ZHCSQH2B November 2024 – February 2025 DRV81008-Q1
PRODUCTION DATA
VM 引脚应通过低 ESR 陶瓷旁路电容器旁路至 GND，该电容器的建议电容值为 68nF 且额定电压为 VM。此类电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的布线或接地平面与器件 GND 引脚连接。
使用低 ESR 陶瓷电容器将 VDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 100nF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
通常，必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。
在 DRV81008-Q1 的 IN0、IN1、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、SDO 和 VDD 引脚与微控制器的相应引脚之间连接串联电阻器。节 6.3 显示了电阻器建议值。
封装的散热焊盘必须连接至系统接地端。
建议整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可在 PCB 底层制成。
为了尽可能地减小阻抗和电感，在通过通孔连接至底层接地平面之前，接地引脚的布线应尽可能短且宽。
建议使用多个通孔来降低阻抗。
尽量清理器件周围的空间（尤其是在 PCB 底层），从而改善散热。
连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。