ZHCSI45A April   2018  – June 2025 LM3478Q-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 过压保护
      2. 6.3.2 斜率补偿斜坡
      3. 6.3.3 频率调节/关断
      4. 6.3.4 短路保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型高效升压转换器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2  功率电感器选型
          3. 7.2.1.2.3  对输出电压进行编程
          4. 7.2.1.2.4  设置电流限制
          5. 7.2.1.2.5  带有外部斜率补偿的电流限制
          6. 7.2.1.2.6  功率二极管选型
          7. 7.2.1.2.7  功率 MOSFET 选型
          8. 7.2.1.2.8  输入电容器选型
          9. 7.2.1.2.9  输出电容器选型
          10. 7.2.1.2.10 补偿
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 典型的 SEPIC 转换器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 功率 MOSFET 选型
          2. 7.2.2.2.2 功率二极管选型
          3. 7.2.2.2.3 电感器 L1 和 L2 选型
          4. 7.2.2.2.4 感测电阻选择
          5. 7.2.2.2.5 Sepic 电容器选型
          6. 7.2.2.2.6 输入电容器选型
          7. 7.2.2.2.7 输出电容器选型
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 开发支持
      1. 8.2.1 使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
    3. 8.3 文档支持
      1. 8.3.1 相关文档
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.1 概述

LM3478Q-Q1 器件采用固定频率、脉宽调制 (PWM) 电流模式控制架构。节 6.2展示了基本功能。在典型应用电路中，流经外部 MOSFET 的峰值电流通过外部检测电阻进行检测。该电阻器上的电压被馈送到 ISEN 引脚。然后，该电压会被馈送到 PWM 比较器的正输入端。输出电压也通过外部反馈电阻分压器网络进行检测，并被馈送到误差放大器负输入端（反馈引脚，FB）。误差放大器（COMP 引脚）的输出会添加到斜率补偿斜坡中，然后被馈送到 PWM 比较器的负输入端。在任何开关周期开始时，振荡器都会使用开关逻辑块设置 RS 锁存器。这会在 DR 引脚（外部 MOSFET 的栅极）上强制产生一个高电平信号，并且外部 MOSFET 会导通。当 PWM 比较器正输入端上的电压超过负输入端上的电压时，RS 锁存器会复位并且外部 MOSFET 会关断。

检测电阻上的电压通常包含杂散噪声尖峰，如图 6-1 所示。这些尖峰可以强制 PWM 比较器过早复位 RS 锁存器。为了防止这些尖峰复位锁存器，IC 内部的消隐电路会防止 PWM 比较器在锁存器设置后的短时间内复位锁存器。此持续时间约为 325ns，称为消隐间隔，并在“电气特性”部分中指定为最短导通时间。在极轻负载或空载条件下，当外部 MOSFET 导通时，在消隐间隔内提供给输出电容器的能量会大于提供给负载的能量。LM3478Q-Q1 内部的过压比较器防止输出电压在这些条件下升高。过压比较器会检测反馈（FB 引脚）电压并使 RS 锁存器复位。锁存器保持复位状态，直到输出衰减到标称值。

LM3478Q-Q1 PWM 比较器的基本运行图 6-1 PWM 比较器的基本运行