ZHCS773C February   2012  – May 2025 CSD16342Q5A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热特性
  6. 5典型 MOSFET 特性
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

3 说明

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地减少功率转换中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

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产品概要
VDS 漏源极电压 25 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 6.8 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 1.2 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 2.5V 6.1 mΩ
VGS = 4.5V 4.3 mΩ
VGS = 8V 3.8 mΩ
Vth 阈值电压 0.85 V
 订购信息
器件封装介质数量运输
CSD16342Q5ASON 5 × 6 塑料封装13 英寸卷带2500卷带包装
绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另有说明值单位
VDS漏源极电压25V
VGS栅源电压+10/-8V
ID持续漏极电流，TC = 25°C100A
持续漏极电流(1)21A
IDM脉冲漏极电流，TA = 25°C(2)131A
PD功率耗散(1)3W
TJ，TSTG运行结温和储存温度范围-55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 40A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		80mJ
(1) 0.060 英寸厚 FR4 PCB 上采用 1 平方英寸、2 盎司铜焊盘时的 RθJA 典型值为 40°C/W。
(2) 脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤2%
CSD16342Q5A RDS(ON)与 VGS 间的关系RDS(ON)与 VGS 间的关系
CSD16342Q5A 栅极电荷栅极电荷