ZHCSII6D July   2018  – May 2025 OPA855

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入和 ESD 保护
      2. 8.3.2 反馈引脚
      3. 8.3.3 宽增益带宽积
      4. 8.3.4 压摆率与输出级之间的关系
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 分立式电源和单电源供电
      2. 8.4.2 断电模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 光学前端系统中的 TIA
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 光学传感器接口
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
        3. 9.2.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.3.1 输入和 ESD 保护

OPA855采用低电压和高速 BiCMOS 工艺制造。对于这些小几何尺寸器件，内部结击穿电压较低，因此所有器件引脚都由连接到电源的内部 ESD 保护二极管提供保护，如图 8-3所示。放大器输入端之间有两个反并联二极管，可在超出范围或故障情况下钳制输入。

OPA855 内部 ESD 结构图 8-3 内部 ESD 结构