ZHCSM28 December   2025 TPS1HC120-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 EN 和 EN_AUX 的 ORing
      2. 7.3.2 电感负载关断钳位
      3. 7.3.3 全面保护和诊断
        1. 7.3.3.1  可编程电流限制
        2. 7.3.3.2  短路和过载保护
          1. 7.3.3.2.1 电容充电
        3. 7.3.3.3  导通状态开路负载检测
        4. 7.3.3.4  反极性和电池反向保护
        5. 7.3.3.5  热保护行为
        6. 7.3.3.6  UVLO 保护
        7. 7.3.3.7  接地失效保护
        8. 7.3.3.8  电源失效保护
        9. 7.3.3.9  反向电流保护
        10. 7.3.3.10 MCU I/O 保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
        1. 8.2.1.1 动态改变电流限制
        2. 8.2.1.2 AEC Q100-012 测试 A 级认证
        3. 8.2.1.3 EMC 瞬态干扰测试
      2. 8.2.2 功率耗散计算
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 无接地网络
        2. 8.4.2.2 有接地网络
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.2 电感负载关断钳位

当关断电阻负载时，由于电感特性，输出电压下拉至负值。如果在电流衰减期间没有对电压进行钳位，则功率 FET 可能会击穿。在这种情况下，为了保护功率 FET，漏源电压被内部钳制到 VDS,clamp。

方程式 1. TPS1HC120-Q1

在电流衰减期间 (TDECAY)，功率 FET 导通以进行电感能量耗散。电源 (EBAT) 和负载 (ELOAD) 的能量都消耗在高侧电源开关本身上，称为 EHSD。如果电阻与电感串联，则部分负载能量会在电阻中耗散。

方程式 2. TPS1HC120-Q1

从高侧电源开关的角度来看，EHSD 等于电流衰减期间的积分值。

方程式 3. TPS1HC120-Q1
方程式 4. TPS1HC120-Q1
方程式 5. TPS1HC120-Q1

当 R 大概等于 0 时，EHSD 可以简单地表示为：

方程式 6. TPS1HC120-Q1
TPS1HC120-Q1 驱动电感负载图 7-1 驱动电感负载
TPS1HC120-Q1 电感负载关断图图 7-2 电感负载关断图

如前所述，关断时，电池能量和负载能量会在高侧电源开关上耗散，这会导致热变化较大。对于每个高侧电源开关，最大安全功率耗散的上限取决于器件的固有容量、环境温度和电路板功耗条件。

下图显示了器件在测试条件下可承受的单脉冲能量上限：VBB = 13.5V、1.5mH 至 100mH 的电感、R = 0Ω、FR4 2s2p 电路板、2- × 70μm 覆铜、2- × 35μm 覆铜。

TPS1HC120-Q1 最大单脉冲能量与电感范围间的关系图 7-3 最大单脉冲能量与电感范围间的关系