ZHCSL06E February   2008  – September 2025 TPS51200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  灌电流和拉电流稳压器（VO 引脚）
      2. 6.3.2  基准输入（REFIN 引脚）
      3. 6.3.3  基准输出（REFOUT 引脚）
      4. 6.3.4  软启动序列
      5. 6.3.5  使能控制（EN 引脚）
      6. 6.3.6  电源正常功能（PGOOD 引脚）
      7. 6.3.7  电流保护（VO 引脚）
      8. 6.3.8  UVLO 保护（VIN 引脚）
      9. 6.3.9  热关断
      10. 6.3.10 跟踪启动和关闭
      11. 6.3.11 VTT DIMM 应用的输出容差注意事项
      12. 6.3.12 DDR2 应用的 REFOUT (VREF) 考虑因素
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 低输入电压应用
      2. 6.4.2 S3 和伪 S5 支持
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入电压电容器
        2. 7.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 7.2.2.3 输出电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
      1. 7.3.1 3.3VIN、DDR2 配置
      2. 7.3.2 2.5VIN、DDR3 配置
      3. 7.3.3 3.3VIN、LP DDR3 或 DDR4 配置
      4. 7.3.4 3.3VIN、DDR3 跟踪配置
      5. 7.3.5 3.3VIN、LDO 配置
      6. 7.3.6 采用 LFP 的 3.3VIN DDR3 配置
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
      3. 7.5.3 散热设计注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.3 应用曲线

图 7-2 显示了 TPS51200 器件 DDR3 设计示例的波德图仿真。

单位增益带宽约为 1MHz，相位裕度为 52°。由于 ESL 效应，当超过 0dB 电平时，增益达到峰值。然而，峰值保持在远低于 0dB 的水平。

图 7-3 显示了典型 DDR3 配置的负载调整率，图 7-4 显示了其瞬态响应。当稳压器承受 ±1.5A 负载阶跃并释放时，输出电压测量结果显示直流和交流条件之间没有差异。

TPS51200 DDR3 设计示例波特图
VIN = 3.3V VVLDOIN = 1.5V VVO = 0.75 V
IIO = 2A 3 × 10μF 电容器 ESR = 2.5mΩ
ESL = 800pH
图 7-2 DDR3 设计示例波特图
TPS51200 负载调整率
VVIN = 3.3V DDR3
图 7-3 负载调整率
TPS51200 瞬态波形图 7-4 瞬态波形