ZHCSM28 December   2025 TPS1HC120-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 EN 和 EN_AUX 的 ORing
      2. 7.3.2 电感负载关断钳位
      3. 7.3.3 全面保护和诊断
        1. 7.3.3.1  可编程电流限制
        2. 7.3.3.2  短路和过载保护
          1. 7.3.3.2.1 电容充电
        3. 7.3.3.3  导通状态开路负载检测
        4. 7.3.3.4  反极性和电池反向保护
        5. 7.3.3.5  热保护行为
        6. 7.3.3.6  UVLO 保护
        7. 7.3.3.7  接地失效保护
        8. 7.3.3.8  电源失效保护
        9. 7.3.3.9  反向电流保护
        10. 7.3.3.10 MCU I/O 保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
        1. 8.2.1.1 动态改变电流限制
        2. 8.2.1.2 AEC Q100-012 测试 A 级认证
        3. 8.2.1.3 EMC 瞬态干扰测试
      2. 8.2.2 功率耗散计算
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 无接地网络
        2. 8.4.2.2 有接地网络
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

电气特性

VBB = 6V 至 18V,TJ = -40°C 至 150°C(除非另有说明);典型应用为 13.5V、10Ω、RILIM = 开路(除非另有规定)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电压和电流
VDS,clamp VDS 钳位电压 VBB = 13.5V TJ = 25℃ 35 42 V
TJ = -40°C 至 150°C 33 43 V
VBB = 6V TJ = 25°C 30 35 V
TJ = -40°C 至 150°C 25 35 V
VUVLOR VBB 欠压锁定上升 以器件的 GND 引脚为基准测得 3.4 3.6 3.8 V
VUVLOF VBB 欠压锁定下降 2.4 2.6 2.9 V
INOM 持续负载电流 VEN = 5V,TA = 85°C 1.5 A
IVBB,SLEEP 待机或睡眠电流(包括 MOSFET 通道在内的器件总漏电流) VBB ≤ 18V,VEN = VDIAG_EN = 0V(版本 A/B),VEN = 0V(版本 C),VOUT = 0V TJ = 25°C
 
0.1 µA
TJ = 85°C
 
0.5 µA
TJ = 150°C
 
12 µA
ILEAK,SLEEP 睡眠模式下的输出泄漏电流(当 VOUT 短接至 GND 时,从 VOUT 引脚测得) VBB ≤ 18V,VEN = VDIAG_EN = 0V(版本 A/B),VEN = 0V(版本 C),VOUT = 0V TJ = 25°C
 
0.01 0.1 µA
TJ = 85°C
 
0.4 µA
TJ = 150°C
 
12 µA
IQ 正常模式下的静态电流,通道已启用(版本 C) VBB ≤ 18V,VEN = 5V,IOUT = 0A 2.3 3 mA
tSTBY 待机模式延迟时间 VEN = VDIAG_EN = 0V(版本 A/B),VEN = 0V(版本 C),进入待机状态 20 ms
RON 特性
RON 导通电阻
(包括 MOSFET 通道和芯片金属化)
6V ≤ VBB ≤ 28V,IOUT= 1A TJ = 25°C 120
TJ = 150°C 240
3V ≤ VBB ≤ 6V,IOUT = 1A TJ = 25°C 140
TJ = 150°C 290
RON(REV) 反极性期间的导通电阻 –18V ≤ VBB ≤ –6V TJ = 25°C 125
TJ = 150°C 255
电流限制特性
ICL_FLT1_RISING 电流限制故障置为有效阈值,电流上升 ICL = 1.8A,TJ = -40°C 至 150°C 0.9 × ICL
ICL = 500mA,TJ = -40°C 至 150°C 0.84 × ICL
ICL_FLT1_FALLING 电流限制故障置为无效阈值,电流下降 ICL = 1.8A,TJ = -40°C 至 150°C 0.82 × ICL
ICL = 500mA,TJ = -40°C 至 150°C 0.76 × ICL
ICL_LINPK 线性模式峰值 TJ = -40°C 至 150°C dI/dt ≤ 0.01A/ms ICL 1.15 × ICL
ICL_ENPS 峰值电流可导致永久短路 TJ = -40°C 至 150°C 5µH + 100mΩ 3 × ICL A
IOVCR 启用开关后施加短路时的 OVCR 峰值电流阈值  TJ = -40°C 至 150°C 5µH + 100mΩ 6.5 A
ICL ICL 电流限制调节电平 TJ = -40°C 至 150°C,VDS ≤ 3V RILIM = 6.75kΩ 2 A
RILIM = 7.5kΩ 1.73 A
RILIM = 8.4kΩ 1.61 A
RILIM = 9.6 kΩ 1.41 A
RILIM = 11.3kΩ 1.2 A
RILIM = 13.5kΩ 1.02 A
RILIM = 16.9 kΩ 0.8 A
RILIM = 22.9 kΩ 0.519 0.59 0.661 A
RILIM = 27kΩ 0.445 0.5 0.555 A
RILIM = 33.75kΩ 0.352 0.4 0.448 A
RILIM = 67.5 kΩ 0.2 A
RILIM = 开路、短路或超出范围(> 67.5kΩ 或 < 6.75kΩ) 1.7 2.1 2.7 A
故障特性
tINRUSH 重试的浪涌周期(版本 C) VEN = 0V 至 5V 20 ms
IOL,ON(ENTER) 导通状态开路负载进入阈值(版本 C) VEN = 5V 15 30 50 mA
IOL,ON(EXIT) 导通状态开路负载退出阈值(版本 C) VEN = 5V 45 65 80 mA
IOL,ON(HYST) 导通状态开路负载退出磁滞(版本 C) VEN = 5V 20 33 45 mA
tOL,ENTER 导通状态开路负载抗尖峰脉冲时间,进入(版本 C) VEN = 5V,ILOAD < IOL,ON(ENTER) 10 ms
tOL,EXIT 导通状态开路负载抗尖峰脉冲时间,退出(版本 C) VEN = 5V,ILOAD > IOL,ON(EXIT) 60 µs
TABS 热关断 150 165 185 °C
TREL 相对热关断 64 °C
THYS 热关断迟滞 26 °C
VFLT FLTFLT1 输出电压 IFLT = 2.5mA 0.5 V
VFLT FLT2 低输出电压 IFLT2 = 2.5 mA 0.5 V
tFLT_DELAY 故障指示时间 VDIA_EN = 5V(版本 A/B),EN = 5V
电流限制故障与 FLTFLT1 置为有效之间的时间
40 µs
tRETRY 重试时间 从热关断到开关重新启用的时间。 1 2 3 ms
EN 引脚特性
VIL, EN 输入电压低电平阈值 0.8 V
VIH, EN 输入电压高电平 无接地网络 1.5 V
VIHYS, EN 输入电压迟滞 280 mV
REN 内部下拉电阻器 200 350 500
IIL, EN 输入电流低电平 VEN = 0.8V 2.5 µA
IIH, EN 输入电流高电平 VEN = 5V 16 µA
DIAG_EN/EN_AUX 引脚特性
VIL、EN_AUX 输入电压低电平 无接地网络 0.8 V
VIH、EN_AUX 输入电压高电平 无接地网络 1.5 V
VIHYS、EN_AUX 输入电压迟滞 280 mV
REN_AUX 内部下拉电阻器 200 350 500
IIL、EN_AUX 输入电流低电平 VEN_AUX = 0.8V 2.5 µA
IIH、EN_AUX 输入电流高电平 VEN_AUX = 5V 16 µA