ZHCSIP1G April   1999  – July 2025 UCC2808A-1 , UCC2808A-2 , UCC3808A-1 , UCC3808A-2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 引脚说明
        1. 6.3.1.1 COMP
        2. 6.3.1.2 CS
        3. 6.3.1.3 FB
        4. 6.3.1.4 GND
        5. 6.3.1.5 OUTA 和 OUTB
        6. 6.3.1.6 RC
        7. 6.3.1.7 VDD
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 VCC
      2. 6.4.2 推挽式或半桥功能
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

4 引脚配置和功能

图 4-1 UCCx808A：
D 封装，8 引脚 SOIC（顶视图）
图 4-2 UCC2808A-x、UCC3808A-2：
PW 封装，8 引脚 TSSOP（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
D
(SOIC)		 PW
(TSSOP)
COMP 1 3 O COMP 是误差放大器的输出，也是 PWM 比较器的输入。UCCx808A 误差放大器是真正的、低输出阻抗的 2MHz 运算放大器。因此，COMP 引脚既可以拉电流，也可以灌电流。不过，误差放大器具有内部电流限制，因此，可以通过将 COMP 拉至 GND 在外部强制指定零占空比。UCCx808A 系列产品内置全周期软启动功能。软启动是通过钳制最大 COMP 电压实现的。
CS 3 5 I PWM 输入、峰值电流和过流比较器。过流比较器仅适用于故障检测。超出过流阈值会导致软启动循环。内部 MOSFET 使电流检测滤波电容器放电，以提高电源转换器的动态性能。
FB 2 4 I 误差放大器的反相输入。为了获得最佳的稳定性，使 FB 引线长度保持尽可能短，并使 FB 杂散电容保持尽可能小。
GND 5 7 G 所有功能的参考接地和电源接地。由于 UCC3808A 具有高电流和高频运行，因此强烈建议使用低阻抗电路板接地平面。
OUTA 7 1 O 交替高电流输出级。两个输出级都能够驱动功率 MOSFET 的栅极。每个输出级都能够提供 500mA 峰值拉电流和 1A 峰值灌电流。在推挽式配置中，输出级以振荡器频率的一半进行切换。当 RC 引脚上的电压上升时，两个输出之一为高电平，但在下降时间内，两个输出均关断。两个输出之间的这一死区时间，以及比下降时间更慢的输出上升时间，可阻止两个输出同时活动。该死区时间通常为 60ns 至 200ns，具体取决于计时电容器和电阻器的值。高电流输出驱动器由从 VDD 切换到 GND 的 MOSFET 输出器件组成。每个输出级还可为过冲和欠冲提供非常低的阻抗。此配置意味着在许多情况下，无需使用外部肖特基钳位二极管。
OUTB 6 8 O 交替高电流输出级。两个输出级都能够驱动功率 MOSFET 的栅极。每个输出级都能够提供 500mA 峰值拉电流和 1A 峰值灌电流。在推挽式配置中，输出级以振荡器频率的一半进行切换。当 RC 引脚上的电压上升时，两个输出之一为高电平，但在下降时间内，两个输出均关断。两个输出之间的这一死区时间，以及比下降时间更慢的输出上升时间，可阻止两个输出同时活动。该死区时间通常为 60ns 至 200ns，具体取决于计时电容器和电阻器的值。高电流输出驱动器由从 VDD 切换到 GND 的 MOSFET 输出器件组成。每个输出级还可为过冲和欠冲提供非常低的阻抗。此配置意味着在许多情况下，无需使用外部肖特基钳位二极管。
RC 4 6 O 振荡器编程引脚。UCC3808A 振荡器在内部走线 VDD 和 GND，因此电源轨的变化可以更大限度地降低对频率稳定性的影响。节 6.2 显示振荡器方框图。只需两个元件即可对振荡器进行编程：一个电阻器（连接到 VDD 和 RC）和一个电容器（连接到 RC 和 GND）。近似振荡器频率由方程式 1 中的简单公式确定。
计时电阻器阻值的建议范围为 10kΩ 到 200kΩ，计时电容器值的建议范围为 100pF 到 1000pF。避免使用小于 10kΩ 的计时电阻器。为了获得最佳性能，应使 GND 的计时电容器引线尽可能短，使 VDD 的计时电阻引线尽可能短，并使计时元件与 RC 之间的引线尽可能短。建议对外部计时网络使用单独的接地和 VDD 走线。
VDD 8 2 P 该器件的电源输入连接。尽管静态 VDD 电流极低，但总电源电流较高，具体取决于 OUTA 和 OUTB 电流，以及编程的振荡器频率。总 VDD 电流是静态 VDD 电流和平均 OUT 电流的总和。已知工作频率和 MOSFET 栅极电荷 (Qg)，根据 方程式 2 计算平均 OUT 电流。
为了防止出现噪声问题，使用尽可能靠近芯片的陶瓷电容器以及电解电容器将 VDD 旁路至 GND。建议使用 1µF 去耦电容器。
(1) P = 电源，G = 地，I = 输入，O = 输出