ZHCSI45A April   2018  – June 2025 LM3478Q-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 过压保护
      2. 6.3.2 斜率补偿斜坡
      3. 6.3.3 频率调节/关断
      4. 6.3.4 短路保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型高效升压转换器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2  功率电感器选型
          3. 7.2.1.2.3  对输出电压进行编程
          4. 7.2.1.2.4  设置电流限制
          5. 7.2.1.2.5  带有外部斜率补偿的电流限制
          6. 7.2.1.2.6  功率二极管选型
          7. 7.2.1.2.7  功率 MOSFET 选型
          8. 7.2.1.2.8  输入电容器选型
          9. 7.2.1.2.9  输出电容器选型
          10. 7.2.1.2.10 补偿
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 典型的 SEPIC 转换器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 功率 MOSFET 选型
          2. 7.2.2.2.2 功率二极管选型
          3. 7.2.2.2.3 电感器 L1 和 L2 选型
          4. 7.2.2.2.4 感测电阻选择
          5. 7.2.2.2.5 Sepic 电容器选型
          6. 7.2.2.2.6 输入电容器选型
          7. 7.2.2.2.7 输出电容器选型
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 开发支持
      1. 8.2.1 使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
    3. 8.3 文档支持
      1. 8.3.1 相关文档
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

3 说明

LM3478Q-Q1 是一款适用于开关稳压器的多功能低侧 N 沟道 MOSFET 控制器。它适合用在需要低侧 MOSFET 的拓扑，如升压、反激式、SEPIC 等。此外，LM3478Q-Q1还能以极高的开关频率运行，从而减小整体解决方案的尺寸。LM3478Q-Q1 的开关频率可通过单个外部电阻器调整为介于 100kHz 到 1MHz 之间的任意值。电流模式控制提供出色的带宽和瞬态响应以及逐周期电流限制。可以使用单个外部电阻器对输出电流进行编程。

LM3478Q-Q1 具有热关断、短路保护、过压保护等内置功能。节能关断模式可以将总电源电流降低至 5µA，并支持电源时序控制。内部软启动会限制启动时的浪涌电流。

器件信息
器件型号 封装(1) 本体尺寸（标称值）
LM3478Q-Q1 VSSOP (8) 3.00mm x 3.00mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
LM3478Q-Q1 典型高效升压转换器典型高效升压转换器