        1.       107
      22. 5.3.21 PRUSS
        1. 5.3.21.1 MAIN 域
          1.        110
          2.        111
      23. 5.3.22 保留
        1.       113
      24. 5.3.23 系统和其他
        1. 5.3.23.1 启动模式配置
          1. 5.3.23.1.1 MAIN 域
            1.         117
        2. 5.3.23.2 时钟
          1. 5.3.23.2.1 MCU 域
            1.         120
          2. 5.3.23.2.2 WKUP 域
            1.         122
        3. 5.3.23.3 系统
          1. 5.3.23.3.1 MAIN 域
            1.         125
          2. 5.3.23.3.2 MCU 域
            1.         127
          3. 5.3.23.3.3 WKUP 域
            1.         129
        4. 5.3.23.4 VMON
          1.        131
      25. 5.3.24 计时器
        1. 5.3.24.1 MAIN 域
          1.        134
        2. 5.3.24.2 MCU 域
          1.        136
        3. 5.3.24.3 WKUP 域
          1.        138
      26. 5.3.25 UART
        1. 5.3.25.1 MAIN 域
          1.        141
          2.        142
          3.        143
          4.        144
          5.        145
          6.        146
          7.        147
        2. 5.3.25.2 MCU 域
          1.        149
        3. 5.3.25.3 WKUP 域
          1.        151
      27. 5.3.26 USB
        1. 5.3.26.1 MAIN 域
          1.        154
          2.        155
    4. 5.4 引脚连接要求
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  未通过 AEC - Q100 认证的器件的 ESD 等级
    3. 6.3  符合 AEC - Q100 标准的器件的 ESD 等级
    4. 6.4  上电小时数 (POH)
    5. 6.5  建议运行条件
    6. 6.6  运行性能点
    7. 6.7  功耗摘要
    8. 6.8  电气特性
      1. 6.8.1  I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.8.2  失效防护复位(FS 复位)电气特性
      3. 6.8.3  高频振荡器 (HFOSC) 电气特性
      4. 6.8.4  低频振荡器 (LFXOSC) 电气特性
      5. 6.8.5  SDIO 电气特性
      6. 6.8.6  LVCMOS 电气特性
      7. 6.8.7  OLDI LVDS (OLDI) 电气特性
      8. 6.8.8  CSI-2 (D-PHY) 电气特性
      9. 6.8.9  USB2PHY 电气特性
      10. 6.8.10 DDR 电气特性
    9. 6.9  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.9.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 6.9.2 硬件要求
      3. 6.9.3 编程序列
      4. 6.9.4 对硬件保修的影响
    10. 6.10 热阻特性
      1. 6.10.1 ALW 和 AMC 封装的热阻特性
    11. 6.11 温度传感器特性
    12. 6.12 时序和开关特性
      1. 6.12.1 时序参数和信息
      2. 6.12.2 电源要求
        1. 6.12.2.1 电源压摆率要求
        2. 6.12.2.2 电源时序
          1. 6.12.2.2.1 上电时序
          2. 6.12.2.2.2 下电时序
          3. 6.12.2.2.3 部分 IO 电源时序
      3. 6.12.3 系统时序
        1. 6.12.3.1 复位时序
        2. 6.12.3.2 错误信号时序
        3. 6.12.3.3 时钟时序
      4. 6.12.4 时钟规格
        1. 6.12.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.12.4.1.1 MCU_OSC0 内部振荡器时钟源
            1. 6.12.4.1.1.1 负载电容
            2. 6.12.4.1.1.2 并联电容
          2. 6.12.4.1.2 MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
          3. 6.12.4.1.3 WKUP_LFOSC0 内部振荡器时钟源
          4. 6.12.4.1.4 WKUP_LFOSC0 LVCMOS 数字时钟源
          5. 6.12.4.1.5 未使用 WKUP_LFOSC0
        2. 6.12.4.2 输出时钟
        3. 6.12.4.3 PLL
        4. 6.12.4.4 时钟和控制信号转换的建议系统预防措施
      5. 6.12.5 外设
        1. 6.12.5.1  CPSW3G
          1. 6.12.5.1.1 CPSW3G MDIO 时序
          2. 6.12.5.1.2 CPSW3G RMII 时序
          3. 6.12.5.1.3 CPSW3G RGMII 时序
        2. 6.12.5.2  CPTS
        3. 6.12.5.3  CSI-2
        4. 6.12.5.4  DDRSS
        5. 6.12.5.5  DSS
        6. 6.12.5.6  ECAP
        7. 6.12.5.7  仿真和调试
          1. 6.12.5.7.1 迹线
          2. 6.12.5.7.2 JTAG
        8. 6.12.5.8  EPWM
        9. 6.12.5.9  EQEP
        10. 6.12.5.10 GPIO
        11. 6.12.5.11 GPMC
          1. 6.12.5.11.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
          2. 6.12.5.11.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
          3. 6.12.5.11.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
        12. 6.12.5.12 I2C
        13. 6.12.5.13 MCAN
        14. 6.12.5.14 MCASP
        15. 6.12.5.15 MCSPI
          1. 6.12.5.15.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.12.5.15.2 MCSPI - 外设模式
        16. 6.12.5.16 MMCSD
          1. 6.12.5.16.1 MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口
            1. 6.12.5.16.1.1  旧 SDR 模式
            2. 6.12.5.16.1.2  高速 SDR 模式
            3. 6.12.5.16.1.3  HS200 模式
            4. 6.12.5.16.1.4  默认速度模式
            5. 6.12.5.16.1.5  高速模式
            6. 6.12.5.16.1.6  UHS–I SDR12 模式
            7. 6.12.5.16.1.7  UHS–I SDR25 模式
            8. 6.12.5.16.1.8  UHS–I SDR50 模式
            9. 6.12.5.16.1.9  UHS-I DDR50 模式
            10. 6.12.5.16.1.10 UHS–I SDR104 模式
          2. 6.12.5.16.2 MMC1/MMC2 - SD/SDIO 接口
            1. 6.12.5.16.2.1 默认速度模式
            2. 6.12.5.16.2.2 高速模式
            3. 6.12.5.16.2.3 UHS–I SDR12 模式
            4. 6.12.5.16.2.4 UHS–I SDR25 模式
            5. 6.12.5.16.2.5 UHS–I SDR50 模式
            6. 6.12.5.16.2.6 UHS-I DDR50 模式
            7. 6.12.5.16.2.7 UHS–I SDR104 模式
        17. 6.12.5.17 OLDI
          1. 6.12.5.17.1 OLDI0 开关特性
        18. 6.12.5.18 OSPI
          1. 6.12.5.18.1 OSPI0 PHY 模式
            1. 6.12.5.18.1.1 具有 PHY 数据训练的 OSPI0
            2. 6.12.5.18.1.2 无数据训练的 OSPI0
              1. 6.12.5.18.1.2.1 OSPI0 PHY SDR 时序
              2. 6.12.5.18.1.2.2 OSPI0 PHY DDR 时序
          2. 6.12.5.18.2 OSPI0 Tap 模式
            1. 6.12.5.18.2.1 OSPI0 Tap SDR 时序
            2. 6.12.5.18.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序
        19. 6.12.5.19 PRUSS
          1. 6.12.5.19.1 PRUSS 可编程实时单元 (PRU)
            1. 6.12.5.19.1.1 PRUSS PRU 直接输出模式时序
            2. 6.12.5.19.1.2 PRUSS PRU 并行捕获模式时序
            3. 6.12.5.19.1.3 PRUSS PRU 移位模式时序
          2. 6.12.5.19.2 PRUSS 工业以太网外设 (IEP)
            1. 6.12.5.19.2.1 PRUSS IEP 时序
          3. 6.12.5.19.3 PRUSS 通用异步接收器/发送器 (UART)
            1. 6.12.5.19.3.1 PRUSS UART 时序
          4. 6.12.5.19.4 PRUSS 增强型捕获外设 (ECAP)
            1. 6.12.5.19.4.1 PRUSS ECAP 时序
        20. 6.12.5.20 计时器
        21. 6.12.5.21 UART
        22. 6.12.5.22 USB
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-A53 子系统 (A53SS)
      2. 7.2.2 器件/电源管理器
      3. 7.2.3 Arm Cortex-M4F
    3. 7.3 加速器和协处理器
      1. 7.3.1 图形处理单元 (GPU)
      2. 7.3.2 可编程实时单元子系统 (PRUSS)
    4. 7.4 其他子系统
      1. 7.4.1 双时钟比较器 (DCC)
      2. 7.4.2 数据移动子系统 (DMSS)
      3. 7.4.3 存储器循环冗余校验 (MCRC)
      4. 7.4.4 外设 DMA 控制器 (PDMA)
      5. 7.4.5 实时时钟 (RTC)
    5. 7.5 外设
      1. 7.5.1  千兆位以太网交换机 (CPSW3G)
      2. 7.5.2  摄像头串行接口接收器 (CSI_RX_IF)
      3. 7.5.3  DDR 子系统 (DDRSS)
      4. 7.5.4  显示子系统 (DSS)
      5. 7.5.5  增强型捕获 (ECAP)
      6. 7.5.6  错误定位器模块 (ELM)
      7. 7.5.7  增强型脉宽调制 (EPWM)
      8. 7.5.8  错误信令模块 (ESM)
      9. 7.5.9  增强型正交编码器脉冲 (EQEP)
      10. 7.5.10 通用接口 (GPIO)
      11. 7.5.11 通用存储器控制器 (GPMC)
      12. 7.5.12 全局时基计数器 (GTC)
      13. 7.5.13 内部集成电路 (I2C)
      14. 7.5.14 模块化控制器局域网 (MCAN)
      15. 7.5.15 多通道音频串行端口 (MCASP)
      16. 7.5.16 多通道串行外设接口 (MCSPI)
      17. 7.5.17 多媒体卡安全数字 (MMCSD)
      18. 7.5.18 八进制串行外设接口 (OSPI)
      19. 7.5.19 计时器
      20. 7.5.20 通用异步收发器 (UART)
      21. 7.5.21 通用串行总线子系统 (USBSS)
  9. 应用、实现和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 电源
        1. 8.1.1.1 电源设计
        2. 8.1.1.2 配电网络实施指南
      2. 8.1.2 外部振荡器
      3. 8.1.3 JTAG、仿真和跟踪
      4. 8.1.4 未使用的引脚
    2. 8.2 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.2.1 DDR 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.2.2 OSPI/QSPI/SPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.2.2.1 无环回、内部 PHY 环回和内部焊盘环回
        2. 8.2.2.2 外部电路板环回
        3. 8.2.2.3 DQS(仅适用于八路 SPI 器件)
      3. 8.2.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.2.4 系统电源监测设计指南
      5. 8.2.5 高速差分信号布线指南
      6. 8.2.6 散热解决方案指导
    3. 8.3 时钟布线指南
      1. 8.3.1 振荡器路由
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLJune 15, 2023 to October 31, 2025 (from RevisionB (JUNE 2023)to RevisionC (OCTOBER 2025))

  • 通篇:删除了对工业功能安全的引用Go
  • 通篇:更新了 10 个时序部分中的介绍性句子。Go
  • (特性):在“媒体和数据存储“”中的多媒体卡/安全数字项目符号中添加了 "/SDIO"Go
  • (特性):从“高速接口”中删除了“支持通过 USB 进行跟踪“”要点Go
  • 通篇:将“修订历史记录”部分移至文档的后面Go
  • (说明):删除了应用列表并更正了印刷错误Go
  • (说明):删除了描述封装选项的语句Go
  • (封装信息):为 AM625-Q1 和 AM620-Q1 添加了 13mm×13mm ALW 封装选项。Go
  • (器件比较):将器件中可用外部通用 I/O 的总数从 170 更新为 168Go
  • (器件比较):更新了 JTAG 用户 ID 寄存器的名称Go
  • (器件比较):将通用内存控制器说明中的“高达 1GB“更改为“高达 128MB“Go
  • (器件比较):将显示子系统说明中的“LVDS“”更改为“OLDI (LVDS)”Go
  • (器件比较):添加了指示 GTC 支持的行Go
  • (相关产品):添加了产品链接以说明设计完成Go
  • (ALW FCCSP 引脚图):将图从底视图更改为了顶视图Go
  • (AMC FCBGA 引脚图):将图从底视图更改为了顶视图Go
  • (EPWM0 信号说明):更新了 EHRPWM0_SYNCO 说明Go
  • (MMC2 信号说明):添加了注释 2 到 MMC2_SDCD 和 MMC2_SDWP 信号Go
  • (电源信号说明):更新了与 CAP_VDDSx 引脚相关的表注,以阐明电容降额的必要性并介绍其他连接选项Go
  • (电源信号说明):更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • (MCU 系统信号说明):更新了 MCU_PORz 信号功能的说明Go
  • (UART1 信号说明):更正了 UART1_DCDn 的说明Go
  • (引脚连接要求):更新了 MCU_I2C0 和 WKUP_I2C0 焊球的连接要求说明,以便在选择 GPIO 信号功能时连接外部下拉电阻器Go
  • (连接要求):更新了 CSI0 焊球的连接要求说明,明确了未使用全部四条通道时的连接要求Go
  • (引脚连接要求):更新了 VMON_3P3_SOC 连接要求Go
  • (绝对最大额定值):更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • (ESD 等级):在 ESD 等级一节中,添加了符合 AEC-Q100 标准的器件的 ALW 转角引脚Go
  • (建议运行条件):更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • (I2C 开漏和失效防护电气特性):向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • (I2C 开漏和失效防护电气特性):将输入漏电流测试条件拆分为两行Go
  • (失效防护复位电气特性):向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • (失效防护复位电气特性):将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • (高频振荡器电气特性):向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • (高频振荡器电气特性):将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • (低频振荡器电气特性):向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • (低频振荡器电气特性):将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • (SDIO 电气特性):向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • (SDIO 电气特性):将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • (SDIO 电气特性):更改了 VDDSHV5 电源轨名称(如适用,这些名称用于通过引用通用电源轨名称 (VDD) 来定义 VIL/VILSS/VIH/VIHSS/VOL/VOH 参数值),并添加了相关的表注Go
  • (LVCMOS 电气特性):向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • (LVCMOS 电气特性):将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • (建议的 OTP 电子保险丝编程操作条件):删除了 VDD_CORE 参数说明中的 OPP NOM (BOOT) 引用,并更改了 VPP 压摆率说明以阐明它仅适用于上电Go
  • (对硬件保修的影响):更新/更改了段落中的“因此,TI 将没有…”句子Go
  • (热阻特性):添加的注释Go
  • (ALW 和 AMC 封装的热阻特性):更新了不符合 AEC-Q100 标准的 ALW 封装热参数值,并添加了符合 AEC-Q100 标准的 ALW 封装热参数值Go
  • (温度传感器特性):添加了新的一节来定义电压和温度模块 (VTM) 片上温度传感器特性Go
  • (上电时序):添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
  • (上电时序):在“上电时序 — 电源/信号分配”表中向波形 C 添加了缺少的 VDDA_1P8_OLDI0 电源轨Go
  • (下电时序):添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
  • (下电时序):在“下电时序 — 电源/信号分配”表中向波形 C 添加了缺少的 VDDA_1P8_OLDI0 电源轨Go
  • (下电时序 – 电源/信号分配):将表注 4 中的 VDDSHV_CANUART 更改为 VDD_CANUARTGo
  • (下电时序):更新了下电序列图,以便说明在关闭器件电源管理解决方案时系统电源保持开启的用例。还包括一个支持 IO 电源轨的斜降持续到最后一个内核电源轨斜降且可以在电源开始定序关闭之前将 MCU_PORz 置为有效的选项Go
  • (复位时序条件):更改了 VDD = 1.8V 和 VDD = 3.3V 的输入压摆率最小值(交换了原始值)Go
  • (BOOTMODE 时序要求):更新了参数 RST23 和 RST24 的说明Go
  • (输入时钟/振荡器):添加了 VOUT0_EXTPCLKINGo
  • (MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源):添加了其他注释和新的“MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源要求”表Go
  • (WKUP_LFOSC0 晶体电气特性)包括一个新参数,该参数定义了最大晶体频率稳定性和容差。Go
  • (PLL):更新了 PLL 名称,以便包含 TRM 中使用的编号参考Go
  • (CPSW3G MDIO 时序):将最小建立时间值(参数 MDIO1)从“90”更改为“45”。还将最小和最大输出延迟时间值(参数 MDIO7)分别从“-150”和“150”更改为“-10”和“10”Go
  • (CPSW3G MDIO 时序条件):添加了传播延迟和传播延迟不匹配时序参数Go
  • (CPSW3G RMII 时序条件):更改了两个工作电压的最大输入压摆率Go
  • (CPSW3G RGMII 时序条件):向“输入压摆率”参数添加了工作电压条件以便在 1.8V 下运行时实现宽松的压摆率Go
  • (CPTS):更新了时序表下方所引用的 TRM 部分名称。Go
  • (CSI-2):在注释中包含了一条注释以说明端口实例名称关系,并删除了第一段,因为该段不包含与时序和开关特性相关的任何信息Go
  • (ECAP – 时序要求和开关特性):更新了表注 1 中引用的时钟源Go
  • (EPWM – 时序要求和开关特性):更新了表注 1 中引用的时钟源Go
  • (EQEP – 时序要求):更新了表注 1 中引用的时钟源Go
  • (GPIO 时序条件):更新了“输入压摆率”参数以包含具有宽松最小值的工作电压,并更正了在 3.3V 下运行的 I2C OD FS 缓冲器类型的最大值印刷错误。先前 0.8V/ns 的最大值应为 0.08V/ns,以便其等于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的最大值 8E+7Go
  • (GPIO 时序要求):删除了“模式”列中的电压条件,并更改了最小值以适应“GPIO 时序条件”表中减小的最小输入压摆率值Go
  • (GPMC 和 NOR 闪存时序要求 - 同步模式):删除了 GPMC_FCLK=100MHz 的列时序值及 GPMC_FCLK=133MHz 对应的 not_div_by_1_mode 时序值。简化了几个参数说明。此外删除了两条表注:一条关于 GPMC_FCLK 选择的寄存器配置,另一条关于 div_by_1_mode 的寄存器配置Go
  • (GPMC 和 NOR 闪存开关特性 - 同步模式):删除了 GPMC_FCLK=100MHz 的列时序值及 GPMC_FCLK=133MHz 对应的 not_div_by_1_mode 时序值。简化了几个参数说明。将参数 F3 和 F11 中的时序变量更改为“D”。从 F15 和 F17 参数中删除了“J”时序变量。更新了表注Go
  • (GPMC 和 NOR 闪存时序要求 - 异步模式):删除了 MODE 列和描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注。为参数 FA21 添加了正确的表注Go
  • (GPMC 和 NOR 闪存开关特性 - 异步模式):删除了 MODE 列和冗余行。还删除了描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注Go
  • (GPMC 和 NAND 闪存时序要求 - 异步模式):删除了 MODE 列和描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注Go
  • (GPMC 和 NAND 闪存开关特性 - 异步模式):删除了 MODE 列和描述 div_by_1_mode 的寄存器配置的表注。为时序变量 B、C、D、E、F、G、H、I、K、L 和 M 添加了表注和相关参考链接Go
  • (I2C):将最大压摆率值从 0.8V/ns 更改为 0.08V/ns,并添加了“在 3.3V 下运行时”以阐明该例外情况不适用于 1.8V 运行情况Go
  • (I2C):更改了支持的速度和异常说明,以便根据 IO 缓冲器类型而非 I2C 端口实例对其进行整理Go
  • (MCAN):更新了时序表下 TRM 部分的参考名称。Go
  • (MCASP):更改了 IOSET 注释,该注释说明了与有效引脚组合相关的时序限制Go
  • (MCSPI):更改了 IOSET 注释,该注释说明了与有效引脚组合相关的时序限制Go
  • (MCSPI 开关特性 - 控制器模式):用新的表注 2、3、4 和 5 替换了之前的表注 2 和 3Go
  • (MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口):说明了默认速度、高速、UHS-I SDR12 和 UHS-I SDR25 模式仅可用于连接到嵌入式 SDIO 器件,删除了 UHS-I SDR50、UHS-I DDR50 和 UHS-I SDR104 模式Go
  • (所有时序模式的 MMC0 DLL 延迟映射):更改了寄存器名称,更改了旧 SDR、高速 SDR、默认速度和高速模式下的 OTAPDLYENA 和 OTAPDLYSEL 值,并删除了 CLKBUFSEL 列,因为该寄存器位字段不提供任何函数Go
  • (HS200 模式):添加了“MMC0 时序要求”Go
  • (所有时序模式的 MMC1/MMC2 DLL 延迟映射):更改了寄存器名称,并更改了默认速度和高速模式的 OTAPDLYENA 和 OTAPDLYSEL 值Go
  • (所有时序模式的 MMC1/MMC2 DLL 延迟映射):删除了 CLKBUFSEL 列,因为该寄存器位字段不起任何作用Go
  • (OLDI0 开关特性):更改了参数 OLDI5 到 OLDI11 中的公式Go
  • (用于 PHY 数据训练的 OSPI0 DLL 延迟映射):为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
  • (OSPI0 时序要求 – PHY 数据训练):添加了三个新的时序参数。两个用于定义与具有外部电路板环回的 SRD 相关的时序参数,另一个用于定义每种模式的最小输入数据有效窗口。此外,还更新了注释 1 以阐明新数据有效窗口参数的用途Go
  • (OSPI0 时序要求 – PHY 数据训练,带外部电路板环回的 SDR):为具有外部电路板环回的 SDR 添加了新的时序要求图Go
  • (OSPI 开关特性 – PHY 数据训练):添加了七个新的时序参数。六个用于定义与具有外部电路板环回的 SRD 相关的时序参数,另一个用于定义每种模式的最大输出数据有效窗口。Go
  • (OSPI 开关特性 – PHY 数据训练):更正了与时序参数 O5 和 O11 相关的公式Go
  • (OSPI0 开关特性 – PHY SDR 数据训练):为具有外部电路板环回的 SDR 添加了新的开关特性图Go
  • (PHY SDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射):为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
  • (OSPI0 开关特性 – PHY SDR 模式):更正了与时序参数 O10 和 O11 相关的公式Go
  • (PHY DDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射):为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
  • (OSPI0 开关特性 – PHY DDR 模式):更正了与时序参数 O4 和 O5 相关的公式Go
  • (概述):删除了应用列表并更正了印刷错误Go
  • (概述):删除了描述封装选项的语句Go
  • (详细说明 - A53SS):增加了关于器件支持的 A53SS 特性的说明。Go
  • (详细说明—DMSS):为 TRM 添加了参考资料,以确保与数据手册中其他章节的结构和格式保持一致。Go
  • (详细说明—PDMA):增加了有关器件支持的 PDMA 特性的说明Go
  • (详细说明—CPSW3G):增加了关于器件支持的 CPSW3G 特性的说明。Go
  • (详细说明 – DDRSS):添加了有关器件支持的 DDRSS 功能的说明。Go
  • (详细说明—ECAP):增加了关于器件支持的 ECAP 特性的说明。Go
  • (详细说明 – ELM):添加了有关器件支持的 ELM 功能的说明。Go
  • (详细描述—EPWM):增加了关于器件支持的 EPWM 特性的说明。Go
  • (详细说明—EQEP):增加了关于器件支持的 EQEP 特性的说明Go
  • (详细说明—GPIO):增加了有关器件支持的 GPIO 特性的说明。Go
  • (详细说明—GTC):增加了有关器件支持的 GTC 特性的说明Go
  • (详细说明 - I2C)更新了第一句,以确保与数据手册中其他章节的结构和格式保持一致,并更新了 I/O 缓冲器的引用Go
  • (详细说明—MCAN):增加了有关器件支持的 MCAN 特性的说明。Go
  • (详细说明 – McASP):删除了第一句,以确保与文档中其他部分的结构和格式相一致Go
  • (详细说明—MCSPI):增加了关于器件支持的 MCSPI 特性的说明Go
  • (详细说明—MMCSD):增加了关于器件支持的 MMCSD 特性的说明。Go
  • (详细说明—OSPI):增加了关于器件支持的 OSPI 特性的说明。Go
  • (详细说明 – 计时器):添加了有关器件支持的计时器特性的阐述Go
  • (详细说明—UART):增加了有关器件支持的 UART 特性的说明Go
  • (详细说明 – USBSS):添加了有关该器件支持的 USBSS 功能的阐述Go
  • (USB VBUS 设计指南):将 3.5kΩ 电阻器阻值更改为 3.48kΩ,因为 3.5kΩ 不是 1% 电阻器的标准值Go
  • (时钟布线指南):新增了新的部分Go
  • (器件命名约定):添加了器件修订版本 BGo
  • (工具与软件):添加了有关 SysConfig 功能的说明Go