ZHCSL06E February   2008  – September 2025 TPS51200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  灌电流和拉电流稳压器（VO 引脚）
      2. 6.3.2  基准输入（REFIN 引脚）
      3. 6.3.3  基准输出（REFOUT 引脚）
      4. 6.3.4  软启动序列
      5. 6.3.5  使能控制（EN 引脚）
      6. 6.3.6  电源正常功能（PGOOD 引脚）
      7. 6.3.7  电流保护（VO 引脚）
      8. 6.3.8  UVLO 保护（VIN 引脚）
      9. 6.3.9  热关断
      10. 6.3.10 跟踪启动和关闭
      11. 6.3.11 VTT DIMM 应用的输出容差注意事项
      12. 6.3.12 DDR2 应用的 REFOUT (VREF) 考虑因素
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 低输入电压应用
      2. 6.4.2 S3 和伪 S5 支持
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入电压电容器
        2. 7.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 7.2.2.3 输出电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
      1. 7.3.1 3.3VIN、DDR2 配置
      2. 7.3.2 2.5VIN、DDR3 配置
      3. 7.3.3 3.3VIN、LP DDR3 或 DDR4 配置
      4. 7.3.4 3.3VIN、DDR3 跟踪配置
      5. 7.3.5 3.3VIN、LDO 配置
      6. 7.3.6 采用 LFP 的 3.3VIN DDR3 配置
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
      3. 7.5.3 散热设计注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.5.3 散热设计注意事项

由于 TPS51200 是线性稳压器，因此 VO 电流在拉电流和灌电流两个方向流动，从而耗散器件的功率。当器件拉取电流时，方程式 5 所示的电压差可计算功率耗散。

方程式 5. TPS51200

在这种情况下，如果 VLDOIN 引脚连接到低于 VDDQ 电压的替代电源，则可以降低总体功率损耗。在灌电流阶段，器件会在内部 LDO 稳压器上施加 VO 电压。方程式 6 计算功率耗散，PD_SNK 可以通过以下公式计算。

方程式 6. TPS51200

由于该器件不会同时灌入和拉取电流，I/O 电流可能随时间快速变化，因此实际功率耗散应为系统热弛豫持续时间内上述耗散的时间平均值。VIN 电源和 VLDOIN 电源的内部电流控制电路使用的电流是其他功耗源。在正常运行条件下，该功耗可估算为 5mW 或更低，并且必须有效地从封装中耗散。

封装允许的最大功耗由方程式 7 计算得出。

方程式 7. TPS51200

其中

  • TJ(max) 为 125°C
  • TA(max) 是系统中的最高环境温度
  • θJA 是结至环境的热阻
注：

由于方程式 7 展示了接地平面中散热的影响，因此只将其用作指南。请勿将方程式 7 用于估算实际应用环境中的实际热性能。

在将器件安装在 PCB 上的应用中，TI 强烈建议使用 ψJT 和 ψJB，如半导体和 IC 封装热指标 应用报告 SPRA953 中有关估算结温的部分所述。使用节 5.4表中所示的热指标 ψJT 和 ψJB，可以用相应的公式（在方程式 8 中给出）估算结温。为了方便向后兼容，还列出了较旧的 θJC 顶部参数规格。

方程式 8. TPS51200
方程式 9. TPS51200

其中

  • PD 是方程式 5 和方程式 6 中所示功率耗散
  • TT 是 IC 封装顶部中间位置的温度
  • TB 是在 PCB 表面距散热焊盘封装 1mm 测得的 PCB 温度（请参阅图 7-13）。
注：

TT 和 TB 都可以使用测温仪（红外温度计）在实际应用板上测得。有关测量 TT 和 TB 的详细信息，请参阅应用报告使用新的热指标 (SBVA025)。

TPS51200 建议的焊盘图案图 7-12 建议的焊盘图案
TPS51200 封装热测量图 7-13 封装热测量