ZHCSL06E February   2008  – September 2025 TPS51200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  灌电流和拉电流稳压器(VO 引脚)
      2. 6.3.2  基准输入(REFIN 引脚)
      3. 6.3.3  基准输出(REFOUT 引脚)
      4. 6.3.4  软启动序列
      5. 6.3.5  使能控制(EN 引脚)
      6. 6.3.6  电源正常功能(PGOOD 引脚)
      7. 6.3.7  电流保护(VO 引脚)
      8. 6.3.8  UVLO 保护(VIN 引脚)
      9. 6.3.9  热关断
      10. 6.3.10 跟踪启动和关闭
      11. 6.3.11 VTT DIMM 应用的输出容差注意事项
      12. 6.3.12 DDR2 应用的 REFOUT (VREF) 考虑因素
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 低输入电压应用
      2. 6.4.2 S3 和伪 S5 支持
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入电压电容器
        2. 7.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 7.2.2.3 输出电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
      1. 7.3.1 3.3VIN、DDR2 配置
      2. 7.3.2 2.5VIN、DDR3 配置
      3. 7.3.3 3.3VIN、LP DDR3 或 DDR4 配置
      4. 7.3.4 3.3VIN、DDR3 跟踪配置
      5. 7.3.5 3.3VIN、LDO 配置
      6. 7.3.6 采用 LFP 的 3.3VIN DDR3 配置
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
      3. 7.5.3 散热设计注意事项
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

布局指南

在开始 TPS51200 布局设计之前,请考虑以下几点。

  • 通过短而宽的连接将输入电容器放置在尽量靠近 VDLOIN 引脚的位置。
  • 通过短而宽的连接,将输出电容器放置在尽可能靠近 VO 引脚的位置。如果需要将其余输出电容器放置在负载侧,请将一个容值至少为 10µF 的陶瓷电容器靠近 VO 引脚放置。
  • 将 VOSNS 引脚连接至输出电容器的正节点作为单独的布线。在 DDR VTT 应用中,将 VO 检测布线连接到 DIMM 侧,以确保 DIMM 侧的 VTT 电压得到良好调节。
  • 如果 VO 检测布线非常长,请考虑在 VOSNS 处添加低通滤波器。
  • 将 GND 引脚和 PGND 引脚直接连接至散热焊盘。
  • TPS51200 使用其散热焊盘进行散热。为了有效地消除 TPS51200 封装中的热量,请在散热焊盘上放置多个接地过孔。使用较大的接地覆铜平面,尤其是表面层上的覆铜平面,以对散热焊盘上的这些过孔覆铜。
  • 有关详细的布局建议,请参阅 TPS51200EVM 用户指南 (SLUU323)。