ZHCSC63P December 2013 – February 2024 TMS320F28374D , TMS320F28375D , TMS320F28376D , TMS320F28377D , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1
PRODUCTION DATA
| 编号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | tc(CLK) | 周期时间,CLK | SDR 模式 | 20 | ns | |
| DDR 模式 | 40 | |||||
| 2 | tw(CLKH) | 脉冲宽度,CLK 高电平 | SDR 模式 | 8 | ns | |
| DDR 模式 | 18 | |||||
| 3 | tw(CLKL) | 脉冲宽度,CLK 低电平 | SDR 模式 | 8 | ns | |
| DDR 模式 | 18 | |||||
| 4 | tsu(STV-CLKH) | CLK 高电平之前开始有效的设置时间 | 4 | ns | ||
| 5 | th(CLKH-STV) | CLK 高电平之后开始有效的保持时间 | 0.8 | ns | ||
| 6 | tsu(ENV-CLKH) | CLK 高电平之前使能有效的设置时间 | 4 | ns | ||
| 7 | th(CLKH-ENV) | CLK 高电平之后使能有效的保持时间 | 0.8 | ns | ||
| 8 | tsu(DV-CLKH) | CLK 高电平之前数据有效的设置时间 | 4 | ns | ||
| 9 | th(CLKH-DV) | CLK 高电平之后数据有效的保持时间 | 0.8 | ns | ||
| 10 | tsu(DV-CLKL) | CLK 低电平之前数据有效的设置时间 | 4 | ns | ||
| 11 | th(CLKL-DV) | CLK 低电平之后数据有效的保持时间 | 0.8 | ns | ||
| 19 | tsu(WTV-CLKH) | CLK 高电平之前等待有效的设置时间 | SDR 模式 | 20 | ns | |
| 20 | th(CLKH-WTV) | CLK 高电平之后等待有效的保持时间 | SDR 模式 | 0 | ns | |
| 21 | tsu(WTV-CLKL) | CLK 低电平之前等待有效的设置时间 | DDR 模式 | 20 | ns | |
| 22 | th(CLKL-WTV) | CLK 低电平之后等待有效的保持时间 | DDR 模式 | 0 | ns | |