ZHCSBL7C August   2013  – February 2026 TPS53515

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  5V LDO 和 VREG 启动
      2. 6.3.2  使能、软启动和模式选择
      3. 6.3.3  频率选择
      4. 6.3.4  D-CAP3 控制和模式选择
        1. 6.3.4.1 D-CAP3™ 控制模式
        2. 6.3.4.2 采样和保持电路
        3. 6.3.4.3 自适应过零
      5. 6.3.5  电源正常
      6. 6.3.6  电流检测和过流保护
      7. 6.3.7  过压和欠压保护
      8. 6.3.8  越界运行
      9. 6.3.9  UVLO 保护
      10. 6.3.10 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 自动跳跃 Eco-mode 轻负载运行
      2. 6.4.2 强制连续导通模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 选择开关频率
        2. 7.2.2.2 选择运行模式
        3. 7.2.2.3 选择电感器
        4. 7.2.2.4 选择输出电容器
        5. 7.2.2.5 确定 R1 和 R2 的值
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
      3. 7.4.3 热性能
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内且 VREG = 5V、EN = 5V 的条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
IVDD VDD 偏置电流 TA = 25°C，空载
启用电源转换（无开关动作）		 1350 1850 µA
IVDDSTBY VDD 待机电流 TA = 25°C，空载
禁用电源转换		 850 1150 µA
IVIN(leak) VIN 漏电流 VEN = 0V 0.5 µA
VREF 输出
VVREF 基准电压 FB w/r/t GND，TA = 25°C 597 600 603 mV
VVREFTOL 基准电压容差 FB w/r/t GND，0°C ≤ TJ ≤ 85°C -0.6% 0.5%
FB w/r/t GND，=–40°C ≤ TJ ≤ 85°C -0.7% 0.5%
输出电压
IFB FB 输入电流 VFB = 600mV 50 100 nA
IVODIS VO 放电电流 VVO = 0.5V，禁用电源转换 10 12 15 mA
SMPS 频率
fSW VO 开关频率(2) VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR < 0.041 250 kHz
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR = 0.096 300
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR = 0.16 400
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR = 0.229 500
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR = 0.297 600
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR = 0.375 750
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR = 0.461 850
VIN = 12V，VVO = 3.3V，RDR > 0.557 1000
tON(min) 最短导通时间 TA = 25°C(1) 60 ns
tOFF(min) 最短关断时间 TA = 25°C 175 240 310 ns
内部自举 SW
VF 正向电压 VVREG–VBST，TA = 25°C，IF = 10mA 0.15 0.25 V
IVBST VBST 漏电流 TA = 25°C，VVBST = 33V，VSW = 28V 0.01 1.5 µA
逻辑阈值
VENH EN 使能阈值电压 1.3 1.4 1.5 V
VENL EN 禁用阈值电压 1.1 1.2 1.3 V
VENHYST EN 迟滞电压 0.22 V
VENLEAK EN 输入漏电流 -1 0 1 µA
软启动
tSS 软启动时间 1 ms
PGOOD 比较器
VPGTH VDDQ PGOOD 阈值 从高侧触发 PGOOD 输入 104% 108% 111%
从低侧触发 PGOOD 输入 89% 92% 96%
PGOOD 输出至高电平 113% 116% 120%
PGOOD 输出至低电平 80% 84% 87%
IPG PGOOD 灌电流 VPGOOD = 0.5V 4 6 mA
tPGDLY PGOOD 延迟时间 PGOOD 进入延迟 0.8 1.0 1.2 ms
PGOOD 输出延迟 2 µs
IPGLK PGOOD 漏电流 VPGOOD = 5V -1 0 1 µA
电流检测
RTRIP TRIP 引脚电阻范围 20 70 kΩ
IOCL 电流限制阈值，谷值 RTRIP = 52.3kΩ 10.1 12 13.9 A
RTRIP = 38kΩ 7.2 9.1 11.0
IOCLN 负电流限制阈值，谷值 RTRIP = 52.3kΩ -15.3 -11.9 -8.5 A
RTRIP = 38kΩ -12 -9 -6
VZC 过零检测偏移 0 mV
保护
VVREGUVLO VREG 欠压锁定 (UVLO) 阈值电压 唤醒 3.25 3.34 3.41 V
关断 3.00 3.12 3.19
VVDDUVLO VDD UVLO 阈值电压 唤醒（默认） 4.15 4.25 4.35 V
关断 3.95 4.05 4.15
VOVP 过压保护（OVP）阈值电压 OVP 检测电压 116% 120% 124%
tOVPDLY OVP 传播延迟 施加 100mV 过驱 300 ns
VUVP 欠压保护 (UVP) 阈值电压 UVP 检测电压 64% 68% 71%
tUVPDLY UVP 延迟 UVP 滤波器延迟 1 ms
热关断
TSDN 热关断阈值(1) 关断温度 140 °C
迟滞 40
LDO 电压
VREG LDO 输出电压 VIN = 12V，ILOAD = 10mA 4.65 5 5.45 V
VDOVREG LDO 低压降电压 VIN > 4.5V，ILOAD = 30mA，TA = 25°C 365 mV
ILDOMAX LDO 过流限制 VIN = 12V，TA = 25°C 170 200 mA
内部 MOSFET
RDS(on)H 高侧 MOSFET 导通电阻 TA = 25°C 13.8 15.5 mΩ
RDS(on)L 低侧 MOSFET 导通电阻 TA = 25°C 5.9 7.0 mΩ
(1) 根据设计指定。未经生产测试。
(2) 方程式 1 中介绍了电阻分压器分压比 (RDR)。