ZHCSI45A April   2018  – June 2025 LM3478Q-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 过压保护
      2. 6.3.2 斜率补偿斜坡
      3. 6.3.3 频率调节/关断
      4. 6.3.4 短路保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型高效升压转换器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2  功率电感器选型
          3. 7.2.1.2.3  对输出电压进行编程
          4. 7.2.1.2.4  设置电流限制
          5. 7.2.1.2.5  带有外部斜率补偿的电流限制
          6. 7.2.1.2.6  功率二极管选型
          7. 7.2.1.2.7  功率 MOSFET 选型
          8. 7.2.1.2.8  输入电容器选型
          9. 7.2.1.2.9  输出电容器选型
          10. 7.2.1.2.10 补偿
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 典型的 SEPIC 转换器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 功率 MOSFET 选型
          2. 7.2.2.2.2 功率二极管选型
          3. 7.2.2.2.3 电感器 L1 和 L2 选型
          4. 7.2.2.2.4 感测电阻选择
          5. 7.2.2.2.5 Sepic 电容器选型
          6. 7.2.2.2.6 输入电容器选型
          7. 7.2.2.2.7 输出电容器选型
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 开发支持
      1. 8.2.1 使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
    3. 8.3 文档支持
      1. 8.3.1 相关文档
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
7.2.1.2.7 功率 MOSFET 选型

LM3478Q-Q1 的驱动引脚必须连接至外部 MOSFET 的栅极。驱动引脚 (DR) 电压取决于输入电压（请参阅节 5.6）。在大多数应用中，可以使用逻辑电平 MOSFET。对于极低的输入电压，应使用子逻辑电平 MOSFET。所选的 MOSFET 对系统效率有很大影响。选择 MOSFET 的关键参数包括：

  1. 最小阈值电压 VTH(MIN)
  2. 导通电阻 RDS(ON)
  3. 总栅极电荷 Qg
  4. 反向传输电容 CRSS
  5. 最大漏源电压 VDS(MAX)

MOSFET 的关断状态电压约等于输出电压。Vds(max) 必须大于输出电压。MOSFET 中的功率损耗可分为导通损耗和开关损耗。需要 RDS(ON) 来估算导通损耗 Pcond：。

方程式 28. Pcond = I2 x RDS(ON) x D

温度对 RDS(ON) 的影响通常非常显著。可在高温条件下增加 30%。

对于方程式 28 中的电流 I，可以使用平均电感器电流。

尤其在高开关频率下，开关损耗可能是总损耗的最大部分。

由于给定 MOSFET 在运行中的寄生效应发生变化，因此很难计算开关损耗。通常情况下，单个 MOSFET 的数据表所提供的信息不足以得出有用的结果。方程式 29 和方程式 30 大致说明了如何计算开关损耗：

方程式 29. LM3478Q-Q1
方程式 30. LM3478Q-Q1