ZHCSI45A April   2018  – June 2025 LM3478Q-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 过压保护
      2. 6.3.2 斜率补偿斜坡
      3. 6.3.3 频率调节/关断
      4. 6.3.4 短路保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型高效升压转换器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2  功率电感器选型
          3. 7.2.1.2.3  对输出电压进行编程
          4. 7.2.1.2.4  设置电流限制
          5. 7.2.1.2.5  带有外部斜率补偿的电流限制
          6. 7.2.1.2.6  功率二极管选型
          7. 7.2.1.2.7  功率 MOSFET 选型
          8. 7.2.1.2.8  输入电容器选型
          9. 7.2.1.2.9  输出电容器选型
          10. 7.2.1.2.10 补偿
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 典型的 SEPIC 转换器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 功率 MOSFET 选型
          2. 7.2.2.2.2 功率二极管选型
          3. 7.2.2.2.3 电感器 L1 和 L2 选型
          4. 7.2.2.2.4 感测电阻选择
          5. 7.2.2.2.5 Sepic 电容器选型
          6. 7.2.2.2.6 输入电容器选型
          7. 7.2.2.2.7 输出电容器选型
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 开发支持
      1. 8.2.1 使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
    3. 8.3 文档支持
      1. 8.3.1 相关文档
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2 典型的 SEPIC 转换器

LM3478Q-Q1 典型的 SEPIC 转换器图 7-8 典型的 SEPIC 转换器

由于 LM3478Q-Q1 控制低侧 N 沟道 MOSFET，它也可用于 SEPIC（单端初级电感转换器）应用。图 1-1 展示了一个使用 LM3478Q-Q1 的 SEPIC 示例。请注意，输出电压可以高于或低于输入电压。SEPIC 使用两个电感器来升高或降低输入电压。电感器 L1 和 L2 可以是两个分立式电感器，也可以是一个耦合电感器的两个绕组，因为在整个开关周期内电感器上会施加相等的电压。使用两个分立式电感器时则可使用目录中的磁性元件，而不是定制电感器。通过使用耦合绕组作为 L1 和 L2，可以减小输入纹波和尺寸。

由于输入端存在电感器 L1，SEPIC 继承了升压转换器的所有优势。与升压转换器相比，SEPIC 的一个主要优点是其固有的输入到输出隔离。电容器 CS 将输入与输出隔离，并针对负载短路或发生故障提供保护。因此，当需要真正关断时，SEPIC 可用于替换升压电路。这意味着当开关关闭时，输出电压会降至 0V。在升压转换器中，输出只能降到输入电压减去二极管压降。

SEPIC 的占空比由方程式 34 给出。

方程式 34. LM3478Q-Q1

在方程式 34 中，VQ 是 MOSFET Q 的导通状态电压，而 VDIODE 是二极管的正向压降。