ZHCSCX5B October   2014  – April 2024 DRV8848

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2.     外部组件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - 通信
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 PWM 电机驱动器
      2. 6.3.2 电桥控制
      3. 6.3.3 并行运行
      4. 6.3.4 电流调节
      5. 6.3.5 电流再循环和衰减模式
      6. 6.3.6 保护电路
        1. 6.3.6.1 OCP
        2. 6.3.6.2 TSD
        3. 6.3.6.3 UVLO
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电流调节
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
    6. 8.6 社区资源
    7. 8.7 商标
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

TA = 25°C，在建议运行条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（VM、VINT）
VVM VM 工作电压 4 18 V
IVM VM 工作电源电流 VVM = 12V，不包括绕组电流，
nSLEEP = 1		 1.2 1.35 1.5 mA
IVMQ VM 睡眠模式电源电流 VVM = 12V，nSLEEP = 0 0.5 1.2 3 μA
tSLEEP 睡眠时间 nSLEEP = 0 以进入睡眠模式 1 ms
tWAKE 唤醒时间 nSLEEP = 1 至输出转换 1 ms
tON 加电时间 VVM > VUVLO 上升至输出切换 1 ms
VINT VINT 电压 VVM > 4V，IOUT = 0A 至 1mA 3.13 3.3 3.47 V
逻辑电平输入（BIN1、BIN2、NSLEEP）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.7 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.6 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 100 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VI = 0V -1 1 µA
IIH 输入逻辑高电平电流 VI = 5V 1 30 µA
RPD 下拉电阻 BIN1、BIN2 200 kΩ
RPD 下拉电阻 nSLEEP 500 kΩ
tDEG 输入抗尖峰脉冲时间 AIN1 或 AIN2 400 ns
tDEG 输入抗尖峰脉冲时间 BIN1 或 BIN2 200 ns
tPROP 传播延迟 AIN1 或 AIN2 边沿到输出变化 800 ns
tPROP 传播延迟 BIN1 或 BIN2 边沿到输出变化 400 ns
三电平输入（AIN1、AIN2）
VIL 三电平输入逻辑低电压 0 0.7 V
VIZ 三电平输入高阻抗电压 1.1 V
VIH 三电平输入逻辑高电压 1.6 5.5 V
VHYS 三电平输入迟滞 100 mV
IIL 三电平输入逻辑低电平电流 VIN = 0V -30 -1 µA
IIH 三电平输入逻辑高电平电流 VIN = 5V 1 30 µA
RPD 三电平下拉电阻 至 GND 170 kΩ
RPU 三电平上拉电阻 至 VINT 340 kΩ
控制输出 (NFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IO = 5mA 0.5 V
IOH 输出逻辑高电平漏电流 VO = 3.3 V -1 1 µA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ON) 高侧 FET 导通电阻 VVM = 12V、IO = 0.5A、TJ = 25°C 550 mΩ
RDS(ON) 高侧 FET 导通电阻 VVM = 12 V、IO = 0.5 A, TJ = 85°C(1) 660 mΩ
RDS(ON) 低侧 FET 导通电阻 VVM = 12V、IO = 0.5A、TJ = 25°C 350 mΩ
RDS(ON) 低侧 FET 导通电阻 VVM = 12 V、IO = 0.5 A, TJ = 85°C(1) 420 mΩ
IOFF 关断状态漏电流 VVM = 5V，TJ = 25°C -1 1 μA
tRISE 输出上升时间 60 ns
tFALL 输出下降时间 60 ns
tDEAD 输出死区时间 内部死区时间 200 ns
PWM 电流控制（VREF、AISEN、BISEN）
IREF 外部施加的 VREF 输入电流 VVREF = 1 至 3.3V 1 μA
VTRIP xISEN 跳变电压 VVREF = 3.3V 时的 100% 电流阶跃 500 mV
tBLANK 电流检测消隐时间 1.8 μs
AISENSE 电流检测放大器增益 仅供参考 6.6 V/V
tOFF 电流控制恒定关断时间 20 μs
保护电路
VUVLO VM 欠压锁定 VVM 下降；UVLO 报告 2.9 V
VVM 上升；UVLO 恢复 3 V
IOCP 过流保护跳变电平 2 A
tDEG 过流抗尖峰时间 2.8 µs
tOCP 过流保护周期 1.6 ms
TTSD(1) 热关断温度 内核温度 TJ 150 160 180 °C
THYS(1) 热关断迟滞 内核温度 TJ 50 °C
(1) 未在生产中进行测试；限值基于表征数据