ZHCS830A March   2012  – June 2025 TPS79633-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 有源放电（新芯片）
      4. 6.3.4 热保护
      5. 6.3.5 稳压器保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 退出压降
      2. 7.1.2 外部电容器要求
      3. 7.1.3 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
      4. 7.1.4 稳压器安装
      5. 7.1.5 热性能信息
        1. 7.1.5.1 功率耗散
        2. 7.1.5.2 估算结温
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

在工作温度范围内测得，(TJ = –40°C 至 +125°C)，VEN = VIN，VIN = VOUT(nom) + 1V (1)，IOUT = 1mA，COUT = 10µF 和 CNR = 0.01µF（仅限旧芯片），除非另有说明。所有典型值均在 TJ= 25°C 下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIN 输入电压  旧芯片 2.7 5.5 V
新芯片 2.7 6.0
IOUT 持续输出电流 0 1 A
VOUT 输出精度 固定值 VOUT < 5V 0µA ≤ IOUT ≤ 1A，
VOUT(nom) + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V (1)		 -2.0 2.0 %
ΔVOUT/ΔVIN 线路调整 VOUT + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V 0.05 0.12 %/V
ΔVOUT/ΔIOUT 负载调整率 0 µA ≤ IOUT ≤ 1 A 5 mV
VDO 压降电压 VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 1A 220 325 mV
ICL 输出电流限制 VOUT = 0（旧芯片） 2.4 4.2 A
ICL 输出电流限制 VIN = VOUT(nom) + 1.25V 或 2.0V（以较大者为准），VOUT = 0.9 x VOUT(nom) （仅限新芯片） 1.04 1.65 A
ISC 短路电流限制 VOUT = 0（仅限新芯片） 550 mA
IGND 接地电流 0µA ≤ IOUT ≤ 1A（旧芯片） 265 385 µA
IGND 接地电流 0µA ≤ IOUT ≤ 1A （新芯片） 700 1100 µA
ISHDN 关断电流 VEN = 0V，2.7 V ≤ VIN ≤ 5.5V 0.07 1 µA
PSRR 电源抑制比 f = 100Hz，IOUT = 10mA（旧芯片） 59 dB
f = 100Hz，IOUT = 10mA（新芯片） 64
f = 100Hz，IOUT = 1A（旧芯片） 54
f = 100Hz，IOUT = 1A（新芯片） 74
f = 10kHz，IOUT = 1A（旧芯片） 53
f = 10kHz，IOUT = 1A（新芯片） 49
f = 100kHz，IOUT = 1A（旧芯片） 42
f = 100kHz，IOUT = 1A（新芯片） 42
Vn 输出噪声电压 BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 1A CNR = 0.001µF 54 µVRMS
CNR = 0.0047µF 46
CNR = 0.01µF 41
CNR = 0.1µF 40
BW = 10Hz 至 100kHz，IOUT = 1A 新芯片 (10 78 µVRMS
tstr 启动时间  RL = 3Ω，COUT = 1µF CNR = 0.001µF 50 µs
RL = 3Ω，COUT = 1µF CNR = 0.0047µF 75
RL = 3Ω，COUT = 1µF CNR = 0.01µF 110
tstr 启动时间  RL = 3Ω，COUT = 1µF 新芯片 550 µs
IEN 使能引脚电流 VEN = 0V -1 1 µA
RPULLDOWN 下拉电阻 VIN = 3.3V（仅限新芯片） 100 Ω
VUVLO UVLO 阈值 VIN 上升（旧芯片） 2.25 2.65 V
VIN 上升（新芯片） 1.28 1.62
VUVLO(HYST) UVLO 迟滞 VIN 迟滞（旧芯片） 100 mV
VIN 迟滞（新芯片） 130
VEN(HI) 高电平使能输入电压 2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（旧芯片） 1.7 VIN V
2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0.85 VIN
VEN(LOW) 低电平使能输入电压 2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（旧芯片） 0.7
2.7V(1) ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0.425
(1) 最小 VIN = VOUT +1V 或 2.7V，以较大者为准。 时进行测试