ZHCSIP1G April   1999  – July 2025 UCC2808A-1 , UCC2808A-2 , UCC3808A-1 , UCC3808A-2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 引脚说明
        1. 6.3.1.1 COMP
        2. 6.3.1.2 CS
        3. 6.3.1.3 FB
        4. 6.3.1.4 GND
        5. 6.3.1.5 OUTA 和 OUTB
        6. 6.3.1.6 RC
        7. 6.3.1.7 VDD
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 VCC
      2. 6.4.2 推挽式或半桥功能
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.1.7 VDD

该器件的电源输入连接。尽管静态 VDD 电流极低，但总电源电流较高，具体取决于 OUTA 和 OUTB 电流，以及编程的振荡器频率。总 VDD 电流是静态 VDD 电流和平均 OUT 电流的总和。已知工作频率和 MOSFET 栅极电荷 (Qg)，方程式 2 可以计算平均 OUT 电流。

方程式 2. IOUT = Qg × f

其中

  • f 是频率

为了防止出现噪声问题，使用尽可能靠近芯片的陶瓷电容器以及电解电容器将 VDD 旁路至 GND。TI 建议使用 1µF 去耦电容器。