ZHCSPX8C January   2000  – January 2026 XTR115 , XTR116

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 建议运行条件
    3. 6.3 热性能信息
    4. 6.4 电气特性
    5. 6.5 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 反向电压保护
      2. 7.3.2 过压浪涌保护
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 外部晶体管
      2. 8.1.2 最小量程电流
      3. 8.1.3 偏移输入
      4. 8.1.4 最大输出电流
      5. 8.1.5 射频干扰
      6. 8.1.6 电路稳定性
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 器件命名规则
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

8.1.3 偏移输入

通过创建 40µA 输入电流可产生 4mA 的低量程。此低量程偏移可通过 VREF 端接适当阻值的电阻器产生（如 图 8-2 所示），也可通过在输入驱动电路中产生偏移来实现。

XTR115 XTR116 创建低量程偏移图 8-2 创建低量程偏移