ZHCS773C February   2012  – May 2025 CSD16342Q5A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热特性
  6. 5典型 MOSFET 特性
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

电气特性

(TA = 25°C 时测得,除非另有说明)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
静态特性
BVDSS漏源极电压VGS = 0V,IDS = 250μA25V
IDSS漏源漏电流VGS = 0V,VDS = 20V1μA
IGSS栅源漏电流VDS = 0V,VGS = +10/-8V100nA
VGS(th)栅源阈值电压VDS = VGSIDS = 250μA0.60.851.1V
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 2.5V,IDS = 20A6.17.8
VGS = 4.5V,IDS = 20A4.35.5
VGS = 8V,IDS = 20A3.84.7
gfs跨导VDS = 15V,IDS = 20A91S
动态特性
CISS输入电容VGS = 0V,VDS = 12.5V,ƒ = 1MHz10501350pF
COSS输出电容730950pF
CRSS反向传输电容5369pF
Rg串联栅极电阻1.53
Qg栅极电荷总量 (4.5V)VDS = 12.5V,ID = 20A6.87.1nC
Qgd栅漏栅极电荷0.9nC
Qgs栅源栅极电荷1.9nC
Qg(th)Vth 下的栅极电荷1.2nC
QOSS输出电荷VDS = 13V,VGS = 0V13.7nC
td(on)导通延时时间VDS = 12.5V,VGS = 4.5V,ID = 20A,
RG = 2Ω
5.2ns
tr上升时间16.6ns
td(off)关断延迟时间13.4ns
tf下降时间3.1ns
二极管特性
VSD二极管正向电压IS = 20A,, VGS = 0V0.81V
Qrr反向恢复电荷VDD = 13V,IF = 20A,di/dt = 300A/μs14.5nC
trr反向恢复时间20ns