ZHCSIS8G September   2018  – December 2025 TPS7H2201-SEP , TPS7H2201-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：所有器件
    6. 6.6  电气特性：CFP 和 KGD 选项
    7. 6.7  电气特性：HTSSOP 选项
    8. 6.8  开关特性（所有器件）
    9. 6.9  质量合格检验
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 使能、欠压和过压保护
      2. 8.3.2 可调上升时间
      3. 8.3.3 可编程电流限制
      4. 8.3.4 可编程故障计时器
      5. 8.3.5 电流检测
      6. 8.3.6 并行运行
      7. 8.3.7 反向电流保护
      8. 8.3.8 正向漏电流
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 冗余
      2. 9.2.2 保护
      3. 9.2.3 设计要求
      4. 9.2.4 详细设计过程
        1. 9.2.4.1 欠压锁定
        2. 9.2.4.2 过压保护
        3. 9.2.4.3 电流限制
        4. 9.2.4.4 可编程故障计时器
        5. 9.2.4.5 软启动时间
      5. 9.2.5 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

4 器件选项

通用器件型号 辐射等级(1) 等级(2) 封装 可订购器件型号
TPS7H2201SP TID 为 100krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg		 QMLV-RHA 16 引脚 HKR CFP 5962R1722001VXC
QMLP-RHA 32 引脚 DAP HTSSOP 5962R1722002PYE
KGD (QMLV-RHA) 芯片 5962R1722001V9A
无 工程模型 (3) 16 引脚 HKR CFP PTS7H2201HKR/EM
芯片 TPS7H2201Y/EM
TPS7H2201-SEP TID 为 50krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 43MeV-cm2/mg		 增强型航天塑料 32 引脚 DAP HTSSOP TPS7H2201MDAPTSEP
(1) TID 是总电离剂量，DSEE 是破坏性单粒子效应。每个产品的关联 TID 报告和 SEE 报告中提供了额外信息。
(2) 有关器件等级的其他信息，请查看 SLYB235。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。它们按照不合规流程进行处理（例如，未进行老化处理，仅在 25°C 下进行测试）。这些器件不适用于鉴定、量产、辐射测试或飞行。器件在温度范围以外或超过使用寿命时的性能不受保证。